Зависимость оптической

Можно применить другой метод решения задачи с построением так называемой опрокинутой характеристики одного из элементов цепи. Для этого рассмотрим зависимость изменения тока / цепи, во-первых, от напряжения U2 и, во-вторых, от разности напряжений U — U\. В первом случае эта зависимость определяется собственной характеристикой (см. 2.18, б) одного элемента I(U2), во втором случае при построении характеристики I(U — t/i) для каждого значения тока / необходимо из постоянной абсциссы U вычесть абсциссу характеристики I(U i) первого элемента. Это равносильно построению опрокинутой характеристики элемента /(i/i)onp от точки О', соответствующей напряжению U на 2.19.

Для электродвигателей постоянного тока важной является моментная характеристика М(/„), т. е. зависимость электромагнитного момента от тока якоря. Для двигателя с параллельным возбуждением эта зависимость определяется соотношением:

Добавим еще, что закон Ньютона (2-9) подтверждается экспериментально, если принять, что коэффициент теплоотдачи зависит от физических характеристик поверхности и среды и от температуры. Указанная зависимость определяется из эксперимента, построенного на основе соотношения (2-9), и имеет вид а = а(р, v, с, w, A, •&), где аргументами являются параметры: плотность, вязкость, теплоемкость, скорость среды, а также шероховатость поверхности и температура.

Из анализа эквивалентной схемы диффузионного резистора следует, что его сопротивление зависит от частоты. Эта зависимость определяется влиянием распределенных емкостей С\ и С2. Емкости С\ и С2 шунтируют резистор на подложку непосредственно в виде цепочки двух последовательно соединенных емкостей, а также через цепи питания полупроводниковой ИМС, подключенные к n-области. Обычно С\ <'С%, так как площадь перехода / больше площади перехода 2. Путем уменьшения площади резистора можно снизить емкость Сч. С приложением к «-области большого запирающего напряжения емкости С\ и

Эта зависимость определяется законом Ома для цепи с R, L и С. Действительно, I=U/Z, где

Выходное сопротивление каскада на биполярных транзисторах зависит от сопротивления Rr во входной цепи. Это результат действия внутренней обратной связи, свойственной каскадам на биполярных транзисторах. В первых двух включениях эта зависимость определяется значением RT/2, равным среднему сопротивлению источников сигналов (Rrl + Яг2)/2. При симметрировании каскада (путем включения Яг2 в цепь второго входа) эта зависимость характеризуется сопротивлением RT = (Rrl + Я,.2)/2.

где Н (б, х) — напряженность поля в сечении х (см. 6.29, в) /-го элемента; В — индукция, зависящая от напряженности поля (эта зависимость определяется для ферромагнитных элементов кривой намагничивания).

При прочих равных условиях скорость процесса зависит от температуры Т. Для простейших химических реакций эта зависимость определяется законом Арре-ниуса, согласно которому-

С увеличением температуры поляризованность при электронной поляризации уменьшается за счет расширения тела. Однако в соответствии с малым значением температурного коэффициента расширения диэлектрическая проницаемость при электронной поляризации очень слабо снижается с увеличением температуры. Эта зависимость определяется температурным коэффициентом ДИЭЛСКТрИЧесКОЙ проницаемости:

Повысить линейность пилообразного напряжения позволяет схема генератора с зарядом емкости через токостабилизирующий двухполюсник. В качестве такого- двухполюсника используется выходная цепь транзистора с отрицательной обратной связью по току ( 7.25, а). Здесь э. д. с. Е& обеспечивает требуемый ток базы (коллектора) транзистора. Как известно, в транзисторе зависимость тока /к от коллекторного напряжения UK незначительна. В схеме с ОЭ эта зависимость определяется величиной дифференциального сопротивления коллекторного перехода г*. При введении отрицательной обратной связи по току через резистор Ra ( 7.25, а) зависимость /к=Д?/Кэ) ослабляется (пунктирные кривые на 7.25, б).

Обратный ток р-п перехода характеризуется сильной зависимостью от температуры. При ?/>0,1 В эта зависимость определяется выражением

Высокие фотографические характеристики. Фотографические характеристики фотоэмульсионных материалов определяют обычно по характеристической кривой, выражающей зависимость оптической плотности D от логарифма экспозиции Н.

25. Температурная зависимость оптической

3.3.7. Зависимость оптической ширины запрещенной зоны Ь\ (а) и энергии Ке (б), характеризующей наклон для a-Si:H, от температуры отжига Та [72 (X -свежеосажденный образец)

4.2.3. Зависимость оптической ширины запрещенной зоны пленок a-Sii-^

4.2.7. Зависимость оптической ширимы запрещенной зоны ?#0/>f и фотопроводимости oph в нелегировапных и легированных бором пленках a-Sii_xC\ : Н от состава метансодержащсй [81 (а) и этиленсодержащей [35] (б) газовой смеси

4.4.1. Зависимость оптической ширины запрещенной зоны (1) и отношения атомных долей N/Si (2) в пленках a-SivNj_x:H от состава газовой смеси при осаждении. Состав пленок определяется но отношению интенсивностей Оже-электронных максимумов N(K1.L) и Si (LMM) с учетом чувствительности Оже-спектроскопии

3.3.7. Зависимость оптической ширины запрещенной зоны Е0 (а) Ее (б), характеризующей наклон для a-Si:H, от температуры отжига Та свежеосажденный образец)

4.2.3. Зависимость оптической ширины запрещенной зоны пленок a-Sii_xCjc: Н

4.2.7. Зависимость оптической ширимы запрещенной зоны Eg и фотопроводимости Op/j в нелегировапных и легированных бором пленках a-Sii_xC\:H от состава метансодержащей (8) (а) и этилепсодержащей (35] (б) газовой смеси

4.4.1. Зависимость оптической ширины запрещенной зоны (1) и отношения атомных долей N/Si (2) в пленках a-SivNj_x:H от состава газовой смеси при осаждении. Состав пленок определяется но отношению интенсивностей Оже-электронных максимумов N(K1,L) и Si (LMM) с учетом чувствительности Оже-спектроскопии

Зависимость оптической прозрачности окна от поверхностного сопротивления упомянутых покрытий показана на 2.17. Проз-