Заключается преимущество

we можно пренебречь), достигнет нуля (момент времени /), транзистор отпирается и появляются базовый и коллекторный токи. Приращение коллекторного тока вызывает в обмотке шк ЭДС самоиндукции е\, за счет чего в обмотке w& наводится ЭДС взаимоиндукции ег отрицательной относительно базы полярности. Процесс уменьшения напряжения на базе и соответствующего возрастания коллекторного и базового токов носит лавинообразный характер и заканчивается насыщением транзистора. В этот момент формируется фронт генерируемого импульса, а так как его длительность мала, то напряжение на конденсаторе практически не успевает измениться.

Переключение заканчивается насыщением 7\ и запиранием Г2. Напряжение на выходе триггера U2 = Е — /„О2#к2 ^ Е- Напряжение на эмиттерах транзисторов принимает значение U3, близкое к ? -----11»-----. По мере роста напряжения e(t) напряжение на

передается на базу Г2, вызывая его дальнейшее отпирание. Процесс переключения транзисторов развивается лавинообразно и заканчивается насыщением транзистора Т2. За это время напряжение на обкладках Сг практически не изменяется, остается близким к Е (минус на правой, плюс — на левой обкладке конденсатора). Через насыщенный транзистор Т2 правая обкладка конденсатора оказывается связанной с корпусом, а левая обкладка по-прежнему соединена с базой 7\ и положительное напряжение на ней запирает транзистор Тг, Мультивибратор перешел во второе квази устойчивое состояние равновесия. В этом состоянии транзистор 7\ заперт, транзистор Т2 насыщен, конденсатор d разряжается через R6i на источник питания — Е, конденсатор С2 заряжается от источника питания — Е через RKi и эмиттерный переход насыщенного транзистора Т2.

При выполнении последнего условия через базы транзисторов протекает одинаковый ток /g = E/Rg. Он течет от источника питания +Е через эмиттер-ный переход транзистора Т%, резистор RQ и эмиттерный переход транзистора Tj на корпус устройства. Транзисторы не насыщены, поэтому /Bl = BI/O! /ка = = В2/б. Транзисторы, работающие в активном режиме, обеспечивают большой коэффициент усиления каскадов как по току, так и по напряжению. Поэтому после замыкания цепи обратной связи (при подключении конденсатора С4) в схеме неизбежно начнется лавинный процесс переключения транзисторов. 7'ран-зистор Т2 отпирается больше, его коллекторный ток увеличивается. Значительная часть этого тока через конденсатор Cj течет в цепь базы транзистора Т\, вызывая его отпирание. Коллекторный ток транзистора Т^ также увеличивается, что вызывает рост базового тока транзистора Т2 и его дальнейшее отпирание. Процесс заканчивается насыщением обоих транзисторов мультивибратора. Таким образом, хотя в статическом режиме (при разомкнутой цепи обратной связи) транзисторы были не насыщены, при работе мультивибратора, за счет емкостных составляющих базовых токов, оба транзистора насыщаются. Такое

заканчивается насыщением транзистора Т, после чего участок «коллектор — эмиттер» можно представить в виде короткозамкнутого отрезка цепи /С—Э. Нагрузкой базовой обмотки трансформатора является суммарное сопротивление /?б + гвя, где гбн — входное сопротивление насыщенного транзистора. При пересчете в коллекторную цепь R6' = (#б +/"бн)/«2- Поскольку гба < R6, то по-прежнему можно считать, что R6' = Re/ri*. С учетом сказанного эквивалентная схема коллекторной цепи транзистора после его насыщения примет вид, изображенный иа 6.114. После завершения процесса переключения, соответствовавшего формированию фронта выходного импульса, начинается процесс формирования его вершины. Согласно 6.114 коллекторный ток насыщенного транзистора Т разветвляется по трем 6.113 направлениям и соответственно состоит из трех составляющих:

