Зависимость длительности

Зависимость диэлектрической проницаемости от напряженности электрического поля впервые была обнаружена у сегнетовой соли (NaKC4H4Oe -4H2O), в связи с чем диэлектрики, обладающие этим свойством, называют с е г н е -тоэлектриками1. Электрические свойства сегнето-электриков, подробно исследованные И. В. Курчатовым и др., в значительной степени подобны магнитным свойствам ферромагнитных веществ. Характер зависимости q (и) сег-нетоконденсатора аналогичен зависимости Ч*1 (г) для катушки с ферромагнитным сердечником.

Длясегнетоэлектриков (названиеотсегнетовойсоли) характерен доменный тип поляризации, отличающийся тем, что в диэлектрике до наложения внешнего электрического поля имеются не отдельные полярные молекулы, а целые самопроизвольно поляризованные области (домены). Под действием внешнего электрического поля домены однообразно ориентируются так, что в диэлектрике создается большой поляризованный заряд и большой электрический момент. Следовательно, такие материалы имеют очень большую диэлектрическую проницаемость. Кроме того, зависимость диэлектрической проницаемости от напряженности электрического поля нелинейная, а после снятия внешнего электрического поля в сегнетоэлектриках поляризационный заряд не уменьшается до нуля, т. е. наблюдается остаточная поляризованность.

4.5. Зависимость диэлектрической проницаемости ? (а) от частоты f для полярного полимера - политрифтор-хлорэтилена при различных температурах Т

Зависимость е от давления. Как правило, ? линейных диэлектриков при увеличении действующего на диэлектрик давления р возрастает, так как при всестороннем сжатии растет плотность и, следовательно, число способных поляризоваться молекул в единице объема вещества. Поэтому относительное увеличение при повышении давления р на единицу давления (барический коэффициент) диэлектрической проницаемости

К криогенным температурам относят температуры, при которых наступает глубокое охлаждение, т. е. температуры от 80 до О К. В криоэлектронных приборах используются различные явления: сверхпроводимость металлов и сплавов, зависимость диэлектрической проницаемости некоторых диэлектриков от напряженности электрического поля, появление у металлов при температуре ниже 80 К полупроводниковых свойств при аномально высокой подвижности носителей заряда и др. Принципы криоэлектроники используют для построения ряда приборов (криотроны, квантовые и параметрические усилители,, резонаторы, фильтры, линии задержки и др.). Наиболее распространенным из этих приборов является криотрон, представляющий собой переключающий криогенный элемент, основанный на свойстве сверхпроводников скачком изменять свою проводимость под воздействием критического магнитного поля.

Зависимость диэлектрической проницаемости от напряженности электрического поля впервые была обнаружена у сегнетовой соли (ЫаКС4Н4Об-4Н2О), в связи с чем диэлектрики, обладающие этим свойством, называют сегнето-электриками1. Электрические свойства сегнетоэлектриков, подробно исследованные И. В. Курчатовым и др., в значительной степени подобны магнитным свойствам ферромагнитных веществ. Характер зависимости q(u) сегнетоконденсато-

Для сегнетоэлектри-ков характерна сильная зависимость относительной диэлектрической проницаемости от напряженности электрического поля ( 2-7). Как видно из рисунка, эта зависимость наблюдается как при весьма низких температурах, так и при положительных. Но в приведенном примере при +130° С, т. е. при температуре выше точки Кюри, зависимость диэлектрической проницаемости от напряженности пропадает.

ной структурой и характерными сегнетоэлектрическими свойствами- выше этой температуры происходит распад доменной структуры и сегнетоэлектрик переходит в параэлектрическое состояние. Следствием доменного строения сегнетоэлектриков являются нелинейная зависимость их электрической индукции от напряженности электрического поля ( 6.11), которая носит название диэлектрической петли гистерезиса (см. § 5.1), и резко выраженная температурная зависимость диэлектрической проницаемости, в которой максимум диэлектрической проницаемости достигается при температуре, соответствующей точке Кюри. На 6.12 приведена зависимость диэлектрической проницаемости титаната бария от температуры при различной напряженности электрического поля.

