Зависимость порогового

4.2. Зависимость показателя сложности кристалла БИС от площади его активной части

В видимой области спектра коэффициент отражения света от границы эпитаксиального слоя с подложкой настолько мал, что интерференционная картина для гомоэпитак:иальных структур не наблюдается. Однако для широкого класса структур с диэлектрической подложкой интерференция в видимо? области спектра находит применение. Среди них структуры поликристаллический кремний — диэлектрик — кремний, кремний ьа сапфире, эпитакси-альные структуры феррит-гранатов. Поскольку видимая область спектра лежит в области собственного поглсщения полупроводника, при расчетах необходимо учитывать спек-ральную зависимость показателя преломления эпитаксиального слоя. Формула (6.43) справедлива и в этом случае, с той лишь разницей, что сдвиг фазы волны при отражении от оптически менее плотной среды не происходит и 6 = 0. С помощью интерференции в видимой области спектра измеряют толщину эпитаксиальных слоев гетероструктур от 0,2 мкм до нескольких микрометров.

Поскольку YI.C и ук зависят от параметров среды, то в общем случае показатель тепловой инерции т является функцией параметров среды и в первую очередь коэффициента теплоотдачи. Поэтому динамические свойства тепловых преобразователей задают характеристическими кривыми, которые представляют собой зависимость показателя тепловой инерции от коэффициента теплоотдачи. Точное определение показателя тепловой инерции расчетным путем затруднительно, поэтому чаще проводят экспериментальные исследования. Для этого на преобразователь подают скачок температуры и снимают осциллограмму переходного процесса. Для определения т необходимо иметь три значения 0П для трех моментов времени, либо принять 0П.Н = 0 и определить А0П (tj) и Д0П (4) для двух t1 и t2 моментов времени, тогда

Зависимость показателя поглощения от энергии фотонов называют спектром поглощения полупроводника ( 1.19). При больших энергиях фотонов происходит собственное поглощение с образованием пар носителей электрон — дырка. Показатель поглощения при этом велик. При малой энергии фото-

1.22. Зависимость показателя степени п от напряжения лавинного пробоя резкого р-п перехода

Предварительно определим зависимость показателя F от надежности каждого из элементов системы. Разделим все множество из 2" состояний системы на два подмножества: подмножество с состояниями системы, при которых для некоторого фиксированного i-го элемента Sf = 1, и подмножество с состояниями системы, при которых S,- = 0. Нетрудно, используя выражение (5.19), привести (5.18) к виду

Рассмотрим решение такой задачи. Пусть для каждого /-го элемента системы известна зависимость показателя надежности Я, от затрат 3, в виде последовательности Я, г (3^), П12 (3i2), ...

4.1. Зависимость показателя

отсюда можно найти зависимость показателя изоэнтропы смеси газа и жидкости от соотношения их объемов в смеси:

5.3. Зависимость показателя изоэнтропы воздуховодяной смеси от объемной доли газа в критическом сечении

приведена зависимость показателя люкс-амперной характеристики

а - схема эксперимента; б зависимость порогового контраста от яркости мри разних значениях яркости адаптации; в зависимость относительного порогового контраста от яркости в полулогарифмическом масштабе.

Другим фактором, влияющим на число градаций, является экспериментально обнаруженная зависимость порогового контраста от размера сравниваемых полей. В эксперименте ( 2.3, а) при изменении угловых размеров р полей сравнения были получены результаты, приведенные на 2.4. Их можно аппроксимировать выражением

Зависимость порогового напряжения от амплитуды импульса записи t/зп с фиксированной длительностью тзп, приложенного к затвору при заземленных истоке и подложке, называется характеристикой перезаписи ( 3.18, в).

На 4.3 показана зависимость порогового напряжения транзистора с индуцированным каналом от дозы легирования канала при разных толщинах диэлектрика и концентрациях примесей в подложке. Подбирая определенную дозу, можно легко получить требуемое пороговое напряжение, типичное значение которого 0,5 ... 1 В.