После окончания прямого хода пилообразного напряжения начинается формирование обратного хода. Сначала конденсатор С = = CiC2/(Ci + С2) разряжается, как и в схеме 8.12, коллекторным током транзистора 7\. Этот первый этап заканчивается насыщением транзистора TI, после чего напряжение на верхней (согласно 8.14) обкладке конденсатора С*, а следовательно, и на выходе схемы близко к нулю. В силу неравенства емкостей конденсаторов, неодинаковых зарядных токов, а следовательно, и накопленных на обкладках конденсаторов зарядов к моменту установления нулевого напряжения на выходе напряжения на конденсаторах Ci и С2 отличны от нуля. Поэтому на втором этапе происходит разрядка этих конденсаторов. Верхняя обкладка конденсатора Cf через насыщенный транзистор 7\ связана с нижней обкладкой конденсатора С2 и корпусом схемы. Конденсаторы Ci и С2 оказываются включенными параллельно; емкость, полученная при таком соединении конденсаторов Сс = Ct + Cz. Конденсатор Сс разряжается через резистор Ко- Так как коэффициент

дукции еь за счет чего в обмотке w5 наводится э. д. с. взаимоиндукции e-i отрицательной полярности относительно базы. Процесс уменьшения напряжения на базе и соответствующего возрастания коллекторного и базового токов носит лавинообразный характер и заканчивается насыщением транзистора. В этот момент формируется фронт генерируемого импульса, а так как его длительность мала, напряжение на конденсаторе практически не успевает измениться.

При выполнении вг):-о условия через базы транзисторов TL и Т2 протекает одинаковы;; ток /б E/iig. Он течет от источника питания --? через эмиттерный переход транзистора 7'2, резистор R$ и эыиттерный переход транзистора 7\ на корпус устройства. Транзисторы не насыщены, поэтому /к] = В1/б; /к2 = ^2/б-Транзисторы, работающие в активном режиме, обеспечивают большой коэффициент усиления каскадов как по току, так и по напряжению. Поэтому после замыкания цепи обратной связи после подключения конденсатора Сг в схеме неизбежно начнется лавинный процесс переключения транзисторов. Транзистор Т2 отпирается сильнее, его коллекторный ток увеличивается. Значительная часть этого тока -icpes конденсатор С\ втекает в цепь базы Тц вызывая отпирание этого трагз'ц-чора. Коллекторный ток транзистора 7\ также увеличивается, что вызыв ;ет < "сличение базового тока транзистора Тг и его дальнейшее отпирание. Процесс заканчивается насыщением транзисторов мультивибратора. Таким обра-зо'м, хотя ъ статическом режиме (при разомкнутой цепи обратной связи) тран-

Переключение заканчивается насыщением 7\ и запиранием Т2. Напряжение на выходе триггера U2 = E — /К02/?К2 л: ?. Напряжение

После того как напряжение на базе Т2 перейдет нулевой уровень, транзистор отпирается, появляется коллекторный ток, создающий положительное приращение напряжения на RK2, которое через конденсатор Сх передается на базу Тг, выводит этот транзистор из насыщения и вызывает его переход в активный режим. Коллекторный ток транзистора уменьшается, напряжение на коллекторе получает отрицательное приращение, которое с коллектора 7\ через конденсатор С\ передается на базу Ts, вызывая его дальнейшее отпирание. Процесс переключения транзисторов развивается лавинообразно и заканчивается насыщением транзистора Т2. За это время напряжение на обкладках С1 практически не изменяется, остается близким к Е (минус на правой, плюс — на левой обкладке конденсатора). Через насыщенный транзистор Т2 правая обкладка конденсатора оказывается связанной с корпусом, а левая обкладка по-прежнему соединена с базой 7\ и положительное напряжение на ней запирает транзистор Тг. Мультивибратор перешел во второе квазиустойчивое состояние равновесия. В этом состоянии транзистор Т1 заперт, транзистор Т„ насыщен, конденсатор Сг разряжается через R6i на источник питания—Е, конденсатор С2 заряжается от источника питания —? через RK1 и эмиттерный переход насыщенного транзистора Т2.

