Зависимость допустимой

На низких частотах, для которых юСбар^<с1, эквивалентная схема варикапа представляет параллельное соединение Ry и Сбар ( 3.16,6). Добротность варикапа при этом С)в.н.ч~соСбар#у. С повышением частоты и добротность возрастает. На высоких частотах соСбарЯу»! и добротность варикапа QB.B.4= 1/(<йСбарГ5). С ростом частоты добротность падает. Эквивалентная схема варикапа для этого случая изображается последовательным соединением rs и Сбар '( 3.16, б). Таким образом, зависимость добротности варикапа QB от частоты ( 3.17) имеет максимум в диапазоне 10—30 МГц.

Величина ТКЕ варикапов зависит от температуры ( 3.46, а) и при перепаде температур от —60° С до +150° С составляет + (ЮОч-20010~61/град. Зависимость добротности варикапов от частоты ( 3.46, б) указывает на ограниченную область частот, при которой целесообразно применять полупроводниковый конденсатор в качестве элемента настройки контура.

На 4.14 показана зависимость добротности катушек с броневыми магнитопроводами от частоты. Данные катушек приведены в табл. 4.4.

Зависимость добротности катушки с ферритовым магнитопро-водом от величины постоянного магнитного поля определяется свойствами магнитного материала и величиной цэф ил*и цотн.мп. Добротность катушки при подмагничи-вании магнитопровода зависит как от величины его потерь, которые уменьшаются с увеличением поля, так и от величины ц, которая уменьшается с увеличением поля.

На 4.16 показана зависимость добротности и индуктивности катушек с магнитопро-водами из феррита от постоянного тока подмагаичивания.

4.16. Зависимость добротности и индуктивности катушек с магнитопроводами из феррита при различных значениях начальной магнитной проницаемости от тока подмагни-чивания [24]

4.14. Последовательный контур настраивается изменением емкости С ( 4.14). При С = С0 ток в контуре максимален (/ = /тах). При изменении емкости на величину ДС = С - С0 < С0 ток /= /тахЛ/^- а) Определить зависимость добротности контура от ДС. б) Определить добротность при С0 = 250 пФ, С = 255 пФ.

3.3. Эквивалентная схема замещения варикапа (а) и зависимость добротности от частоты (б)

2.31. Зависимость добротности полого резонатора от чистоты поверхности и способа обработки:

На 2.31 даны экспериментально полученные кривые, характеризующие зависимость добротности полого резонатора от чистоты токонесущей поверхности и способа ее обработки. Из графиков видно, что при полировании (аналогично шлифовании, суперфинишировании, хонинговании) с уменьшением класса чистоты добротность резко падает. При обработке раскатыванием кривые более пологи, т, е. при достижении требуемой доб-

В каскадных батареях интервал температур (Г^ — Г0) достаточно большой, поэтому при расчетах необходимо учитывать температурную- зависимость добротности материала. Случай, когда Z <- „

3.4. Зависимость допустимой величины импульсной помехи от ее длительности

Если воспользоваться (2.245а), то из (2.246), (2.247) выводится зависимость допустимой рабочей плотности тока от размеров катушки:

7.6. Зависимость допустимой рассеиваемой мощности на стабилитронах КС156А и КС168А от температуры

Особенностью технологии прессования изделий из реактопластов является зависимость допустимой температуры нагрева от времени нагрева [10]. Если время нагрева составляет 5—8 с и меньше, то нагрев таблеток можно проводить] до температуры отверждения пресс-массы. Замедление нагрева приводит к частичной полимеризации связующего еще до переноса таблеток в пресс-форму, что вредно сказывается на качестве изделий. При медленном нагреве допустимую температуру следует понижать. Чаще всего нагревают до 120 °С. Минимальное время нагрева ограничено скоростью 30 К/с [10].

Зависимость допустимой длительности (в секундах) наличия составляющей обратной последовательности тока в обмотке статора генератора принято характеризовать уравнением адиабатического процесса

Композиционные резисторы. У композиционных резисторов (группы СЗ И С4) РИС' 5'3' Зависимость допустимой f • г \ г* r мощности рассеяния для резистора Материал ТОКОПрОВОДЯЩеГО СЛОЯ ПОЛу- типа С2-24 от температуры окру-

8. Проверяется блок ограничения минимального возбуждения (ОМВ), и предварительно настраивается зависимость допустимой отрицательной реактивной мощности (—Q) от активной (Р).

Трансформаторы тока для целей релейной защиты подбираются по кривым предельной кратности Д'ю при полной погрешности трансформатора тока е—10%, которые дают зависимость допустимой нагрузки вторичной обмотки Здоп от предельной кратности первичного тока Яю=/1//1ыом при условии, что полная погрешность е трансформаторов тока не превышает 10%. При погрешности в 10% трансформатор тока работает в начале насыщенной части кривой намагничивания. Погрешность трансформатора тока тем выше, чем больше первичный ток.

На основании (3-27) и графика 3-13 нетрудно построить зависимость допустимой с точки зрения радиопомех максимальной напряженности поля на поверхности провода от радиуса провода для различных условий погоды (различных Нал). Такие зависимости построены на 3-14 для Ун — 34 дБ (сплошные линии) и Ун = 40 дБ (пунктир) в предположении, что в течение всего года относительная плотность воздуха 6=1.

Трансформаторы тока для релейной защиты подбирают по кривым предельной кратности К\а при полной погрешности трансформатора тока е=10%, которые дают зависимость допустимой нагрузки вторичной обмотки 2ДО„ от предельной кратности первичного тока Кю*= =1\/1\ъои при условии, что полная погрешность е трансформаторов тока не превышает 10 %. При погрешности в 10 % трансформатор тока работает в начале насыщенной части кривой намагничивания. Погрешность трансформатора тока тем выше, чем больше первичный ток.

ppw, q(z); 2—зависимость допустимой плотности теплового потока от паросодержания; 3 — эпюра плотности теплового потока вдоль канала в координатах q(x); 4 — эпюра плотности теплового потока вдоль канала при увеличении мощности в п раз; 5 — та же эпюра, но с учетом неточности определения q их; 6 — точка касания кривых 2 и 5