Зависимость подвижности

Степень излучения светодиода сильно зависит от температуры, с увеличением которой его сопротивление возрастает. Это подтверждается характером изменения вольт-амперных характеристик светодиода с изменением температуры ( 10.6). Степень излучения WCB светодиодов характеризуется спектральной характеристикой ( 10.7), представляющей собой зависимость плотности /ф тока через светодиод от длины волны К, а быстродействие — постоянной времени затухания электролюминесценции, которая лежит в пределах 0,2...0,5 мкс. Основные параметры светодиодов привадены в табл. 10.3.

При равномерном распределении тока по сечению провода, учитывая зависимость плотности тока от напряженности электрического поля, получим J = I/S = yU/l. Отсюда следует формула, выражающая электрическую проводимость провода заданных размеров

Внезапные и параметрические отказы, возникающие при испытаниях и эксплуатации БИС, происходят в результате одних и тех же процессов. В большинстве случаев эти процессы связаны с наличием дефектов физической структуры элементов. Поэтому грубые (явные) дефекты обусловливают отказы на этапе изготовления, мелкие (скрытые) — на этапе эксплуатации. Разделение дефектов на явные и скрытые условно. В то же время между ними существует тесная корреляционная связь, что иллюстрируется графиком 4.1, на котором показана зависимость плотности а распределения дефектов ИМС в зависимости от их размера А. Кривые / и 2 на 4.1 характеризуют качество двух однотипных технологических процессов изготовления ИМС (процесс 2 более низкого качества). Из рисунка видно, что с уменьшением размера дефектов плотность их возрастает. Ордината, соответствующая точке А0, характеризует уровень производственного контроля качества ИМС. Явные дефекты, превышающие размер Л0, определяют процент

Зависимость плотности тока от напряженности поля описывается соотношением

25. Зависимость плотности тока от напряженности электрического поля для арсенида галлия п-типа

Зависимость плотности тока / от напряженности ? для арсенида гал лия показана на 25. При ? < ?поР плотность тока возрастает линей но а пои ? > ?поо также линейно, но не столь быстро. На участке, где ^пряГнност; Ллизка к ?гор, с ростом ™^«™™?"™ часть легких электронов становится тяжелыми и плотность тока умень ша^ся т е появляйся участок дифференциальной отрицательно,.про-водимое™. Свойством дифференциальной отрицательной проводимости в диодах Ганна обладает весь объем полупроводника в отличие, например, от туннельных диодов, в которых отрицательной проводимостью обладает лишь р-п-переход.

1057. При изменении фотопотока в 2 раза плотность тока фотоэлектронной эмиссии увеличилась на 10~3 А/мм2. Найти плотность тока эмиссии в обоих режимах, приняв зависимость плотности тока эмиссии от фотопотока линейной.

возникает возможность гене- 4.10. Зависимость плотности тока в рации заряженных частиц в газах от напряженности электри-электрическом поле из-за ческого поля появления ударной ионизации, и

1-3. Зависимость плотности тока, напряженпостей электрического и магнитного полей, а также фазовых углов от глубины

С уменьшением глубины прогрева зависимость плотности тока от глубины в наружном слое становится все более пологой и равномерность его нагрева повышается (ср. с 1-7).

При глубинах прогрева, превышающих горячую глубину проникновения тока (л'к/Ак •-- /г1хк>1), влияние второй среды ослабляется и зависимость плотности тока от глубины приближается к экспоненте.

Подвижность носителей заряда зависит от многих факторов, важнейшими из которых являются температура Т, концентрация примесных атомов N и напряженность электрического поля при ? > ?кр. Зависимость подвижности от температуры определяется механизмом рассея-

Зависимость подвижности от концентрации легирующей примеси N сложная и в целом аналитически не описывается. Экспериментальные зависимости рп (N) и цр (N) для кремния приведены на 2.3. Примеси являются центрами рассеяния в полупроводнике, увеличение их концентрации приводит к уменьшению средней длины свободного пробега носителей (2.9), а значит, снижению их подвижности.

2.2. Зависимость подвижности носителей заряда от температуры в невырожденном полупроводнике при различных концентрациях примеси:

2.3. Зависимость подвижности электронов ц„ и дырок цр в кремнии от концентрации легирующей примеси N при Т = 293 К

Puc. 2.13. Зависимость подвижности электронов цп в арсениде галлия при 77 К от концентрации ионов примеси Nd+Na, помножешюй на коэффициент /='=1п(6,94Х ХЮ"/п) — 1, учитывающий экранирование

Подвижность носителей заряда зависит от многих факторов, важнейшими из которых являются температура Т, концентрация примесных атомов N я напряженность электрического поля при Е>Ехр. Зависимость подвижности от температуры определяется механизмом рассеяния носителей заряда. Рассмотрим основные из механизмов рассеяния - на тепловых колебаниях решетки и ионизированных примесях, учитывая, что первый из них является определяющим при высоких, а второй - при низких температурах.

3.S3. Зависимость подвижности носителей заряда от температуры в невырожденном полупроводнике при различных концентрациях примеси:

Подвижность дырок Цр проявляет зависимость как от концентрации атомов акцепторной примеси, так и от температуры. Те же самые выводы справедливы для кремния «-типа. Зависимость подвижности основных электронов и дырок в кремнии, легированном атомами донорной и акцепторной примесей, показана на 2.33, а, б. Рассмотрим более подробно кремний р-типа, который чаще всего используют для формирования диффузионных резисторов.

2.33. Температурная и концентрационная зависимость подвижности основных носителей заряда в кремнии с различными типами электропроводности: а — кремний n-типа; б — кремний р-типа

Для рассеяния дырок на тепловых колебаниях атомов кристаллической решетки справедлива следующая зависимость подвижности от температуры:

2.16. Зависимость подвижности носителей от концентрации примесей в полупроводнике