Значениях активного

ции рентгеновских лучей на кристаллической решетке. Максимум интенсивности дифрагировавших рентгеновских волн соответствует направлению, определяемому законами' зеркального отражения. Условие же взаимного усиления волн, отраженных от разных кристаллографических плоскостей {h, k, I}, записывается в виде соотношения Вульфа—Брэгга:

называется симметричной относительно оси абсцисс (рис, 5.4), Иными словами, функция симметрична относительно оси абсцисс, если ее двум абсциссам, отличающимся на полпериода Т/2, соответствуют равные, но разные по знаку ординаты. Кривая обладает свойством симметрии относительно оси абсцисс в том случае, если в результате смещения ее положительной полуволны по оси на полпериода, т. е. на Г/2, и зеркального отражения относительно оси t получается изображение отрицательной полуволны.

Кривую u(t — т) как функцию t можно получить из кривой и (t) путем зеркального отражения относительно оси ординат и сдвига вправо на величину t. При t = t1

Таким образом, для любого значения s вектор — /? обратно пропорционален по величине комплексу Z,, и расположен в направлении зеркального отражения комплекса Zn относительно Оси вещественных. При передвижении на 26-2 точки D' вверх г„ увеличивается и ос уменьшается, вследствие чего вектор —/а уменьшается и поворачивается в сторону оси +1. При- этом конец вектора — 1\ описывает кривую DO ( 26-2). При передвижении точки D' на 26-2 вниз конец вектора —1^ описывает кривую DCBAO.

Таким образом, для любого значения s вектор —Ц обратно пропорционален по величине комплексу Zn и расположен в направлении зеркального отражения комплекса Z,, относительно оси вещественных. При передвижении на 26-2 точки D' вверх гп увеличивается и а уменьшается, вследствие чего вектор —1% уменьшается и поворачивается в сторону оси +1. При этом конец вектора —1\ описывает кривую DO ( 26-2). При передвижении точки D' на 26-2 вниз конец вектора —1\ описывает кривую DCBAO.

Шероховатости (микронеровности) образуют микрорельеф отражающей поверхности, на котором может происходить дифракция солнечного излучения, приводящая к его частичному рассеянию при отражении. В рамках фотометрического описания рассматриваемого процесса влияние микронеровностей можно учесть соответствующим заданием индикатрисы силы излучения в отраженном пучке. Поскольку в системах КСИ отражение является преимущественно зеркальным, ось пучка, отраженного элементарной площадкой, будет направлена зеркально по отношению к оси падающего, но индикатриса силы излучения в отраженном пучке может отличаться от индикатрисы падающего пучка солнечных лучей за счет рассеяния на микрорельефе. Указанные свойства отраженного пучка математически описываются соотношениями закона зеркального отражения

1. Графоаналитический метод определения энергетических характеристик концентрирующих систем основан на геометрических построениях, которые позволяют определить отображение на приемнике пучка лучей, отраженных элементарной площадкой зеркала. При этом используется закон зеркального отражения и рассматривается либо параллельный пучок лучей, либо расходящийся с угловым размером ср0 ^ срс- Распределение излучения в пучке по направлениям принимается равномерным, а при необходимости учета неравномерности распределения отраженный пучок разделяют на ряд элементарных пучков с равномерным распределением. Глобальная геометрия зеркала задается обычно в виде идеальной математической поверхности определенной конфигурации. Анализ полученных при отслеживании распространения пучка геометрических фигур дает возможность выразить размеры элементарной площадки зеркала и отображения пучка на приемнике через одни и те же характерные параметры концентрирующей системы и найти их соотношение, определяющее элементарный геометрический коэффициент концентрации. Интегрирование последнего по всей отражающей поверхности позволяет определить среднее или локальное значение этого коэффициента на приемнике.

