Значением удельного

В результате операции сборки к ведущему полуфабрикату (плате) последовательно присоединяется п деталей. Обозначим их параметры до момента начала сборки t^t": для ведущего полуфабриката а/, а для ведомых «п, а,-2, ... ..., а;А. Операция сборки продолжается, если в необходимый момент времени имеется соответствующая деталь, в противном случае происходит срыв операции. В момент окончания сборки t^tK получаем сборочную единицу со значением выходного параметра П/. Каждая деталь, присоединяемая к ведущему полуфабрикату, подвергается проверке в течение времени тпр. Она с вероятностью Рбр может оказаться бракованной и в этом случае заменяется новой, качественной, если такая имеется. Операция сборки продолжается ограниченное время, так как режим перемещения сборочной единицы по ходу процесса является жестким. Если она не укладывается в установленную норму времени, то происходит срыв операции сборки. После окончания процесса и получения готового изделия, а также после случаев срыва операции переходят к сборке очередного изделия. Используемое для сборки оборудование подготавливается к операции в течение времени тг, которое может быть детерминированной или случайной величиной. Процесс исследуется до тех пор, пока соблюдается условие tjn
1) с регулируемым значением выходного напряжения — К142ЕН1 — К142ЕН4;

2) с фиксированным значением выходного напряжения — К142ЕН5;

Шунт характеризуется номинальным значением входного тока /ном и номинальным значением выходного напряжения f/ном- Их отношение определяет номинальное сопротивление шунта Rm = t/ном/Люм.

Выражение (4.37) представляет собой временную характеристику мгновенного значения динамической погрешности, определенного как разность между одновременно существующими значениями входного и приведенного ко входу выходного сигнала ( 4.4). Когда мгновенным значением выходного сигнала непосредственно не интересуются, динамическую погрешность определяют как разность между мгновенным значением сигнала X (t) и мгновенным значением совмещенного с ним по фазе сигнала х (t), т. е. воспроизведенного спустя время 4ап запаздывания выходного сигнала.

Из (10.2) можно установить зависимость между конструктивными параметрами, необходимым значением выходного компенсирующего

Максимальное выходное напряжение t/вых.макс определяется предельным значением выходного напряжения ОУ при оговоренном сопротивлении нагрузки и напряжении входного сигнала, не вызывающем в ОУ необратимых изменений. Его значение на 1...5 В ниже напряжения питания.

При расчете схемы триггера обычно располагают следующими исходными данными: требуемым значением выходного напряжения ^выхт или Т0ка /выхт (последний задается сравнительно редко), минимальным значением сопротивления суммарной нагрузки, характером и способом подключения нагрузки, требованиями к быстродействию и времени восстановления, диапазоном изменений температуры. Эти данные определяются условиями работы и функциональным назначением триггера.

Поскольку напряжение анодного питания лампового каскада велико (?а^>е0с). при подключении входной цепи лампы к источнику положительного напряжения с большим значением выходного сопротивления Явых^ск ( 3,52, а) падением напряжения на входе лампы UCK^^OC + 'VCK можно пренебречь, считая цск—*0. Действительно, с учетом эквивалентной схемы промежутка сетка —катод (см. 3.2, б) входную цепь можно привести к виду, показанному на 3.52, б. Отсюда

Обозначим максимальный выходной эффект системы через ?0, а вероятность состояния ее полной работоспособности - через Я0. Остальные 2"-1 состояний системы перенумеруем в порядке убывания выходного эффекта. Каждое fc-е состояние системы характеризуется своим значением выходного эффекта Ek и своей вероятностью появления Hk. При таких обозначениях среднее значение выходного эффекта системы равняется

в КМДП ИС согласование по току обеспечивается автоматически, хотя для повышения быстродействия может оказаться полезным использование источника сигнала с увеличенным значением выходного тока. В то же время согласование по напряжению может потребоваться даже при одинаковых напряжениях питания ТТЛ и КМДП ИС. Это видно из 10.1, где минимальный выходной уровень ТТЛ ИС в сост. лог. 1, равный 2,4 В, оказывается меньше минимально допустимого уровня в сост. лог. 1 на входе КМДП ИС, равного 3,5 В.

Для обеспечения точности преобразования особое значение имеет правильный выбор диодов D. Необходимо, чтобы эти диоды обеспечивали большой и стабильный коэффициент выпрямления. Прямое сопротивление диодов включено последовательно с сопротивлением нагрузки, ввиду чего нестабильность прямого сопротивления диодов оказывает такое же влияние, как и нестабильность сопротивления нагрузки. Также необходимо учитывать и то, что ток, протекающий через диоды в обратном направлении (обратный ток), вычитается из выходного тока; поэтому обратный ток должен иметь такую величину, которой можно было бы пренебречь по сравнению со значением выходного тока, в особенности в случае датчиков-преобразователей тока. Электронные лампы и в какой-то мере кремниевые выпрямители в достаточной степени удовлетворяют этим требованиям.

