Зависимость критического

Для большинства сверхпроводящих материалов зависимость критической плотности тока /с от индукции магнитного поля В, превышающей 4—5 Тл с достаточной точностью аппроксимируется выражением В/с—const. При создании сверхпроводящих соленои-

Для большинства сверхпроводящих материалов зависимость критической плотности тока ус от индукции магнитного поля В, превышающей 4—5 Тл, с достаточной точностью аппроксимируется выражением Bje = = const. При создании сверхпроводящих соленоидов выявилось явление деградации, заключающееся в снижении критического тока по сравнению с током длинной прямой проволоки.

а — зависимость критической амплитуды колебаний aJK

На 11.3 приведен рекомендованный диапазон высоты цифр (или букв) h при различном расстоянии / до них, а на 11.4—зависимость критической частоты мелькания f от яркости светящихся знаков L при цифровой индикации.

I 2 3 Т°К зависимость критической напряженности

7.11. Зависимость критической плотности теплового потока от температуры

7.14. Зависимость критической плотности теплового потока от отношения проходных сечений трубы и щелей завихрителя (^щ, = 15 мм, / =150 мм, я р =9,8 МПа, и>вх =6,9-f 7,9 м/с) "

7.16. Зависимость критической плотности теплового потока, полученной в опытах с тангенциальным (о) и осевым завихрите-лем (п) от массовой скорости (dBH = 15 мм, р=9,8МПа)

7.18. Зависимость критической плотности теплового потока от отношения

8.2. Зависимость критической плотности теплового потока от па-росодержания на входе в пучок стержней [ 103 ]:

8.5. Зависимость критической мощности от температуры воды на входе при р = 7,35 МПа и pw = =600 кг/(м2. с):

05- °'^^''^^^^ Р"с- 7-33- Зависимость критического пара-

2.7. Зависимость критического значения iVn_ c> от концентрации примесей в подложке

3-71. Зависимость критического тока от давления водорода (а) и кривые сеточных токов в функции от анодного напряжения (б) в таситроно.

Размеры провода. Несмотря на некоторый разброс экспериментальных данных, результаты испытаний показывают, что зависимость критического напряжения от толщины провода близка к линейной и не подтверждает формулу (6.29), в которую размер толщины провода входит в степени 2. Аналогичные кривые получены и при отсутствии опор. При испытаниях выявлена зависимость критического напряжения не только от толщины, но и от высоты провода — с увеличением высоты провода критическое напряжение уменьшается.

10. Кириллов П. Л. Обобщенная зависимость критического теплового потока оглавления при кипении металлов в большом объеме. — Атомная энергия. 1968, т. 24, вып. 2, с. 143—146.

80. Температурная зависимость критического давления (I), начало гомогенного заро-дышеобразования и давления насыщенных газов (2): а — тетраэтоксисилан; б — спирт

1. Определяется зависимость критического расстояния от концентрации горючей смеси: 1кр = / (К).

критического расстояния производится для 5—8 концентраций исследуемого горючего с воздухом (кислородом), лежащих в пределах воспламенения, и после этого строится зависимость критического расстояния от концентрации ( 45).

Рис 45. Зависимость критического рас- 46. Зависимость минимальной стояния гкр от состава смеси. энергии зажигания от состава смеси

Зависимость критического тока от напряжения коллектор-эмиттер.

Зависимость критического тока от напряжения коллектор-эмиттер.