Значительное повышение

При наличии нарушений пайки «петушков» у якоря машин постоянного тока имеет место значительное отклонение сопротивления постоянному току, измеренного между парой коллекторных пластин, от сопротивления остальных исправных пар.

При включении нагрузки гл в обмотке ротора протекает переменный ток /р, создающий пульсирующую м. д. с. Ff no оси обмотки ротора. Эта м. д. с. может быть разложена на две составляющие: по продольной оси (Fnp) и по поперечной оси (F,,). Пульсирующая м. д. с. продольной оси Fn^ уравновешивается м. д. с. обмотки статора подобно тому, как в трансформаторе м. д. с. вторичной обмотки уравновешивается м. д. с. первичной обмотки. М. д. с. поперечной оси Р„ остается неуравновешенной и создает пульсирующий магнитный поток поперечной оси Ф„. Этот переменный поток достаточно велик и индуктирует значительную э. д. с. в обмотке ротора, зависящую от угла а. Э. д. с. пропорциональна cos- а, так как Fn = Fp cos a, a м. д. с. по оси обмотки ротора Fa cos a = c/^cos2 а. Эта э. д. с. обусловливает значительное отклонение зависимости выходного напряжения от угла поворота при нагрузке от синусоидальной, и в таком случае вращающийся трансформатор не пригоден для воспроизведения гармонической функции. Заметим, что э. д. с., индуктированные в обмотках потоками рассеяния по продольной оси, очень невелики, как и сами потоки рассеяния.

ность зависимости их сопротивления от температуры ( 6-4) и значительное отклонение от образца к образцу как номинального значения сопротивления (более ±30%), нормируемого обычно при 20° С, так и характера зависимости сопротивления от температуры (отклонения значений температурного коэффициента достигают ± 5% и более). Это затрудняет получение линейных шкал термометров и обеспечение взаимозаменяемости термосопротивлений, необходимой при массовом производстве термометров с термосопротивлениями. Чтобы улучшить вид шкалы и обеспечить взаимозаменяемость, термосопротивление приходится включать в измерительную цепь Б виде комбинации с термонезависимыми сопротивлениями (манганиновыми, МЛТ, БЛП и т. д.). Подобную комбинацию термосопротивления с другими сопротивлениями, включаемыми для исправления его характеристики, будем называть корректированным термоэлементом.

довательно с другой обмоткой высшего напряжения, а к зажимам третьей обмотки присоединяют вольтметр электромагнитной системы. Регулирующий реостат гр необходим, если напряжение сети переменного тока А — X значительно превышает номинальное напряжение фазных обмоток трансформатора. Если включение двухполюсного автоматического выключателя вызовет значительное отклонение стрелки вольтметра, то зажим X окажется присоединенным к зажиму В, а если его. показания близки к нулю, то зажим X будет присоединен к зажиму Y. После определения начала В и конца Y второй обмотки высшего напряжения на ее место включают третью обмотку, а вольтметр присоединяют к зажимам В — К и находят зажимы С и Z. Также размечают зажимы Ъ — у и с — z обмоток низшего напряжения. После соединения размеченных фазных обмоток высшего и низшего напряжений звездой или треугольником приступают к определению группы соединения трехфазных обмоток трансформатора методом постоянного тока при помощи поляромера ( 111) — вольтметра магнитоэлектрической системы с нулем посредине шкалы и указанной полярностью его зажимов. Подключение аккумуляторной батареи к любым двум зажимам трехфазной обмотки высшего напряжения, например А — В, и соблюдении соответствующей полярности ( ПО) вызывает в момент замыкания кнопки Кн наведение в фазных обмотках низшего напряжения мгновенных э. д. с., величина и направление которых зависит от группы соединения обмоток трехфазного трансформатора. Поочередное присоединение соответствующих

ея МДС первичной обмотки. МДС по поперечной оси Fn остается неуравновешенной и создает пульсирующий магнитный поток по поперечной оси Фп. Этот переменный поток достаточно велик и индуктирует значительную ЭДС в обмотке ротора, зависящую от утла а. ЭДС пропорциональна cos2 а, так как Fn = Fpcosoi, а МДС по оси обмотки ротора Fncosa = c/pCos2a. Эта ЭДС обусловливает значительное отклонение зависимости выходного напряжения от угла поворота при нагрузке от синусоидальной, и в таком случае вращающийся трансформатор не пригоден для воспроизвздения гармонической функции. Заметим, что ЭДС, индуктированные в обмотках потоками рассеяния по продольной оси, очень невелики, как и сами потоки рассеяния.

