Зависимость наблюдается

На 25-22, а показана гависимость емкости р-л-перехода кремниевого стабилитрона Д-810 от приложенного к нему обратного напряжения, а на 25-22, б — зависимость начальной емкости различных стабилитронов от их напряжения стабилизации.

Величина F (со), характеризующая зависимость амплитуды от частоты, называется амплитудно-частотной характер и с т и < о и. Величина а (со), характеризующая зависимость начальной фазы ч> = я/2 + а от частоты, называется ф а з о - ч а-стотной характеристикой.

Зависимость начальной прочности L'Bn° от отключаемого тока /о для аппаратов с разными контактами приведена на 5.18,6. Чем лучше теплоотводяшие и теплопоглощающие свойства контактного материала, тем выше лежит кривая L'Bn'l = f (/oi; кривая 1 - для серебра, 2 — для меди. 3 — для стали

На 3.10 приведена зависимость начальной магнитной проницаемости никель-цинковых и марганец-цинковых ферритов от температуры. Характерно, что с увеличением температуры ц повышается и затем резко падает. Ферриты с прямоугольной петлей гистерезиса. Магнитные материалы с прямоугольной петлей гистерезиса (ППГ) особенно важны в устройствах автоматического управления аппаратуры телеграфной связи, вычислительной техники, коммутирующих дросселей.

Зависимость начальной скорости от баллистических качеств пороха можно определить стрельбой. В войсковой практике это не делается, так как качество пороха учитывается при снаряжении патронов. Заряд подбирают всегда таким, чтобы обеспечить необходимую начальную скорость.

P/ic. 9-S9. Зависимость начальной магнитной проницаемости в системе NiO—ZriO—Fe2O8 от состава (темперааура обжига 1380 °С)

ограничивает область их применения магнитными экранами, корпусами приборов и аппаратов, фасонными деталями магнитопроводов и другими изделиями, работающими в постоянных магнитных полях. Тонкие порошки альсифера используют как магнитную составляющую при изготовлении высокочастотных магнитодиэлектриков. Зависимость начальной проницаемости альсифера от состава сплава имеет очень острый максимум, что существенно затрудняет его промышленное изготовление. Для получения необходимого состава нужны высокая чистота исходных материалов и проведение плавки в вакууме или в атмосфере нейтральных газов. Оптимальный состав альсифера: 5,4 % А1, 9,6 % Si, остальное Fe. Сплав этого состава имеет следующие свойства: цнач = = 44 мГн/м, Umax = '46 мГн/м, В, = = 0,335 Тл, Нс = 1,76 А/м, fvWs = = 1,1 Тл, р= 0,81 мкОм-м.

219. Зависимость начальной магнит-

221. Зависимость начальной магнитной проницаемости марганец-цинковых ферритов от температуры окружающей среды (для феррита марки 2000НМ приведены три кривые, показывающие возможный разброс)

222. Зависимость начальной магнитной

223. Зависимость начальной магнитной проницаемости цн никель-цинковых ферритов от температуры окружающей среды

Для миниатюризации ИВЭП стараются применить менее громоздкий емкостной фильтр. Показатели микростабилизатора, экспериментально полученные при таком фильтре при a = 0,1 и b = 0,15, показаны на IX.19. С ростом выходного напряжения 1/„ растет значение UK на транзисторе [из-за увеличения t/BX 110М (а + Ь)] и для выполнения условия /Vmax — const ток /н должен быть взят меньше. Такая зависимость наблюдается для стабилизатора типа К142ЕН2. Так как для стабилизатора типа К142ЕН1 входное напряжение не может быть взято меньше 9В, то в диапазоне выходных напряжений от 3 до 6 В UK составляет соответственно от 6 до 3 В. Таким образом, с ростом (/„ падает напряжение (/к и может быть допустим больший ток /„. Начиная с 6 В на выходе вступает в силу обычное соотношение

Для сегнетоэлектри-ков характерна сильная зависимость относительной диэлектрической проницаемости от напряженности электрического поля ( 2-7). Как видно из рисунка, эта зависимость наблюдается как при весьма низких температурах, так и при положительных. Но в приведенном примере при +130° С, т. е. при температуре выше точки Кюри, зависимость диэлектрической проницаемости от напряженности пропадает.

Известно, что между напряжением на конденсаторе и временем, в течение которого он с большой степенью вероятности будет без-отказано работать (не пробьется), существует определенная связь. Подобная зависимость наблюдается и между напряжением пробоя ипр и временем, в течение которого это напряжение находится на зажимах конденсатора, и определяется эмпирической формулой

У парамагнетиков также х < 1, но положительная. Они намагничиваются в направлении поля и втягиваются в области с максимальным Н. На 11.1. а показана зависимость намагниченности Jm от Н для диа-и парамагнетиков. В обоих случаях Jm ~ Я, что свидетельствует о независимости х от Н. Однако у парамагнетиков такая зависимость наблюдается лишь в относительно слабых полях и при высоких температурах; в сильных полях и при низких температурах Jm (H) асимптотически приближается к предельному значению Js, соответствующему магнитному «насыщению» парамагнетиков ( 11.1, б). Кроме того, х у парамагнитных тел зависит от температуры:

Технология производства магнитов с органическим и металлическим связующим имеет много общего. При производстве магнитов с высокой удельной энергией 32—36 кДж/м3 используют порошок SmCo5 или порошки сплавов RCo6 с высоким содержанием самария. Для увеличения значений остаточной индукции и удельной энер-гии в шихту добавляют порошки РгСо5 или Sm2Co17. Значения температурных коэффициентов обратимых изменений намагниченности регулируют добавлением порошков GdCo5 и NdCoa. При производстве более дешевых магнитов с удельной энергией около 24 кДж/м3 используют порошки ММСо3Си2, SmCos^Cu^j и РгСо5. Магнитные свойства композиций существенно зависят от содержания самария в исходных сплавах, а также от количества связующего. Согласно [9], наибольшая удельная энергия ( 64) получается при использовании порошка SmCo6 и не при плотной упаковке зерен, а ( 55) при 30 процентах по объёму содержания связующего. Аналогичная зависимость наблюдается [19] у композиций с металлическим связующим. Возрастание удельной энергии при увеличении количества связующего можно объяснить уменьше-

нием магнитно-статического взаимодействия между частицами ввиду их лучшего разделения немагнитным материалом. Аналогичная зависимость наблюдается и у композиций с основой из удлиненных однодоменных частиц. Оптимальную плотность упаковки удлиненных частиц, определяемую по критерию максимума удельной энергии w композиционного материала, можно найти с учетом следующих условий. Если характеристика размагничивания композиционного материала ц„Л1 = f (H) имеет прямоугольную форму (см. 62, г), то Br = fi0Afs;

На 3.4.3 показана взаимосвязь 1/С2 и V, полученная перестройкой графиков, приведенных на 3.4.2. Видно, что линейная зависимость наблюдается для всех диодов. Согласно полученным результатам, перенос носителей в данных диодах на барьерах Шоттки, выполненных на легированных фосфором пленках а-Si:H, совершенно аналогичен тому, что имеет место в кристаллическом полупроводниковом диоде, по крайней мере, в феноменологическом смысле. Это позволяет считать, что наклон графика 1/С2— — V отражает эффективную плотность ионизованных состояний и запрещенной зоне (Nj) в обедненной области аморфного барьера Шоттки. Предполагается также, что при анализе ИНЕС-сигналов в легированном фосфором a-Si:H можно применять фундаментальные соотношения между g(E) и ИНЕС-сигналом, т.е. уравнения (3.4.12) и (3.4.13).

На 3.4.3 показана взаимосвязь 1/С2 и V, полученная перестройкой графиков, приведенных на 3.4.2. Видно, что линейная зависимость наблюдается для всех диодов. Согласно полученным результатам, перенос носителей в данных диодах на барьерах Шоттки, выполненных на легированных фосфором пленках а-Si:H, совершенно аналогичен тому, что имеет место в кристаллическом полупроводниковом диоде, по крайней мере, в феноменологическом смысле. Это позволяет считать, что наклон графика 1/С2-— V отражает эффективную плотность ионизованных состояний и запрещенной зоне (Nf) в обедненной области аморфного барьера Шоттки. Предполагается также, что при анализе ИНЕС-сигналов в легированном фосфором a-Si:H можно применять фундаментальные соотношения между g(E) и ИНЕС-сигналом, т.е. уравнения (3.4.12) и (3.4.13).

Удельный заряд гранулированного полипропилена при повышении скорости транспортирования от 15 до 30 м/с несколько возрастает и проходит через максимум. Затем уменьшается и, пройдя через минимум при 40 м/с, снова монотонно увеличивается. Аналогичная зависимость наблюдается и при транспортировании гранулированного полистирола (максимум при 35 м/с) и сополимера ЛП-9 (максимум при 8 м/с). На высоте 0,30—0,35 м от нижнего конца вертикального пневмоствола гранулированного полипропилена и на высоте 0,5 м при транспортировании гранулированного полистирола можно наблюдать довольно четкую границу, ниже которой практически отсутствует пленка на стенках трубы. По мере формирования пленки удельный заряд при одной и той же скорости постепенно убывал, и на участках 2—4 ( 21) процессы электризации уступали место процессам разряда материала, зарядившегося на начальных участках ( 24). Сополимер ЛП-9 не образует покрытия на стенках труб и заряжается на всем пути транспортирования. На участках 2—4

затем возрастает, но до меньшего значения, чем в точке UCi.= Um{nt. Затем КПД опять уменьшается. Эта зависимость наблюдается при всех токах, однако с уменьшением тока этот эффект уменьшается. Увеличение КПД происходит вблизи напряжения UB*, причем чем меньше ток, тем ближе эта точка лежит к UCi, = UH*. Общее уменьшение КПД при изменении напряжения во всем заданном диапазоне составляет около 3—4 % и мало зависит от тока нагрузки (У — /н*= 1; 2 — /н* = 0,5; 3 — /„* —0,2).

Следует отметить, что сопротивление тензорезистора меняется с температурой и при отсутствии механического воздействия. Эта температурная зависимость неприклеенного тензорезистора, измеренная в воздушной среде, представляет собой температурную характеристику собственно материала полупроводника и в значительной степени определяется его удельным сопротивлением. Минимальная температурная зависимость наблюдается у р-кремния с удельным сопротивлением р« « Ю-2 Ом • см. Поэтому такие кремниевые тензорезисторы характеризуются минимально возможным температурным коэффициентом. Так как коэффициент К тензорезистора на основе такого материала равен +120, то подобные тензорезисторы в определенном смысле представляют оптимальный вариант. Зависимость &R/R от температуры в отсутствие деформации для