Будем считать, что выполнение условия (5.24) обеспечено. Тогда процесс переключения, вызванный действием запускающего импульса, заканчивается насыщением транзистора Т, после чего участок «коллектор — эмиттер» можно представить в виде короткозамкнутого отрезка цепи /С — Э. Нагрузкой базовой обмотки трансформатора является суммарное сопротивление R$ + r6n, где г6н — входное сопротивление насыщенного транзистора. При пересчете в коллекторную цепь R'6 = (Re-\-i'6n)/n2. Поскольку r6H<^R6, по-прежнему можно

После окончания прямого хода пилообразного напряжения начинается формирование обратного хода. Сначала конденсатор C = C1C2/(C1-j-C2) разряжается, как и в схеме 6.14, коллекторным током транзистора 7\. Этот первый этап заканчивается насыщением транзистора 7\. После насыщения напряжение на верхней (согласно 6.16) обкладке конденсатора С:1, а следовательно, и на выходе схемы близко к нулю. В силу неравенства емкостей конденсаторов, неодинаковых зарядных токов, а следовательно, и накопленных на обкладках конденсаторов зарядов к моменту установления нулевого напряжения на выходе напряжения на конденсаторах Сх и С2 отличны от нуля. Поэтому на втором этапе происходит разряд этих конденсаторов. Верхняя обклад-

1. В чем заключается преимущество представления чисел в двоичном коде?

По абсолютной величине ток базы /б всегда значительно меньше тока эмиттера. В этом заключается преимущество схемы ОЭ по сравнению со схемой ОБ, в которой входным является ток эмиттера. При UM = 0 входная характеристика соответствует прямой ветви вольтамперной характеристики эмиттерного л-р-перехода. Однако при UK9 < 0 эта характеристика смещается вправо вниз, потому что появляющийся при ?/кэ < 0 тепловой ток коллектора направлен навстречу току базы /б. Этим объясняется то, что входная характеристика, соответствующая UM = — 5 б ( 3.29), пересекает ось абсцисс при (76э = 0,12 в, когда ток базы /б равен по величине и противоположен по направлению тепловому току коллектора /Kg0. Очевидно,

Промежуточные TALT выбираются со значительными индукциями при срабатывании. При внешних КЗ и наличии в /Раб=/нб апериодической слагающей они глубоко насыщаются и плохо трансформируют в о>2раб.не только апериодическую слагающую, но и весь /Нб. Поэтому рассматриваемые TALT могут одновременно использоваться как для осуществления магнитного торможения, так и для отстройки от /нб, содержащих апериодические слагающие. В этом заключается преимущество магнитного торможения по сравнению с обычным.

13-80. В чем заключается преимущество дросселя насыщения^ 13-81. Откуда происходит название магнитный усилитель'? 13-82. Какую величину называют «коэффициентом усиления»? 13-83. На схеме ( 13-83) магнитный усилитель присоединен

7. В чем заключается преимущество трехфазной системы питания над однофазной?

12-13. В чем заключается преимущество трехфазного тока перед однофазным?

6-11. В чем заключается преимущество метода геометрических мест перед аналитическими методами?.

12-13. В чем заключается преимущество трехфазного тока перед однофазным?

18. В чем заключается преимущество избирательного измерения (измерения по «вызову») перед индивидуальным измерением?

3. В чем заключается преимущество передачи электроэнергии на большие расстояния постоянным током?

При нагреве сырых отходов (либо измельченных и отсепарированных) с помощью прямой или косвенной теплопередачи в восстановительной среде органические вещества, содержащиеся в отходах, подвергаются процессу пиролиза, превращаясь в кокс, газ и жидкое топливо. В зависимости от условий протекания реакции можно регулировать количественное соотношение получаемых конечных продуктов — газа и жидкого топлива. В процессе пиролиза выделяется газ, который нуждается в очистке. Металл, содержащийся в обугленном коксе, не окислен, благодаря чему его извлечение не сопровождается потерями; в этом заключается преимущество переработки кокса путем окисления и ошлакова-ния по сравнению со сжиганием отходов. Как и при сжигании, в процессе пиролиза происходит стерилизация конечных продуктов, но пиролиз, кроме того, способствует предварительной концентрации продуктов в виде кокса, что облегчает последующее их извлечение. Основные продукты реакции — газ и жидксе топливо — удобны для хранения и транспортировки.