Пленки из халькогенидных стекол. Группа веществ стеклообразного состояния, в состав которых в качестве окислителей входят Si, S и Те, получили название халькогенидных стекол. Наибольшей способностью к стеклообразованию обладают халькогениды фосфора и мышьяка, в состав которых входят таллий и германий. При этом их состав допускает значительное отклонение от стеклометрического. Они обладают высокой химической устойчивостью к воздействию воды, концентрированных и разбавленных кислот HF, HC1, СН8СООН и НМО3, но взаимодействуют с концентрированной HNO3. Введение германия повышает устойчивость этих стекол к азотной кислоте. По отношению к щелочам их химическая стойкость низка. Они реагируют с Си, Ag, Pb; химическое взаимодействие с Аи, Pt, A1, Та, Ti, Si, Сг, нихромом и силикатными материалами практически отсутствует. Введение германия понижает их реакционную способность к металлам.

тому, как в трансформаторе н.с. вторичной обмотки уравновешивается н.с. первичной обмотки. Н.с. Fn поперечной оси остается неуравновешенной и создает пульсирующий магнитный - поток поперечной оси Ф„. Этот переменный поток достаточно велик и индуктирует значительную э.д.с. в обмотке ротора, зависящую от угла а. Э.д.с. пропорциональна cos2a, так как Fn = Fpcosa, а н. с. по оси обмотки ротора Fncosa = c/pcos2a. Эта э.д.с. обусловливает значительное отклонение от синусоидальной зависимости выходного напряжения от угла поворота при нагрузке, и в таком виде вращающийся трансформатор не пригоден для воспроизведения гармонической функции. Заметим, что э.д.с., индуктированные в обмотках^ потоками рассеяния по продольной оси, очень невелики, как и сами потоки рассеяния."

Развитие теоретических исследований неравновесных газовых течений способствовало также появление быстродействующих вычислительных машин. Необходимость учета релаксационных явлений при расчете газовых течений обусловлена следующими причинами. В области высоких температур и давлений протекают различные химические реакции, процессы диссоциации, ионизации, возбуждения колебательных и электронных степеней свободы. Если времена этих процессов сравнимы с характерными временами макроскопических процессов, то происходит значительное отклонение от состояния термохимического равновесия, вызывающее в свою очередь существенное изменение картины течения. Нарушение локального термохимического равновесия при расширении диссоциированной смеси в ракетном сопле может привести к значительным потерям тяги. Недостаточно высокая скорость электронно-ионной рекомбинации в

Логан [300] использовал аналогичный метод для исследования влияния рекомбинации атомов на параметры течения в гиперзвуковой аэродинамической трубе. Им было предсказано значительное отклонение от состояния термохимического равновесия в соплах гиперзвуковых аэродинамических труб, имеющих высокую скорость охлаждения.

искривление линии вала или значительное отклонение зазора от принятой величины, должен быть заменен новым нужного р>азмера.

О неисправности механизмов реле можно судить и по некоторым электрическим величинам, характеризующим работу данного реле. Например, значительное отклонение (более 5—10%) величины срабатывания и возврата

случайный телеграфный сигнал, как показано на 7.1,6, Говорят, что такой сигнал симметричен, если среднее время длительности каждого из двух уровней ступени одинаково, и асимметричен, если имеет место значительное отклонение от такого условия. Взрывной шум представлен на 7.1 в масштабе, соответствующем обычно наблюдаемому в эксперименте.

Материал инструмента для УЗ-сварки должен обладать высокой износостойкостью, иметь незначительные акустические потери, малую склонность к адгезии с привариваемым материалом, высокую прочность, хорошую обрабатываемость. Наиболее полно этим требованиям удовлетворяют твердые сплавы на основе кар-. бида вольфрама. Инструмент из этого сплава выдерживает до 50000 сварок. Значительное повышение стойкости достигается химико-термической обработкой инструмента. Насыщение рабочей поверхности марганцем увеличивает стойкость инструмента в 2 раза, а нанесение покрытия из титана — в 3—4 раза.

Главное направление развития технологии СБИС — уменьшение размеров транзисторов. В 1982 г. в серийных СБИС достигнут минимальный размер транзистора 2 мкм и начат переход к технологиям, обеспечивающим размер транзистора в 1 мкм. Экспериментальные исследования, выполненные в 1981 г., подтвердили возможность создания работоспособных сверхбыстродействующих МОП-транзисторов с длиной канала 0,25 мкм. Наиболее перспективной технологией БИС и СБИС в 80-е годы, по-видимому, останется КМОП-технология, позволяющая получать приборы с минимальным потреблением энергии. Значительное повышение быстродействия логических элементов возможно благодаря разработке и освоению в производстве транзисторов на основе арсе-нид-галлиевых структур. В 1982 г. экспериментально исследованы транзисторы такого типа с временем переключения 20—30 пс.