Сёгнетоэлектрики находят применение: для изготовления малогабаритных низкочастотных конденсаторов с большой удельной емкостью; для изготовления материалов с большой нелинейностью поляризации для диэлектрических усилителей, модуляторов и других управляемых устройств; в вычислительной технике — для ячеек памяти; для модуляции и преобразования лазерного излучения; в пьезо- и пироэлектрических преобразователях. Среди конденсаторной сегнетокерамики можно выделить ряд материалов. Например, Т-900, кристаллическая фаза которого .представляет собой твердый раствор титанатов стронция SrTiO3 и висмута Bi4Ti3O12 с температурой Кюри 7V - —140 °С. Этот материал имеет сглаженную зависимость диэлектрической проницаемости от температуры. Для производства малогабаритных конденсаторов на низкие напряжения используют также материал СМ-1,изготовляемый на основе титана-та бария с добавкой оксидов циркония и висмута. Для изготовления конденсаторов, работающих при комнатной температуре, в том числе и высоковольтных, используется материал Т-8000 (er ~ 8000), имеющий кристаллическую фазу на основе ВаТЮ3 — BaZrO3. Точка Кюри этого материала находится вблизи комнатной температуры.

Криоэлектроника (криогенная электроника)—направление электроники и микроэлектроники, охватывающее исследование взаимодействия электромагнитного поля с электронами в твердых телах при криогенных температурах и создание электронных приборов на их основе. К криогенным температурам относят температуры, при которых наступает глубокое охлаждение, т. е. температуры от 80 до О К. В криоэлектронных приборах используются различные явления: сверхпроводимость металлов и сплавов, зависимость диэлектрической проницаемости некоторых диэлектриков от напряженности электрического поля, появление у металлов при температуре ниже 80 К полупроводниковых свойств при аномально высокой подвижности носителей заряда и др. Принципы криоэлектроники используют для построения ряда приборов (криотроны, квантовые и параметрические усилители, резонаторы, фильтры, линии задержки и др.). Наиболее распространенным из этих приборов является криотрон, представляющий собой переключающий криогенный элемент, основанный на свойстве сверхпроводников скачком менять свою проводимость под воздействием критического магнитного поля. Действие криотрона аналогично работе ключа или реле. Криотрон может находиться только в одном из двух состояний — либо в сверхпроводящем, либо с малой электропроводностью.

Полагая, что температурная зависимость диэлектрической проницаемости воздуха существенно меньше ТК диэлектрической проницаемости материала каркаса, то для составляющей ТК контура, зависящей от собственной емкости катушки, будет справедливо выражение

Главным недостатком счетчиков с последовательным переносом является зависимость длительности счета от разрядности. Максимальное время установления кода в счетчике

Основной отличительной особенностью асинхронного счетчика является зависимость длительности переходного процесса в счетчике от его разрядности, что, естественно, накладывает определенные ограничения на величину максимальной частоты поступления входных сигналов ХСч- С ростом разрядности счетчика необходимо понижать частоту его работы с тем, чтобы избежать искажения информации при счете. Так как каждый //(-триггер обладает конечной величиной времени задержки сигнала, то с ростом разрядности счетчика п будет возрастать величина задержки поступления сигнала на вход С некоторого /-го разряда относительно времени поступления входного сигнала Хсч на вход С младшего разряда счетчика. Из временной диаграммы видно, что такая задержка может привести к искажению информации в счетчике (моменты времени 4 и 8 отмечены пунктиром). Работа такого счетчика на дешифрирующие схемы затруднительна, так как во избежание ложного срабатывания дешифратора управляющий сигнал Дешифрация должен отстоять по времени от момента поступления очередного входного считываемого сигнала Ясч на время, равное (или большее) максимальному времени переходного процесса для всего счетчика.