телей в канале уменьшается с ростом температуры, что приводит к снижению тока. При повышении температуры потенциал фпор уменьшается и пороговое напряжение (2.26) транзисторов с индуцированным каналом n-типа понижается. Абсолютное значение температурного коэффициента по- р ,.]ft рогового напряжения \dUnop/ /dT\ снижается при уменьшении толщины подзатворного диэлектрика йд и концентрации примесей в подложке Na. Типичные значения температурного коэффициента порогового напряжения при од<0,1 мкм и Afa<1017 см~3 составляют (2-f-3)-10-3 B/°C. На температурную зависимость порогового напряжения влияет значение фмп, определяемое разностью работ выхода из металлического затвора и полупроводниковой подложки. В транзисторах с индуцированным каналом и-типа с целью уменьшения фмп используют затворы из сильнолегированного поликристаллического кремния. Если затвор легирован акцепторами, т.е. имеет проводимость р+-типа, то значение <рмп положительно и составляет около 0,2 в! С ростом температуры фмп не изменяется, так как уровни Ферми в затворе р+-типа и подложке р-типа смещаются в одну сторону. Если затвор легирован донорами, т. е. имеет проводимость п+-типа, то работа выхода из затвора меньше, чем из полупроводниковой подложки, а значение Фмп отрицательно и составляет 0,5—0,6 В. При повышении температуры уровни Ферми смещаются в противоположные стороны: работа выхода из затвора увеличивается, а работа выхода из подложки уменьшается. Этот эффект снижает температурный коэффициент порогового напряжения.

3.8. Зависимость порогового

бо объединяют их с другими, задействованными, входами. С точки зрения логики работы оба варианта равноценны, но в практическом отношении несколько различаются. На рис, 6-35 показаны способы включения лишних входов применительно к логическому элементу И—НЕ. Вариантам включения а и б соответствуют одноименные передаточные характеристики. Присоединении по способу б за счет постоянного смещения отпирание n-канальных транзисторов происходит раньше и общее пороговое напряжение становится меньшим, чем в случае а. Общее пороговое напряжение комплементарной пары определяется отношением сопротивлений п- и р-канальных транзисторов в открытом состоянии. Зависимость порогового напряжения микросхемы от способа подключения неиспользуемых входов имеет следствием, что вариант а более эффективен применительно к помехам, возникающим в общей шине, а вариант б — в отношении защиты от помех, возникающих в шине питания.

5-1. Зависимость порогового контраста от яркости фона для различных угловых, размеров объекта различения.

5-2. Зависимость порогового контраста от времени.

Для МОП-транзисторов при уменьшении длины канала увеличивается зависимость порогового напряжения от напряжения стока и возникает так называемый «эффект смыкания». Кроме того, при сужении области истока уменьшается коэффициент усиления в результате увеличения сопротивления этой области. Для длины канала 0,25 мкм временная задержка на один вентиль с коэффициентом разветвления по выходу 1 составляет 70 пс при произведении «временная задержка — мощность» 5 фДж, а при 40 фДж задержка уменьшается до 30 пс. Т. е. в МОП-транзисторах временная задержка менее 100 псек.

Эффекты, происходящие в коротком канале транзистора,, можно разделить на две основные группы. Первая группа эффектов связана с высокой напряженностью электрического поля: в канале и включает уменьшение подвижности носителей, насыщение дрейфовой скорости и увеличение кинетической энергии электронов (эффект «горячих» электронов). Вторая группа эффектов вызвана тем, что в коротком канале уже нельзя пренебречь поперечной (вертикальной) составляющей Ех поля и «плавное приближение» становится неправомерным. Это приводит к трехмерному распределению электрического потенциала и плотности тока, ток стока в результате пробоя не насыщается,, появляется зависимость порогового напряжения от длины канала.