Метод коммутации пакетов из-за небольших задержек при передаче сообщений не требует чрезмерного увеличения объема памяти центра коммутации и обеспечивает значительное повышение скорости передачи информации.

Кроме собственной активности водного теплоносителя (изотопы азота, кислорода, фтора и трития) и наведенной активности примесей, главным образом продуктов коррозии (изотопы кобальта, марганца, цинка, железа), учитывают значительное повышение активности воды реакторного контура за счет попадания в нее осколков деления ядерного горючего (криптон, ксенон, иод, цезий, стронций и др.). В этом случае активность теплоносителя может возрастать до 1 • 108 Бк/кг и более.

В начале 70-х годов появились первые ЭВМ четвертого поколения, характеризующиеся использованием средних (сотни вентилей на кристалле) и больших (тысячи вентилей на кристалле) интегральных схем. Для четвертого поколения ЭВМ характерно широкое применение полу-проводннковой памяти, расширенный набор команд, микропрограммирование, встроенные подпрограммы и автоматизация отладки программ, значительное повышение надежности, количественный рост и качественное разнообразие внешних устройств и каналов, наличие интерфейсов, расширение использования специализированных процессоров, создание многомашинных и мультипроцессорных вычислительных комплексов.

До утверждения стандартов, устанавливающих значения показателей для вновь разработанной и намечаемой к разработке продукции, к высшей категории качества должна относиться продукция, по технико-экономическим показателям находящаяся на уровне лучших мировых достижений или превосходящая их, обеспечивающая значительное повышение производительности труда, экономию материалов, топлива и электроэнергии, удовлетворяющая потребности населения страны, конкурентоспособная на внешнем рынке и отвечающая нормативно-техническим документам, по которым она выпускается.

Значительное повышение производительности измерений, высокую объективность считывания и регистрации данных обеспечивают приборы, имеющие цифровую индикацию исследуемых параметров и предусматривающие возможность регистрации данных на внешних самопишущих или цифропечатающих устройствах.

Несмотря на достигнутое за последнее время значительное повышение допустимого обратного напряжения на селеновых элементах, все же, при выпрямлении напряжений свыше нескольких десятков вольт, приходится соединять их последовательно. Это неудобство и малая допустимая плотность тока — существенные недостатки селеновых элементов.

Интегральные микросхемы обеспечили значительное повышение надежности устройств и приборов, выполненных на них, за счет сокращения числа элементов и соединений. Но с увеличением сложности интегральных микросхем и переходом к БИС надежность интегральной микросхемы как целого прибора принципиально ниже, чем надежность простого компонента. Интенсивность отказов современных ИС колеблется в пределах Ю-6—Ю-9 1/ч, приближаясь к уровню высоконадежных дискретных элементов.

На 4.18, в представлена простейшая мостовая несимметричная схема усилительного каскада. Здесь мост образован сопротивлениями R2, R3 (одна диагональ) и R1 и сопротивлением между коллектором и эмиттером (вторая диагональ). Сопротивление нагрузки включено между средними точками диагоналей. В отсутствие входного сигнала сопротивлениями делителя /?бь R(,2 выбирается рабочая точка транзистора так, чтобы потенциалы на выходе транзистора и сопротивлении R3 были одинаковы и ток через сопротивление нагрузки отсутствовал. Тогда при наличии входного сигнала изменяется ток через транзистор и появляется выходной ток в нагрузке. В такой схеме, используя термосопротивления в базовом делителе и в сопротивлениях моста, можно обеспечить значительное повышение стабильности. Однако, так как источники дрейфа в транзисторе и термосопротивлениях различны, требуется индивидуальная подгонка в каждой схеме, и даже при этих условиях термостабилизация реализуется в сравнительно узком диапазоне температур. При интегральной технологии появилась возможность изготовления весьма совершенных идентичных пар транзисторов, которые целесообразно использовать в симметричной мостовой схеме.

Оптическая вычислительная техника — это комплекс оптоэлектронных и оптических приборов, предназначенный для создания аналоговых или цифровых вычислительных устройств. Это направление считается очень перспективным, оно может обеспечить значительное повышение быстродействия. Пока такие устройства находятся в стадии лабораторных исследований.