Влияние неоднородности удельного сопротивления образца. Практически любой полупроводниковый образец обладает некоторой неоднородностью в распределении удельного сопротивления. Измеренное на неоднородном образце значение удельного сопротивления характеризуется эффективным удельным сопротивлением рэф и представляет собой значение, усредненное по некоторой области образца. Интерпретация результатов измерений эффективного удельного сопротивления «а неоднородном образце, т. е. нахождение соотношения между эффективным и действительным или средним значением удельного сопротивления, предполагает знание конкретной функции р(х, у, г) и требует выполнения соответствующих теоретических расчетов. Решение этой задачи в аналитической форме возмож'но для простых одномерных случаев: линейного, экспоненциального и периодического распределения удельного сопротивления. В ряде практически важных случаев для образцов с одномерной неоднородностью, а именно: для диффузионных, эпи-таксиальных и ионно-легированных слоев, распределение удельного сопротивления по толщине слоя измеряют с помощью последовательного удаления слоев (см. § 1.4).

Четырехзондовый метод применяют для измерения удельного сопротивления тонких слоев на подложках, отличающихся от слоя значением удельного сопротивления или типе м электропроводности. Обычно проводят измерения не только поверхностного сопротивления, характеризующего слой в целом, нз и распределение удельного сопротивления по толщине слоя, которое непосредственно связано с характером распределения легирующей примеси, т. е. профилем легирования. В наиболее простом случае слой расположен на изолирующей или высокоомной подложке. Примером такой структуры может служить слой кремния на сапфировой подложке, т. е. структура КНС. >Если слой имеет противоположный по сравнению с подложкой тип электропроводное- -и, то образующийся на границе между ними р-л-переход изолирует слой и подложку друг от друга. Тем не менее при измерении слоев, изолированных /э-л-переходом, возникает ряд трудностей.

Благодаря неизбежному увлажнению, окислению, загрязнению и т. п. поверхностных слоев электрической изоляции у твердых диэлектриков создается заметная поверхностная электропроводность, поэтому твердый диэлектрик характеризуется значением удельного поверхностного сопротивления р,.

Тепловая экономичность КЭС характеризуется значениями КПД, удельного расхода теплоты и условного топлива или значением удельного расхода ядерного топлива на АЭС. При этом на обычных ТЭС удельный расход условного топлива является основным показателем.

Основой однопервходного транзистора ( 61, а) является монокристаллическая пластина кремния л-типа с высоким значением удельного сопротивления, называемая базой; на концах ее расположены омические контакты Б1 и Б2, а на боковой стороне— один эмиттерный р—n-переход, связанный с внешним выводом эмиттера Э. Участки баз кристалла имеют длину 1\ и /2 (обычно /2>/i). Схема включения однопереходного транзистора показана на 61, б. К выводам баз Б1 и Б2 подключается напряжение питания С/Бш2.

материалы с резко изменяющимся значением удельного сопротивления ( 9.2, а);

В отдельных случаях может оказаться целесообразным найти такое значение удельного ущерба, при котором варианты с различной степенью надежности имели бы одинаковые расчетные затраты. Тогда, сопоставляя действительный удельный ущерб для данного предприятия с найденным граничным значением удельного ущерба, можно выбрать экономически целесообразный вариант. 26* 403

Карбид кремния SiC — один из перспективных материалов для таких областей техники, как опто-, силовая и СВЧ-электроника. Этот материал обладает высокими механической твердостью и прочностью, химико-термической и радиационной стойкостью. Имеется возможность просто управлять типом его электропроводности и значением удельного сопротивления. Из него можно создавать устройства и приборы, способные функционировать в экстремальных условиях.

Это означает, что вся совокупность состояний газа, образующих такой процесс, характеризуется одним и тем же значением удельного объема газа.

Янтарь — ископаемая смола растений с температурой плавления выше 300 °С; не растворяется почти ни в каких растворителях, растворяется после расплавления в скипидаре, сероуглероде, бензине, маслах. Янтарь — слабополярный диэлектрик с высоким значением удельного сопротивления ps = 10" Ом, которое мало за-„иисит.от влажности. Применяется ограниченно из-за дороговизны, главным образом в электроизмерительных приборах, в которых требуется высокое значение сопротивления изоляции.

Однопереходный транзистор ( 7.26, а) представляет собой монокристаллическую пластинку кремния я-типа с высоким значением удельного сопротивления, на концах которой расположены омические контакты баз Б1 и Б2, а на боковой стороне — один эмиттерный р-п переход. Участки кристалла длиной /j и /2 (обычно /j < /2) выполняют функции баз прибора. Эмиттерный контакт связи с внешним выводом эмиттера Э.