Зависимость относительных

В этом разделе дан анализ работы магнитных элементов в запоминающих устройствах матричного типа, а также приведены основы расчета и выбора сердечников для этих устройств. На конкретных цифровых примерах (задачи 8.1 и 8.2) рассматривается зависимость времени перемагничи-вания, которое определяет быстродействие запоминающего •устройства (ЗУ) типов 3D и 2.5D, работающих по принципу совпадения токов, от коэрцитивной силы сердечников; зависимость отношения сигнал/помеха от коэрцитивной силы и стабильности адресных токов. В задачах 8.3-4-8.14 рассмотрена работа сердечников в системе памяти типа 3D и 2,50.

Функцию, описывающую частотную зависимость отношения двух любых комплексных амплитуд, можно назвать частотным коэффициентом передачи /((/со). Характерный вид аргумента связан с тем, что в данную функцию входят различные степени выражения /03.

4.3. Зависимость отношения AG(oo)/[AG(a) — —AG(oo)] от f оэффициента поглощения a

Качественно зависимость емкости МДП-структуры от приложенного постоянного напряжения можно проследить, воспользовавшись графиком 5.2 и формулой (5.15). Так как при больших значениях фп поверхностная емкость растет, то при больших внешних напряжениях любой полярности емкость C(U) стремится к Сд. При малых значениях f/ поверхностная емкость относительно мала и достигает своего минимального значения, которому соответствует минимальная емкость структуры. Зависимость отношения емкости МДП-структуры С/СД (т. е. нормированная емкость структуры) от напряжения для полупроводника n-типа показана на 5.3.

Для кремниевых МДП-структур характерно преобладание процессов генерации через локальные уровни в обедненном слое и поверхностной генерации в краевой области. Поэтому, если построить зависимость отношения C2n/C2(t), пропорционального dQp/df, от[1/С(0 — 1/Сд], пропорционального ш(0, то на ней можно выделить линейный участок. Угол наклона линейного участка характеризует скорость генерации носителей зарядов в обедненном слое и поверхностной генерации в краевой области. Чтобы их разделить, анализируют аналогичные зависимости для МДП-структур, изготовленных на одном кристалле, но имеющих разное отношение площади к периметру структуры. Если преобладает скорость генерации носителей заряда в объеме обедненного слоя, то на линейном участке в соответствии с (5.23) и (5.26)

3-6. Зависимость отношения папряженностен магнитного поля на поверхности н на границе раздела от глубины первой среды

Зависимость отношения напряженностей магнитного поля

2.35. Эквивалентная схема интегрального конденсатора на основе р-/г-перехода (а) и зависимость отношения емкости р-п-пере-хода Ci к паразитной емкости С'2 от напряжения обратного смещения подложки (б): / — Уо>= О В; 2 — (/с2= 5 В

С помощью уравнений (3.27), (3.28) можно построить нормированные передаточные характеристики для различных значений отношения удельной крутизны ключевого и нагрузочного транзисторов kk/k,(, которые удобно использовать при анализе работы инвертора ( ЗЛО). Зависимость отношения kK/kn от

Зависимость отношения /0//ном от номинальной мощности может •быть выражена в виде

где N = n/rtj — относительная частота вращения ротора сельсина. На 8.14, б показана зависимость отношения Мди„. Уд/МСн.уд

10.5. Зависимость относительных значений индукции в воздушном зазоре 5%, линейной нагрузки А* и их произведения A*B*i от пазового коэффициента

II.8. Зависимость относительных массы и объема электромагнитных элементов ИВЭП от частоты.

3.99. Зависимость относительных изменений .магнитной проницаемости и

— 30 мксек для случая, когда в схеме не предусмотрено последовательно-параллельное соединение тиристоров. Реальная мощность, которую при этом сможет коммутировать тиристор ТЛ-160 в диапазоне частот 250—1000 гц при напряжении источника питания Е = 500 в, будет составлять не более 75 кет. Для таких параметров инвертора при QK = 5 и т)0 = 1;1 зависимость относительных потерь энергии в добавочных сопротивлениях от частоты будет представлена прямыми /, 2, 3 ( V.37), соответствующими трем значениям скорости

3.5. Зависимость относительных массовых расходов истечения нагретой воды через каналы различного диаметра (//d=0,5) от начального давления pi

4.8. Зависимость относительных потерь напряжения, обусловленных индуктивным сопротивлением питающей сети Utxc при номинальном токе, от относительной мощности короткого замыкания сети при отношении активного и индуктивного сопротивлений сети [4.2] О {--------) и 0,2 (----------):

3.40. Зависимость относительных потерь в меди ротора АД от Sna4 и SKOH

3.42. Зависимость относительных потерь в меди ротора АД при разных

Завершая краткую характеристику фотометрического метода описания процессов лучистого переноса в системах КСИ, заметим, что, как всякий феноменологический метод, он требует использования специальных физических коэффициентов, или функций, характеризующих микропроцессы взаимодействия излучения с телами на макроскопическом уровне. Для рассматриваемого процесса концентрирования такими величинами являются коэффициент отражения солнечного излучения поверхностью зеркала RC и индикатриса силы излучения / (ф), представляющая собой зависимость относительных значений силы излучения от направления, т. е. / (ф)=й/ (ф)/й/ (0). Коэффициент отражения учитывает потери энергии, связанные с поглощением излучения зеркалом, а индикатриса — рассеяние отраженного излучения в пространстве. Конкретные выражения и количественные значения для Лс и / (<р) получают экспериментально либо на основе методов волновой или квантовой теории излучения.

Шестиугольные и WYE-резонаторы. Шестиугольные ненамагниченные резонаторы с ^-колебаниями ( 1.18,а) с различным соотношением углов 0 и Ф исследованы в [58] методом конечных элементов. Шестиугольник при этом разбивался на шесть треугольных элементов и использовалась аппроксимация поля полиномами четвертой степени. На 1.18,6 показана зависимость относительных резонансных частот низших типов колебаний Enmi от угла ф. При ф = 0 резонатор превращается в правильный треугольный, при ф=60° — в правильной шестиугольный. Индексы п, т и I аналогичны используемым в теории треугольных резонаторов. Эквипотенциальные линии для трех низших типов колебаний при ф = 30° представлены на 1.19, а на 1.20 схематично показана возможность создания цнркулятора, работающего на колебаниях ?10-1.