Зависимость комплексного

4.9. Схема задания тока базы генератором тока (а), делителем напряжения (б) и зависимость коллекторного тока от температуры (в)

Преобразуем (1.2) так, чтобы выявить зависимость коллекторного тока от тока базы. Для этого из (1.3) получим

Выходной или коллекторной ВАХ транзистора называется зависимость коллекторного тока от напряжения между коллектором и эмиттером /к =/(^кэ). снятая при неизменном токе базы /Б =const. Для снятия этой характеристики можно воспользоваться схемой 1.6 при поддержании постоянства /Б. Семейство выходных ВАХ транзистора приведено на 1.7, а. Зависимость /к (^кэ). как видно из рисунка, является нелинейной и может быть разбита на ряд участков.

Аналитически зависимость коллекторного и эмиттерного токов транзистора от напряжений на p-n-переходах выражается с помощью уравнений Эберса — Молла:

Определим зависимость коллекторного тока IK(«BX) и напряжений на коллекторе и эмиттере мк(ывх), "э("вх). Считаем заданными сопротивления Rs, RK и Ra, характеристики базовой /Б (U БЭ, ?/кэ) и коллекторной /к(^кэ , /Б) 'Цепей ( 4.6,а,б). Проводим нагрузочную прямую аб на 4.6,6 в соответствии с уравнением

3.24. Типичная зависимость коллекторного

где р2 — коэффициент передачи тока базы транзистора Т2. Решая уравнение (3.21), получаем зависимость коллекторного тока /R2 от времени [см. (2.17)]:

Световая характеристика фототранзистора — зависимость тока коллектора от светового потока /к=г)(Ф) — линейна только при малых потоках. С увеличением светового потока и ростом концентрации неравновесных носителей в базе повышается вероятность их рекомбинации, снижаются коэффициенты переноса и инжекции фототраизис-тора (см. § 4.3). Прямо пропорциональная зависимость коллекторного тока от светового потока нарушается.

Аналитически зависимость коллекторного и эмиттерного токов транзистора от напряжений на переходах выражается с помощью уравнений Эберса — Молла:

При необходимости из семейства выходных характеристик с нагрузочной линией по точкам их пересечений может быть найдена так называемая динамическая характеристика в координатах iK, /б. Такая динамическая характеристика отражает зависимость коллекторного тока от величины тока базы в схеме с заданными транзистором и нагрузкой ( 4.14, t). Наконец, по входным характеристикам триода ( 4.14, б) легко получить связь между током базы и ее потенциалом. Тогда динамическая характеристика может быть перестроена в координатах /„., и6 и будет отражать зависимость коллекторного тока от потенциала базы относительно эмиттера ( 4.14, г). Обращает на себя внимание гораздо худшая линейность кривой на 4.14, е по сравнению с кривой 4.14, в, что является характерной особенностью биполярных транзисторов. Все сказанное о построении динамических характеристик справедливо и для схем с полевыми триодами, анализ которых проводится совершенно аналогично путем построения нагрузочной прямой. В схемах с полевыми триодами имеет смысл только динамическая характеристика в координатах гс, ы3; она обладает гораздо лучшей линейностью, чем аналогичная кэивая для схемы с биполярным транзистором.

Амплитудные характеристики узкополосного усилителя сравнительно легко могут быть вычислены количественно, если обратиться к материалу § 8.5 и применить для решения этой задачи кусочную аппроксимацию динамических характеристик. Зависимость коллекторного тока от времени для первого режима (рабочая точка в середине квадратичного участка) при воздействии на усилитель гармонического сигнала вида

Если К.(ы) =/С(сй)е/ф(т) — частотная характеристика цепи, представляющая собой частотную зависимость комплексного коэффициента передачи, то спектральная функция выходного сигнала

Частотную характеристику (зависимость комплексного входного сопротивления от частоты) для 5.16 можно получить из выражения

Зависимость комплексного коэффициента усиления усилителя от частоты, т. е. /С[ю), носит название частотно-фазовой характеристики усилителя.

активных и реактивных элементов, поэтому модуль коэффициента усиления и разность фазовых углов на выходе и входе усилителя являются частотно-зависимыми. Зависимость комплексного коэффициента усиления от частоты К_ (ю) является частотно-фазовой характеристикой усилителя ( 6.1.12). В процессе изучения усилителя зависимость модуля коэффициента от частоты К(ш) амплитудно-частотной характеристики усилителя и зависимость изменения фазового угла от частоты обычно рассматривают отдельно. Области частот от 0 до и>„ и от ш„ до со = со характеризуются значительным изменением коэффициента усиления, а область от о>„ до со„ (полоса пропускания) характеризуется незначительным изменением коэффициента усиления от частоты. Особенность работы усилителя в области низких, средних и высоких частот частотной характеристики ( 6.1.12) может быть установлена при анализе этой характеристики с использованием схемы замещения (см. рис, 6.1.10,6) усилительного каскада с общим эмиттером (см. 6.1.11).

Зависимость комплексного входного тока от частоты определяется из уравнения

Зависимость комплексного тока в контуре от обобщенной расстройки

Зависимость комплексного тока в контуре от обобщенной расстройки:

Зависимость комплексного коэффициента усиления усилителя от частоты, т. е. K(w), носит название ч а с т о т н о-ф а з о в о й характеристики усилителя.

При прохождении сигнала через усилитель его форма подвергается изменению. Эти изменения формы обычно называют искажением сигнала. Искажения сигнала называют линейными, если при передаче его через усилитель спектральный состав не изменяется. Это означает, что если гармонический сигнал подать на вход усилителя, то на выходе усилителя сигнал также будет гармоническим и с той же частотой. Основной причиной линейных искажений является зависимость комплексного коэффициента усиления от частоты входного сигнала.

Зависимость комплексного входного тока от частоты определяется из уравнения