Зависимость граничной

Зависимость фотопроводимости сгф пленок a-Si : Н от энергии фотонов ?ф излучения (кривая /) показана на 9. Определяли фотопроводимость как разность между электропроводностями пленки a-Si : Н при воздействии излучения с данной длиной волны и в темноте. На 9 показана также зависимость интенсивности солнечного излучения / от энергии фотонов (кривая 2). Как видно из этого рисунка, кривые / и 2 хорошо согласуются друг с другом: максимум фоточувствительности соответствует области длин волн, в которой наблюдается максимальная интенсивность солнечного излучения. Это послужило одной из основных причин широкого использования гидрогенизированного аморфного кремния в фотоэлектрических преобразователях (ФЭП) солнечной энергии — солнечных батареях. Другой причиной является низкая стоимость гидрогенизированного аморфного кремния по сравнению со стоимостью монокристаллических полупроводников, традиционно используемых в этой области.

Спектральная зависимость фотопроводимости. Проанализируем спектральную зависимость фотопроводимости.

Выражение (4.13) описывает спектральную зависимость фотопроводимости полупроводникового материала, так как коэффициент поглощения а зависит от длины волны света. В области собственного поглощения, где поглощение фотона сопровождается генерацией свободных электрона и дырки, коэффициент а=103-;-Ч-106 см"1. Кроме коэффициента поглощения еще две величины зависят от длины волны: коэффициент квантового ныхода р и коэффициент отражения R. При энергиях фотонов, меньших ширины за-

Измерив спектральную зависимость фотопроводимости на одном и том же образце при двух различных значениях скорости поверхностной рекомбинации s\ и s2, из графиков AG(a~') определим

Зависимость ЭДС фотомагнитоэлектрического эффекта от интенсивности света и индукции магнитного поля по сравнению с той же зависимостью тока короткого замыкания носит более сложный характер, так как следует учитывать зависимость фотопроводимости образца от интенсивности света. Когда фотопроводимость мала, напряжение ?/фМЭ изменяется пропорционально интенсивности света. При высоком уровне возбуждения, когда фстопроводимость значительно превышает темновую проводимость образца, фото-магнитная ЭДС стремится к насыщению.

точной для возбуждения .электрона с самого верхнего уровня валентной зоны на самый* нижний уровень зоны проводимости, т. е, равна ширине запрещенной зоны. Поэтому, имея эксперименталь* ную зависимость фотопроводимости полупроводника от длины волны падающего света, можно определить ширину запрещенной зоны полупроводника экстраполировав круто падающую кривую в длинноволновой области до пересечения с осью абсцисс.

8-8. Зависимость фотопроводимости полупроводников от интенсивности облучения

Частотная зависимость фотопроводимости. Как видно из 8-7, в области малых длин волн (левее максимума кривой) наблюдается спад фотопроводимости. Это объясняется быстрым увеличением коэффициента поглощения с ростом частоты и уменьшением глубины проникновения падающей на тело электромагнитной энергии. Поглощение происходит в тонком поверхностном слое, где и образуется основное количество носителей заряда. Появление большого числа избыточных носителей заряда только у поверхности слабо отражается на проводимости всего объема полупроводника, потому что скорость поверхностной рекомбинации больше, чем объемной, и проникающие внутрь неосновные носители заряда увеличивают скорость рекомбинации в объеме полупроводника.

Зависимость фотопроводимости от интенсивности облучения. При энергии квантов, обеспечивающей появление фотопроводимости, значение ее возрастает с увеличением интенсивности облучения, так как одновременно происходят два процесса с противоположным влиянием на фотопроводимость: с одной стороны, увеличивается число носителей, а с другой — возрастает рекомбинация с увеличением концентрации носителей как одного, так и другого знака. В результате получается зависимость, показанная на 8-8. Закономерности возрастания фотопроводимости с изменением интенсивности облучения у разных полупроводников различные. На практике в некоторых случаях пользуются зависимостью вида

4.1.8. Зависимость фотопроводимости в пленках a-Sij_ xGc^ : Н от оптической ширины запрещенной зоны. Мощность светового импульса /",-„ = 100 мВт/см2, усло-вия АМ-1

4.1.8. Зависимость фотопроводимости в пленках a-Si]_XG<^^: H от оптической ширины запрещенной зоны. Мощность светового импульса Pjn = 100 мВт/см2, усло-ния АМ-1

2.59. Зависимость граничной частоты / от толщины экрана d из стали и магнитной проницаемости (1

Зависимость граничной концентрации неосновных носителей заряда от напряжения

Чтобы подвести итог, построим в полулогарифмическом масштабе зависимость граничной концентрации неосновных носителей от напряжения на p-n-переходе ( 2.2). При малых токах эта

2.2. Зависимость граничной концентрации неосновных носителей заряда около р-л-перехода от напряжения, приложенного к

2.19. Зависимость граничной концентрации носителей заряда около омического перехода от потока или от плотности тока этих носителей

4.39. Зависимость граничной частоты коэффициента передачи тока базы транзистора от

На 4.33 приведена типичная зависимость граничной частоты от тока эмиттера. В области малых токов в соответствии с (4.39) граничная частота увеличивается с ростом тока, что обусловлено уменьшением дифференциального сопротивления эмиттерного перехода. В области больших токов с ростом тока увеличиваются толщина базы (эффект Кирка) (см. §4.5) и время пролета электронов через базу, поэтому граничная частота уменьшается.

Зависимость граничной частоты от тока эмиттера.

Зависимость граничной частоты от тока коллектора.

Зависимость граничной частоты от напряжения коллектор-эмиттер.

Зависимость граничной частоты от тока коллектора.