Зависимости обратного

В аппаратуре связи, автоматики и т. д. большое практическое значение имеют зависимости токов -и напряжений от частоты для цепей, в которых возможен резонанс. Эти зависимости называются резонансными кривыми.

В аппаратуре связи, автоматики и т. д. большое практическое значение имеют зависимости токов -и напряжений от частоты для цепей, в которых возможен резонанс. Эти зависимости называются резонансными кривыми,

В аппаратуре связи, автоматики и т. д. большое практическое значение имеют зависимости токов и напряжений от частоты для цепей, в которых возможен резонанс. Эти зависимости называются резонансными кривыми.

Указанные зависимости называются резонансными кривыми ( 4.4). Анализ этих зависимостей показывает, что при увеличении емкости от нуля полная проводимость электрической цепи сначала умень-

1 Такие зависимости называются ч а-стотными характеристиками.

1 Такие зависимости называются частотными характеристиками.

Входные (полные) сопротивление и проводимость являются функциями угловой частоты со. Эти зависимости называются частотными характеристиками. Так как входное сопротивление — комплексная величина, можно отделить его модуль и аргумент:

Если повторить расчет Fe для ряда значений основного потока Фа, то можно построить ( 2-11, кривая /) зависимости Ф& = f (FB) или Фб = / (tB), которые отличаются только масштабом по оси абсцисс. Такие зависимости называются кривыми намагни-ч и в „а н и я или магнит, ными характеристиками машины.

Эти зависимости называются уравнениями четырехполюсника, а коэффициенты Л, В, С и D — постоянными четырехполюсниками. Значения этих коэффициентов при постоянной частоте не зависят ни от нагрузки, ни от напряжения на входе четырехполюсника, а определяются • лишь значениями активных и реактивных сопротивлений элементов четырехполюсника и схемой соединения этих элементов между собой.

Указанные зависимости называются резонансными кривыми ( 4.4). Анализ этих зависимостей показывает, что при увеличении емкости от нуля полная проводимость электрической цепи сначала уменьшается, достигает при Bc=Bl своего минимума, а затем возрастает с увеличением С, в пределе

4. Какие зависимости называются рабочими характеристиками АД?

Если повторить расчет FB для ряда значений основного потока Ф6, то можно построить ( 2-11, кривая /) зависимости Ф6 = / (FB) или Фй = f (iB), которые отличаются только масштабом по оси абсцисс. Такие зависимости называются кривыми намагничивания или магнитными характеристиками машины.

Тепловой пробой чаще всего наблюдается в мощных выпрямительных диодах и связан с нарушением теплового равновесия, при котором выделяемое в p-n-переходе количество теплоты превышает отдаваемое окружающей среде. В результате температура диода начинает самопроизвольно повышаться вплоть до выхода прибора из строя. Такие условия возникают, если увеличение обратного тока /обр, вызванное некоторым повышением температуры АГь приводит к дополнительному нагреву р-я-пере-хода на A72>A7V Вследствие экспоненциальной зависимости обратного тока от температуры одинаковые значения ATi вызывают возрастающие с повышением температуры приращения обратного тока и разности температур ATV Поэтому при некоторой достаточно высокой температуре может выполняться услови"е ЛГ2>А7'1, и наступает тепловой пробой. Величина ДГ2 пропорциональна приращению мощности, рассеиваемой в р-п-переходе за счет обратного тока, следовательно, она возрастает при повышении напряжения обратного смещения. Отсюда можно заключить, что более высокому обратному напряжению соответствует более низкая температура, при которой также развивается тепловой пробой.

VI11.6. Характеристики кремниевых стабилитронов и схемы их применения: а — схема стабилизатора напряжения при обратном включении стабилитрона; б— то же, при прямом включении стабилитрона; в — экспериментальные кривые зависимости дифференциальных сопротивлений стабилитронов от обратного тока; г — то же, в зависимости от прямого тока для стабилитронов и диодов; д — график зависимости обратного ТКН от обратного напряжения на стабилитроне; е — график зависимости прямого ТКН от прямого тока.

4.1. График зависимости обратного тока р-п перехода от относительной влажности окружающей среды (а); схема образования инверсионного канала в присутствии' паров воды в кремнии я-типа при воздействии тангенциального электрического поля (б), /—окись кремния; 2 — кремний га-типа; 3, 4 — электроды.

Выпрямительные диоды большой мощности называют силовыми. Материалом для таких диодов обычно служит кремний или арсенид галлия. Германий , практически не применяется из-за сильной температурной зависимости обратного тока. Кремниевые сплавные диоды используются для выпрямления переменного тока с частотой до 5 кГц. Кремниевые диффузионные диоды могут работать на повышенной частоте, до 100 кГц. Кремниевые эпитаксиальные диоды с металлической подложкой (с барьером Шотки) могут использоваться на частотах до 500 кГц. Арсенидгаллиевые диоды способны работать в диапазоне частот до нескольких МГц.

