Значениях параметра

При малых значениях отношения ш/s функция f(w/s) функции f(w/s) приведены в табл. 1.5.

В этом и следующем параграфах будем рассматривать режимы в однородно^ линии при различных значениях сопротивления приемника, т. е. при различных значениях отношения 02 к /2. В этом случае целесообразнее вести счет расстояний от конца линии, для чего во !>сех ранее использованных уравнениях достаточно заменить х на / — к. При этом х = 0 будет .относиться к концу линии, а х — I — к началу линии. В § 16-3 при счете расстояний от начала линий мы получили выражения для напряжения и тока в любой точке линии IB виде

Эксперименты показывают, что функция F (U$/UK) ( 3-11) в первом приближении является универсальной для всех видов погоды и конструкций линий, причем разбросы имеют место главным образом при малых значениях отношения ?/фШк (на графике зона разбросов экспериментальных значений заштрихована).

Типовые кривые /B,t,r'//n,o,r =/(0 ПРИ разных значениях отношения 4,о,г//ном приведены на 3.26.

В этом случае уравнение частотной характеристики имеет более высокую степень и последовательная коррекция может дать больший выигрыш в усилении или полосе усиливаемых частот, чем параллельная коррекция. Однако получение монотонной частотной характеристики (характеристики без подъёмов и провалов) здесь возможно лишь при C2=3Ci, что ограничивает применимость схемы. Переходная характеристика с небольшим выбросом (6=1,5%) и малым нормированным временем установления (ху = 1,23) получается при С2=4,71 С\. При других значениях отношения C2/Ci характеристики оказываются менее благоприятными [ЛИ, стр. 141 — 145].

Согласно теории кристаллизации [IV.3] процессом зарождения и роста кристаллов можно управлять путем изменения тепловых условий затвердевания (градиента температур в зоне затвердевания G и скорости кристаллизации v). При определенных значениях отношения G/v для данного состава сплава могут возникнуть условия, благоприятные для роста столбчатых кристаллов. При этом необходимо, чтобы значения G и v в процессе кристаллизации оставались постоянными, а направление температурного градиента совпадало с направлением кристаллизации. С этой точки зрения плавка обеспечивает подходящие условия для получения в отливках столбчатой кристаллической структуры и может явиться одним из способов улучшений свойств постоянных магнитов из сплавов системы.

При плавках на частоте 800 кгц и значениях отношения более 38-103 град-сек-см''2' и значениях G более 90 град/см наблюдалось' некоторое удлинение кристаллов; длина их не превышала 20—25 мм, поперечный размер зерен был меньше 0,5 мм, направление роста кристаллов беспорядочное. Это явление можно объяснить наличием в рассматриваемом случае более интенсивного перемешивания расплава при любых значениях, G и отношения G/v по сравнению со случаем использования частоты 5,28 Мгц, приводящего к увеличению числа центров кристаллизации и, как следствие, к измельчению зерен. Таким образом, частота 880 кгц оказалась практически неприемлемой для получения столбчатой структуры. Увеличение частоты более чем 5,28 Мгц с целью дальнейшего снижения интенсивности перемешивания расплава нецелесообразно из-за ухудшения пробивной прочности элементов генератора.

При малых значениях отношения

В этом случае уравнение частотной характеристики имеет более высокую степень и последовательная коррекция может дать больший выигрыш в усилении или полосе усиливаемых частот, чем параллельная коррекция. Однако получение монотонной частотной характеристики (характеристики без подъёмов и провалов) здесь возможно лишь при С2 = ЗСЬ что ограничивает применимость схемы. Переходная характеристика с небольшим выбросом (6=1,5%) и малым нормированным временем установления (*у=1,23) получается при С2 = 4,71С. При других значениях отношения С2/С, характеристики оказываются менее благоприятными [ЛИ, стр. 141—145].

Таблица 1.1. Значения показателя п в уравнении (1.8) при различных значениях отношения Vw[\Jii

Деминерализация смешанным слоем ионитов при низких концентрациях исходного раствора была исследована для ядерных применений Марийским и Поттером [10]. Они получили результаты, в общем соответствующие уравнениям (7.8) и (7.9), в частности, при высоких значениях (С/С0). При низких значениях отношения F/kL, которые обычно не используются, было отмечено фракционирование примесей исходного раствора.

а — входной сигнал; б — временнйе диаграммы напряжения на конденсаторе при различных значениях параметра РТ

На 8.8,6 изображен ряд кривых, построенных по формулам (8.48) и (8.49) при различных значениях параметра рт. Следует обратить внимание на то, что из-за инерционных свойств /?С-цепи происходит сглаживание импульса, а также задержка его во времени по отношению ко входному импульсному колебанию.

4. При быстро вращающемся вале (3000—20000 об/мин) максимальные коэффициенты грузоподъемности можно получить при значениях параметра настройки f гораздо меньшей величины. Однако при слишком малом значении параметра настройки 0,ОКГ<0,5, в расширяющейся части зазора (по направлению вращения вала) появляется зона отрицательных давлений. Это приводит к выделению газов из рабочей жидкости и может вызвать значительное снижение грузоподъемности (из-за изменения

Подставляя (2.240), (2.241) при конечных числах и в исходные уравнения и приравнивая коэффициенты при одинаковых степенях t, получаем формулы для коэффициентов разложений а„ и Ь„ и находим i(t) и T(i) с требуемой точностью. В [2.11] такая задача решена для случая U(t)= U0 = = const, т. е. при запитке ИН от источника с постоянным напряжением. На 2.32 приведены кривые зависимости относительно тока i^ = i/I0 от относительного времени ft = ?/T0, где I0 = U0/R0 и r0 — L/R0 при различных значениях параметра

Графики зависимости концентрации примеси на поверхности диффузионного слоя от средней проводимости слоя, рассчитанные по (1.20) и (1.21) при различных значениях параметра y\jw и фиксированных значениях концентрации Na, нашли широкое применение при обработке результатов измерений на диффузионных слоях. Эти зависимости называют эмпирическими кривыми Ирвина.

слойной моделью или однослойной аппроксимацией (см. 1.11), построена кривая на 1.12. На графике 1.12 показана зависимость 4/-0а,#„ от отношения wlr0 при различных значениях параметра fc= (a,—а2)/(о-1+сг2), где 0, —измеряемая величина; а2 — удельная проводимость подложки, т. е. известная величина. По существу, на 1.12 представлена поправочная функция f(k, w/r0),

1.12. Зависимость 4r0Oi/?H от ш/г0 при различных значениях параметра &=(ai—a2)/(i

С помощью (6.41) можно рассчитать теоретическую зависимость коэффициента отражения от со/шр для различных полупроводниковых материалов при различных значениях параметра d=coP/T. Теоретические зависимости для разных полупроводников отличаются значениями BL- для германия tL=16; для кремния еь = П,7; для арсенида галлия ег,= 10,8, для фосфида галлия еь=8,5, для сульфида кадмия ei, = 5,0 Теоретические зависимости можно сравнивать с экспериментальными и по степени их совпадения судить о применшости теории в целом.

ется поведение системы при трех значениях кванта обслуживания Д = б; А = 3б и Л = 5б для случая 6 = 1 и при трех значениях параметра входного потока запросов А,=0,3;Я = 0,{)И А, = 0,8.

Кривые ( 15.15, б), построенные по формуле (15.20), являются характеристиками управляемого нелинейного элемента при значениях параметра i/0/a = 0,50,

Уравнение (9-36) можно решить только 'Приближенно. В следующем параграфе рассмотрен приближенный аналитический метод решения, наиболее пригодный при •сравнительно малых значениях параметра