Среднее напряжение элементов с хлористым серебром—1,4— 1,5 В, с хлористой медью — 1,2—1,4 В, с хлористым свинцом — 0,9—1,1 В. Зависимость длительности разряда от температуры в отличие от марганцево-цинко-вых и ртутно-цинковых элементов чрезвычайно мала. В качестве примера на 224 показаны разрядные кривые хлористо-медно-маг-ниевой батареи 2,8-МХМ при токе разряда, равном 1 А. Подъем напряжения в начале разряда (участок А на 224) объясняется явлением активации магниевого электрода и является характерной чертой магниевых батарей.

Разновидности ключевых каскадов на биполярных транзисторах. Рассмотренная простейшая схема транзисторного ключа имеет целый ряд недостатков. К ним можно отнести следующие: а) использование биполярного сигнала для управления, что затрудняет сопряжение однотипных ключей, так как выходной сигнал однополяр-ный; б) увеличение времени рассасывания при сокращении времени включения за счет более глубокого насыщения транзистора во включенном состоянии; в) низкое быстродействие, вызванное значительным временем рассасывания /р; г) зависимость длительности фронта и среза выходных импульсов от степени насыщения транзистора, т. е. при прочих равных условиях от коэффициента усиления транзистора по току В. Так как значения В у транзисторов одной группы имеют существенный разброс, то значения <вкл и ^выкл при смене транзистора будут изменяться, что создает дополнительные затруднения при серийном производстве аппаратуры.

Основной отличительной особенностью асинхронного счетчика является зависимость длительности переходного процесса в счетчике от его разрядности, что, естественно, накладывает определенные ограничения на величину максимальной частоты поступления входных сигналов Асч. С ростом разрядности счетчика необходимо понижать частоту его работы с тем, чтобы избежать искажения информации при счете. Так как каждый //(-триггер обладает конечной величиной времени задержки сигнала, то с ростом разрядности счетчика п будет возрастать величина задержки поступления сигнала на вход С некоторого /-го разряда относительно времени поступления входного сигнала Хсч на вход С младшего разряда счетчика. Из временной диаграммы видно, что такая задержка может привести к искажению информации в счетчике (моменты времени 4 и 8 отмечены пунктиром). Работа такого счетчика на дешифрирующие схемы затруднительна, так как во избежание ложного срабатывания дешифратора управляющий сигнал Дешифрация должен отстоять по времени от момента поступления очередного входного считываемого сигнала Хсч на время, равное (или большее) максимальному времени переходного процесса для всего счетчика.

зование биполярного сигнала для управления, что затрудняет сопряжение однотипных ключей, так как выходной сигнал однополярный; б) увеличение времени рассасывания при сокращении времени включения за счет более глубокого насыщения транзистора во включенном состоянии; в) низкое быстродействие, вызванное значительным временем рассасывания ^р; г) зависимость длительности фронта и среза выходных импульсов от степени насыщения транзистора, т. е. при прочих равных условиях от коэффициента усиления транзистора по току В. Так как значения В у транзисторов одной группы имеют

3.3. Зависимость длительности Аа открытого состояния вентиля в режиме прерывистого тока от угла управления а при различных значениях cpH=arctg(coL/./?); для схем с р>3 необходимо вместо а подставлять а'=а+гт/2—я/'р; L, R — параметры нагрузки; а — угловая частота сети

3.58. Зависимость длительности протекания тока вентиля Ха от угла управления а трехфазного регулятора переменного напряжения без кулевого провода; симметрично управляемая схема: а—а—а — при активной нагрузке; Ь—Ь — при индуктивной нагрузке; несимметричная (полууправляемая) схема: с—с—с — при активной нагрузке; of—д — при индуктивной нагрузке

На кристалле схемы (между выводами П и 9) имеется внутренний интегральный резистор RBh с номиналом примерно 2 кОм Зависимость длительности выходного импульса твы» от номиналов RT и Ст представлена на диаграмме ( 1.127, в) Если требуемый номинал RT <
1.136. Мультивибратор АГ1 (а), его схема включения (б) и зависимость длительности выходного импульса от номиналов Rt и Ct

4.7. Зависимость длительности работы ртутно-циикового элемента от температуры (элемент типа Е12, емкость равна 3,6 А-ч).