Параметры рабочей точки меняются встедствие температурной зависимости обратного тока коллектора /кзо и напряжения база —

2.4.3. Пример полевой зависимости обратного времени пролета для электронов в пленке TP-a-Si:H толщиной 4,5 мкм

Интервал [I] соответствует быстрому затуханию дифрагированного света. Интервал [II] представляет собой квазистационарную область после быстрого затухания, как показано на 3.6.2, а. Из экспериментальных результатов, полученных в интервалах I и II, оценивались параметры т , D и К i /К с помощью анализа наблюдаемого затухания дифрагированного света для различных периодов решетки. Интервал [III] соответствует постепенному увеличению интенсивности дифрагированного света, как показано на 3.6.2, б. Интервал [IV] отвечает области стационарного фотопотемнения. На основании результатов, полученных в последних двух интервалах, можно оценить т \ и K-ilK. В эксперименте после первой составляющей затухания эффективность дифракции падает почти до нуля, как показано на 3.6.2, а. Отсюда следует, что в As2S3^i/^ ^0 (Ki/K— 0,1) согласно уравнению (3.6.16). Этот результат свидетельствует о том, что промежуточное состояние не вносит такого сильного изменения показателя преломления. Сплошными линиями на -3.6.3 показаны расчетные результаты, отвечающие выражению (3.6.15), для первой составляющей затухания при различных периодах решетки, когда KiJK = = 0,1. Расчетная кривая, показанная сплошной линией, удовлетворительно описывает экспериментальные результаты по первому затуханию. Построив график зависимости обратного времени затухания (1/1) от 4тг2/Л2 , можно, согласно выражению (3.6.6) , оценить величины г и D, как показано на 3.6.5. Наклон графика и пересечение с осью у позволяет определить коэффициент диффузии D и обратную величину времени жиз-ци (1/г). Значения D и т равнялись соответственно 1,4- 10~3 см2/с и 10 мкс. Величина подвижности, оцениваемая из полученного коэффициента диффузии с помощью соотношения Эйнштейна, составила 5,4 • • 10~2 см"2/ (В • с), йремя жизни находится в хорошем согласии со значением для захваченного электрона, полученным из измерений времени жизни при люминесценции с медленным затуханием [157]. Анализ данных,

2.4.3. Пример полевой зависимости обратного времени пролета для электронов в пленке TP-a-Si:H толщиной 4,5 мкм

Интервал [I] соответствует быстрому затуханию дифрагированного света. Интервал [II] представляет собой квазистационарную область после быстрого затухания, как показано на 3.6.2, а. Из экспериментальных результатов, полученных в интервалах I и II, оценивались параметры г , D и К i /К с помощью анализа наблюдаемого затухания дифрагированного света для различных периодов решетки. Интервал [III] соответствует постепенному увеличению интенсивности дифрагированного света, как показано на 3.6.2, б. Интервал [IV] отвечает области стационарного фотопотемнения. На основании результатов, полученных в последних двух интервалах, можно оценить т i и -K^IK. В эксперименте после первой составляющей затухания эффективность дифракции падает почти до нуля, как показано на 3.6.2, а. Отсюда следует, что в As^S3KiJK ^0 (Ki/K= 0,1) согласно уравнению (3.6.16). Этот результат свидетельствует о том, что промежуточное состояние не вносит такого сильного изменения показателя преломления. Сплошными линиями на -3.6.3 показаны расчетные результаты, отвечающие выражению (3.6.15), для первой составляющей затухания при различных периодах решетки, когда KtjK = = 0,1. Расчетная кривая, показанная сплошной линией, удовлетворительно описывает экспериментальные результаты по первому затуханию. Построив график зависимости обратного времени затухания (1/7) от 4тг2/Л2 , можно, согласно выражению (3.6.6) , оценить величины т и D, как показано на 3.6.5. Наклон графика и пересечение с осью у позволяет определить коэффициент диффузии D и обратную величину времени жиз-ци (1/г). Значения D и т равнялись соответственно 1,4- 10~3 см2/с и 10 мкс. Величина подвижности, оцениваемая из полученного коэффициента диффузии с помощью соотношения Эйнштейна, составила 5,4 • • 10~2 см"2/ (В • с), йремя жизни находится в хорошем согласии со значением для захваченного электрона, полученным из измерений времени жизни при люминесценции с медленным затуханием [157]. Анализ данных,

Зона возможных положений зависимости обратного тока коллектора от температуры.

213 233 253 273 293 3131,К Зона возможных положений зависимости обратного тока коллектора от температуры.