пучков, каждый из которых аппроксимируется лучом 1С, переносящим всю энергию' пучка. Все лучи параллельны между собой и распространяются в направлении, заданном в системе координат, свя-ванной с отражающей поверхностью. В результате совместного решения уравнений луча IG и поверхности зеркала Fv (x, у, z)=0 определяется точка их пересечения, вычисляются компоненты вектора нормали к идеальной поверхности в этой точке п"д и с использованием заданных или моделируемых в процессе расчета функций распределения !\^к=^^к(х, у, г) и Ьчк = Ь.чк(х, у, z) определяется нормаль к реальной поверхности пк (см. уравнения (4. 12)—(4. 15)). После этого на основе решения уравнений закона зеркального отражения (4. 16) определяются компоненты вектора отраженного луча 1К, исходящего из той же точки. Процедура повторяется для всех отражающих поверхностей до тех пор, пока луч не попадет на приемник. В точке падения определяется угол между лучом и нормалью к поверхности приемника (угол падения &„), который наряду с коэффициентом отражения RC должен учитываться при определении энергетического вклада луча в облученность элемента приемника в окрестностях данной точки. Полная облученность этого элемента (или локальный коэффициент концентрации) определяется путем суммирования вкладов всех попавших на него лучей. С целью повышения эффективности вычислительного процесса расчет ведется сразу для всего приемника, предварительно разделенного на элементарные участки. В результате каждый распространяющийся в системе луч: попадает на какой-нибудь участок и его вклад запоминается для последующего суммирования.

При графоаналитическом синтезе задаются размеры и положение приемника и направление потока солнечного излучения. Далее, используя однолучевое приближение или с учетом углового размера отраженного пучка лучей на основе закона зеркального отражения

Отражение света классифицируют по характеру границы раздел® сред. Если поверхность раздела имеет неровности, размеры которых значительно меньше длины волны Я, то говорят о правильном, ил» зеркальном, отражении. Если размеры неровностей сравнимы с %, то возможны диффузное и диффузно-направленное отражения. Простейшим случаем зеркального отражения является отражение от бесконечной плоской границы раздела между двумя однородными средами, так называемое френелевское отражение. Отраженный луч находится в плоскости падения, проходящей через падающий луч и? нормаль к границе раздела сред. Угол падения равен углу отражения, а амплитуда и фаза отраженной волны существенно зависят от свойств сред, поляризации волны, угла отражения и описываются-формулами Френеля.

В случае направленного (зеркального) отражения от плоской поверхности величина телесного угла, в пределах

Изменить эти коэффициенты следует согласно тому, какое предполагается изменение активных сопротивлений обмоток статора и ротора в отдельности или вместе. Расчеты показали, что при увеличении активного сопротивления обмотки статора затухание электромагнитных процессов происходит быстрее, влияние их на электромеханические переходные процессы уменьшается. Это приводит к уменьшению пульсаций в кривой момента и более плавному нарастанию частоты вращения. При малых значениях активного сопротивления обмотки ротора и пуске АД без нагрузки наблюда-

при переменном значении угловой частоты приложенной внешней э. д. с. Максимум действующего значения тока наступает при а>=а>о. Максимум проявляется более резко при меньших значениях активного сопротивления г. При малом затухании d= — говорят, что

2. Включить цепь, установить необходимое напряжение. При двух- и трех различных значениях активного

2. Включить цепь, установить .необходимое напряжение. При двух-трех различных значениях активного сопротивления измерить силу тока и активную мощность цепи.

При малых значениях активного сопротивления намагничивающей цепи практически обеспечивается режим синусоидальной индукции, напряженность магнитного поля при этом будет несинусоидальной. В этом случае амплитудное значение эквивалентной синусоиды напряженности поля, определяемое по формуле

2. Включить цепь, установить необходимое напряжение. При двух — трех различных значениях активного сопротивления измерить силу тока, напряжение и активную мощность цепи. Результаты записать в табл. 2.63.

2. Включить цепь, установить необходимое напряжение. При двух-трех различных значениях активного сопротивления измерить силу тока и активную мощность цепи.

1-24. Зависимость вращающего момента асинхронной машины от скольжения при различных значениях активного сопротивления цепи ротора.

На 1-24 представлены зависимости М = f (s) при х2 = const и разных значениях активного сопротивления ротора г2. Подробно теория асинхронной машины изложена в третьем разделе.

На 13-6 представлены зависимости М = /(s) при х% = const и разных значениях активного сопротивления ротора:

На 13-6 представлены зависимости М — /(s) при х2 = const и разных значениях активного сопротивления ротора: