Значениях обратного

На участке be, соответствующем значительному насыщению ферромагнитного материала, увеличение напряженности приводит лишь к весьма малым приращениям магнитной индукции. Последняя возрастает на этом участке примерно в той же степени, что и в случае катушки без ферромагнитного магнитопровода (прямая 4 на 6.6). Хотя при любых значениях напряженности ферромагнитного материала Ц„>Ио и Цг>!. ПРИ #->=с Ц„-*Мо и Иг-1-

Если, достигнув насыщения, начать плавно уменьшать постоянный ток в обмотке, т. е. уменьшать напряженность поля (7.3), то индукция также начнет уменьшаться. Однако зависимость В (Н) уже не совпадает с кривой первоначального намагничивания. Изменив направление тока в обмотке и увеличив его значение, получим новый участок зависимости В(Н). При значительных отрицательных значениях напряженности магнитного поля снова наступит техническое насыщение ферромагнитного материала. Если теперь продолжить эксперимент: сначала уменьшать ток обратного направления, затем увеличивать ток прямого направления- до насыщения и т. д., то после нескольких циклов перемаг-ничивания для зависимости В(Щ будет получена симметричная кривая ( 7.5, сплошная линия). Этот замкнутый цикл В (Н) называется предельной статической петлей гистерезиза (или предельным статическим циклом гистерезиса) ферромагнитного материала. Если во время симметричного перемагничивания область технического насыщения не достигается, то симметричная кривая В (Н) называется симметричной частной петлей гистерезиса ферромагнитного материала.

Решение. В отличие от задач 3.1 — 3.5 для решения данной задачи используем кривые намагничивания, полученные в действующих значениях напряженности переменного поля.

при различных значениях напряженности переменно? поля.

1 Основная кривая намагничивания — кривая, представляющая собой геометрическое место вершин симметричных петель гистерезиса, получающихся при различных максимальных значениях напряженности магнитного поля (ТТЭ).

Кроме того, важным параметром является магнитная энергия, которая может быть получена в рабочем зазоре магнитной системы прибора. Она пропорциональна произведению НСВГ и становится максимальной при некоторых значениях напряженности поля

Если, достигнув насышенци, начать плавно уменьшать постоянный ток в обмотке, т. е. уменьшать напряженность поля (7.3), то индукция также начнет уменьшаться. Однако зависимость В (Я) уже не совпадает с кривой первоначального намагничивания. Изменив направление тока в обмотке и увеличив его значение, получим новый участок зависимости В(Н). При значительных отрицательных значениях напряженности магнитного поля снова наступит техническое насыщение ферромагнитного материала. Если теперь продолжить эксперимент: сначала уменьшать ток обратного направления, затем увеличивать ток прямого направления до насыщения и т. д., то после нескольких циклов перемаг-ничивания для зависимости В(Н) будет получена симметричная кривая ( 7.5, сплошная линии). Этот замкнутый цикл В (Я) называется предельной статической нетлей гистерезиэа (или предельным статическим циклом гистерезиса), ферромагнитного материала. Если во время симметричного перемагничивания область технического насыщения не достигается, то симметричная кривая В (Я) называется симметричной частной петлей гистерезиса ферромагнитного материала.

Если, достигнув насыщения, начать плавно уменьшать постоянный ток в обмотке, т. е. уменьшать напряженность поля (7.3), то индукция также начнет уменьшаться. Однако зависимость В (Я) уже не совпадает с кривой первоначального намагничивания. Изменив направление тока в обмотке и увеличив его значение, получим новый участок зависимости В (Я). При значительных отрицательных значениях напряженности магнитного поля снова наступит техническое насыщение ферромагнитного материала. Если теперь продолжить эксперимент: сначала уменьшать ток обратного направления, затем увеличивать ток прямого направления до насыщения и т. д., то после нескольких циклов перемаг-ничивания для зависимости В (Я) будет получена симметричная кривая ( 7.5, сплошная линия). Этот замкнутый цикл В (Я) называется предельной статической петлей гистерезиза (или предельным статическим циклом гистерезиса) ферромагнитного материала. Если во время симметричного перемагничивания область технического насыщения не достигается, то симметричная кривая В(Н) называется симметричной частной петлей гистерезиса ферромагнитного материала.

Выражение (2.4) справедливо при значениях напряженности поля ?, не превышающих некоторое критическое значение ?„5, т. е. при ? <: ?кр, при которых подвижности носителей заряда не зависят от напряженности электрического поля и остаются постоянными. При ? >• > ?кр носители заряда приобретают за время свободного пробега между столкновениями дрейфовую составляющую скорости, сравнимую со скоростью теплового движения и. При этом происходит насыщение скорости дрейфа, она перестает возрастать вследствие увеличения числа столкновений в единицу времени. Поэтому при ?>?кр с ростом напряженности подвижность уменьшается, эта зависимость выражается эмпирической формулой

Выражение (3.31) справедливо при значениях напряженности поля Е, не превышающих некоторое критическое значение Екр> т. е. при Е<Екр, при которых подвижности носителей заряда не зависят от напряженности электрического поля и остаются постоянными. При Е>Екр носители заряда приобретают за время свободного пробега между столкновениями дрейфовую составляющую скорости, сравнимую со скоростью теплового движения и. При этом проис'хо-дит насыщение скорости дрейфа, она перестает возрастать вследствие увеличения числа столкновений в единицу времени. Поэтому при Е>Е^, с ростом напряженности подвижность уменьшается, эта зависимость выражается эмпирической формулой ___

Удельная проводимость воздуха в слабых полях составляет около 10"5 См/м. Из формулы (4.26) видно, что при малых значениях напряженности внешнего электрического поля, когда Np, а, ц+ и ji. можно считать постоянными, плотность тока в газе прямо пропорциональна напряженности приложенного поля, т.е. в этих условиях соблюдается закон Ома (участок ОА на 4.10). Однако при дальнейшем возрастании напряженности поля закон Ома уже не

Стабилитроны, называемые также опорными диодами, предназначены для стабилизации напряжения. В этих диодах используется явление неразрушающего электрического пробоя (лавинного пробоя) р-п перехода при определенных значениях обратного напряжения t/o6 = f/n об ( 10.13, а). На 10.13, б приведена простейшая схема стабили-

Стабилитроны, называемые также опорными диодами, предназначены для стабилизации напряжения. В этих диодах используется явление неразрушающего электрического пробоя (лавинного пробоя) р-п перехода при определенных значениях обратного напряжения UQQ — Un-0$ ( 10.13, а). На 10.13, б приведена простейшая схема стабили-

I, называемые также опорными диодами, предназначе-зации напряжения. В этих диодах используется явление о электрического пробоя (лавинного пробоя) р-п пере-еленных значениях обратного напряжения t/, = Цроб

коэффициент перекрытия по емкости Kg, представляющий собой отношение емкостей варикапа Св при двух значениях обратного напряжения: С/обр = 1^-4 В и Uo6f> = Цэбртах- Коэффициент Кс определяется зависимостью СВ от U0Qp и для большинства варикапов равен 2—6. Специальным распределением легирующей примеси в области р-л-пере-хода получают варикапы с резкой зависимостью емкости от напряжения и большим перекрытием по емкости (Кс до 18);

значениях обратного тока транзистора, в том числе и в случае /К0 = = /котах» что соответствует максимальной рабочей температуре устройства. Тогда

Заряды разных знаков, уходящие к электродам в разных направлениях, создают в приборе и содержащей его цепи ток, называемый обратным. Нормально обратный ток мал; его значение в газотронах, изготовляемых на средние напряжения до 3—5 кВ, не превосходит обычно 10~3—10~7 прямого тока. Разряд, связанный с обратным током, может учитываться как несамостоятельный. Его положительный эффект заключается в ускорении деионизации, его отрицательный эффект при ограниченных значениях обратных" напряжений сводится лишь к распылению анода в процессе бомбардировки его ионами. При больших значениях обратного напряжения иь и особенно при повышенной плотности (давлении) газа в приборе отрицательное действие несамостоятельного разряда обратного тока сводится, кроме распыления анода и других деталей прибора, еще и к тому, что несамостоятельный разряд, созданный остаточными зарядами, может перерасти в самостоятельный дуговой разряд с интенсивным источником электронов — «катодным пятном» на отрицательном аноде ( 3-32, а).

3-33. Кривые обратного тока при разных значениях обратного напряжения (а), кривые вероятности обратных зажиганий в функции плотности тока и при разных обратных напряжениях (б).

высоком (большем 1—2 кВ) значениях обратного напряжения. Такие осциллограммы при круто нарастающей кривой обратного напряжения приведены на 3-33,а (кривые над осью абсцисс). Они снимались у газотрона, заполненного ртутными парами, обеспечивающими благодаря низкому давлению пара 0,25 Па (2 • 10~3 мм рт. ст.) быстрый процесс деионизацйи междуэлектродного промежутка. С ростом обратного напряжения амплитуда обратного тока (кривые под осью абсцисс) растет, а продолжительность его (при одном и том же значении прямого тока) уменьшается. При высоком и быстро нарастающем обратном напряжении иь обратный ток ib после крутого его нарастания быстро спадает.

При неблагоприятных обстоятельствах, заключающихся в: а) недопустимо больших значениях обратного напряжения uh; б) повышенных значениях плотности ртутного пара; в) плохом вакууме и, наконец, г) наличии загрязнений на поверхности анода, обратный ток может возрасти,

Рост числа вновь создаваемых зарядов в процессе ионизации электронами молекул пара показывают при разных значениях обратного напряжения в функции давления пара р кривые, приведенные на 4-47, а.

В отрицательный полупериод переменного напряжения, подводимого к диоду, ток через лампу не течет и все напряжение (обратное) оказывается приложенным между анодом и катодом лампы. При значениях обратного напряжения, • превышающих предельно допускаемые, возможен электрический пробой изоляции между выводами анода и катода или пробой междуэлектродного промежутка.