Зависимости приведены

Экспериментальные исходные величины и зависимости позволяют с достаточной степенью точности исследовать поведение механизма в различных условиях. Исходные зависимости, найденные расчетным путем, целесообразно использовать при проектировании и исследовании нового аппарата либо когда опытные зависимости трудно получить вследствие сложности постановки эксперимента или по другим причинам.

Таким образом, полученные зависимости позволяют провести замену трехфазной машины эквивалентной двухфазной.

Сложившаяся ситуация побудила инженеров, занятых вначале гидравликой и впоследствии прикладной аэромеханикой, изыскивать эмпирические законы сопротивления. К настоящему времени накоплен богатейший материал по исследованиям сопротивления жидкостей и газов в самых разнообразных условиях, в том числе при движении в каналах электрических машин. Полученные из опыта зависимости позволяют с большой степенью достоверности производить расчет весьма сложных машин и аппаратов.

Указанные зависимости позволяют определить требования к точности автоподстройки и калибровки. При отношении мощности сигнала к дисперсии помехи Pc/o2n—(\Q~2-±-\Q~3) стабильность коэффициента усиления и уровня помех должна составлять (10-3-г-10-4). Поскольку при действии помехи типа «белый шум» допустимая мощность помехи

На 15.3 приведены кривые спектральной светимости абсолютно черного тела для различных температур. Максимальное значение спектральной светимости для данной температуры ^тах = 1,301 • 10~J К5 и приходится на длину волны Я,тах = 2886/6 мкм, а его интегральная светимость R* = 5,67 • 10~8 в4. Приведенные фундаментальные зависимости позволяют использовать оптические методы для бесконтактного измерения температуры абсолютно черного тела, а при известном коэффициенте поглощения тела ах также для измерения температуры любого реального тела, так как согласно закону Кирхгофа спектральная светимость любого тела

Приведенные зависимости позволяют наглядно проиллюстрировать работу ПЗС с помощью гидродинамической модели ( 11.4, а—в). В этой модели потенциальная яма отождествляется с сосудом, зарядовый пакет Qn — с жидкостью, заполняющей этот сосуд, поверхностный потенциал, т. е. глубина потенциальной ямы, — с расстоянием h от поверхности жидкости, заполняющей сосуд, до верхнего края сосуда (с эффективной «глубиной» сосуда). В такой модели между объемом жидкости в сосуде и глубиной h(Qn) его незаполненной части существует линейная зависимость вида (11.2), а глубина пустого сосуда /t(0) увеличивается пропорционально напряжению затвора (см. 11.4, а). Эта модель используется для пояснения процесса переноса зарядового пакета.

Результаты расчетов для кремниевых элементов площадью 2 см2 приведены на 5.16 и 5.17. На 5.16 освещенность принята равной 16 мВт/см2; на 5.17 температура принята равной 0°С. Показанные зависимости позволяют сделать оценки для батарей с различными параметрами. Видно, что характеристики резко ухудшаются с ростом температуры, а также с падением освещенности.

Зависимости мощностей генераторных станций / и 2 от угла б12, построенные в соответствии с формулами (2-108) и (2-109), приведены на 2-27. Там же штриховыми линиями показаны составляющие мощностей обеих генераторных станций — собственные (Ри, Р12) и взаимные (Я1а, P2i) мощности; сплошными линиями отмечены мощности генераторов Рг и Р2, а также мощности, развиваемые турбинами (Рт1 и Ртг) станции / и 2. Приведенные зависимости позволяют сделать следующие выводы.

Полученные зависимости позволяют анализировать любые схемы переменного тока с помощью методов, принятых для схем постоянного тока, а именно с помощью закона Ома и формул для последовательного и параллельного соединения элементов. Результаты, которые мы получили при анализе таких схем, как, например, делитель напряжения, сохраняют почти такой же вид. Так же как и для схем постоянного тока, для сложных разветвленных схем переменного тока справедливы чаконы Кирхгофа; отличие состоит н том, чго вместо токов / и напряжений V здесь следует использовать их комплексные представления: сумма падений напряжения (комплексного) в замкнутом контуре равна нулю; сумма токов (комплексных), втекающих в узел, равна сумме токов (комплексных), вытекающих из него. Из последнего правила, как и в случае с цепями постоян-

Приведенные зависимости позволяют также рассчитать оптимальное значение температуры процесса пиролиза, поскольку влияние этой температуры на выход отдельных видов сырья и другие экономические факторы'/имеет противоположное значение, приводящее к наличию как эксергетического, так и экономического оптимума.

Полученные аналитические зависимости позволяют проводить комплексный расчет характеристик проектируемого экономайзера, который рассмотрен ниже в § 8-5. При заданной поверхности эконо^-майзера по приведенным зависимостям определяется наивыгоднейший эксплуатационный расход воды во вторую ступень экономайзера.

колеса (например, Dz = KD,-^--—}> указанные зависимости приведены на 2.11. Скачок коэффициентов при п.,~80 объясняется тем, что большинство насосов с пя<80 делают с лопастями одинаковой кривизны, а с HS3*80 — с двойной кривизной, что существенно меняет характер течения в колесе.

Потери на трение в' подшипниках, трение ротора или якоря о воздух и потери на вентиляцию машины точно рассчитать затруднительно; для их приближенного определения обычно пользуются эмпирическими зависимостями, составленными на основе многочисленных испытаний изготовленных машин. Такие зависимости приведены для машин переменного тока в § 9-9, 11-11 и для машин постоянного тока — в § 10-13.

На 6.3, а—в представлены калиброво1 ные зависимости Ктщ от концентрации носителей заряда п0 для кремния п- и р-типа и арсенида галлия л-типа, полученные по экспериментальным данным. Аналитические выражения, описывающие эти зависимости, приведены в табл. 6.1.

Потертг на трение в подшипниках, трение ротора или якоря о воздух и потери на вентиляцию машины точно рассчитать затруднительно; для их приближенного определения обычно пользуются эмпирическими зависимостями, составленными на основе многочисленных испытаний изготовленных машин. Такие зависимости приведены для машин-переменного тока в § 9-9, 11-11 и для машин постоянного тока — в § 10-13.

зависимости стоимости полупроводниковой ИМС С, отнесенной к степени интеграции N, от N. Эти зависимости приведены для различных годов выпуска ИМС. Кривые показывают, что имеется область Л/ОПт, при которой отношение C/N имеет минимальное значение. При уменьшении N от указанного значения стоимость увеличивается, так как возрастают затраты на упаковку ИМС в корпус, пайку выводов и т. п. При увеличении /V стоимость также возрастает по двум причинам. Во-первых, более сложные ИМС выполняют более сложную, а значит, и более специализированную функцию, а это приводит к снижению тиража ИМС и увеличению ее стоимости. Во-вторых, при большом значении N ИМС занимают значительную площадь на пластине полупроводника. При N>l№ ИМС называется большой интегральной схемой (БИС).

В результате исследований удалось «1 '/сен установить зависимость среднеквадратичной ошибки слежения, наблюдаемой оператором в индикаторном устройстве и выраженной в радианах угла поворота луча зрения, и декремента затухания функции корреляции от основных параметров системы / и Т. Эти зависимости приведены на 2.34 и 2.35. Следует отметить, что среднеквадратич н ы е ошибки являются средними результатами, полученными при проведении опытов с несколькими наводчиками. Разброс отдельных значений относительно среднего значения характеризуется асимметричным законом распределения с коэффициентом асимметрии, равным 0,2, и среднеквадратичным отклонением, составляющим около 40% от 0Н.

Практические методы оценки ресурса деталей энергооборудования по степени поврежденное™ с использованием указанной зависимости приведены в [14]. На основании этой зависимости составлена шкала поврежденное™ порами металла котельных труб из стали 12X1 МФ при ползучести.

возможным увеличить выработку тепла в ОКГ Q0 и экономию топлива 6ОКГ за счет глубокой утилизации физического тепла конвертерных газов, а следовательно, увеличить суммарную экономию 6Сум замещаемого топлива на промышленной ТЭЦ металлургического комбината за счет использования физического тепла и химической энергии конвертерного газа. Эти зависимости приведены на 2-4. Однако снижение температуры конвертерных газов за ОКГ в два раза ведет к увеличению экономии топлива лишь на 20—22%. Внедрение новых конструкций охладителей, обеспечивающих глубокую утилизацию физического тепла конвертерных газов, связано с увеличением затрат на изготовление поверхностей нагрева и значительным усложнением комплексной системы охлаждения и очистки газов. Зависимость суммарной экономии затрат, получаемой за счет использования физической и химической энергии конвертерных газов, от температурного напора газов в ОКГ иллюстрируется на 2-5. Кривая экономии затрат имеет ярко выраженный оптимум при температуре газов за ОКГ 800—850°С, т. е. при нижних значениях температур, принятых в настоящее время для охлаждения газов в схемах без дожига. Поэтому очевидно, что если снижение температуры газов за ОКГ ниже 800РС связано с увеличением удельных затрат в систему охлаждения в среднем на 12—15%, то такое направление утилизации физического тепла конвертерных газов является неэффективным.

Ток термогенерации превышает тепловой ток и возрастает с увеличением обратного напряжения. Эти зависимости приведены 'на 4 и называются обратной ветвью ВАХ диода.

Эти зависимости приведены на 3-15.

зависимости стоимости полупроводниковой ИМС С, отнесенной к степени интеграции Лг, от N. Эти зависимости приведены для различных годов выпуска ИМС. Кривые показывают, что имеется область NOm, при которой отношение C(N имеет минимальное значение. При уменьшении /V от указанного значения стоимость увеличивается, так как возрастают затраты на упаковку ИМС в корпус, пайку выводов и т. п. При увеличении N стоимость также возрастает по двум причинам. Во-первых, более сложные ИМС выполняют более сложную, а значит, и более специализированную функцию, а это приводит к снижению тиража ИМС и увеличению ее стоимости. Во-зторых, при большом значении N ИМС занимают значительную площадь на пластине полупроводника. При ;V>103 ИМС называется большой интегральной схемой (БИС).

коэффициент тензочувствительности К- Эти зависимости приведены на фиг. 6.6, из которой видно, что мощность рассеивания для обычных полупроводниковых тензорезисторов не должна превышать 0,1 Вт. Строго говоря, она зависит от начального сопротивления и условий теплопередачи наклеенного тензорезистора. Однако на практике указанная величина вполне может использоваться в качестве исходной. Поэтому в технической документации на тензорезистор наряду с прочими данными указывается и максимально допустимый ток.