Зависимость эффективности

Определить энергию и базу этого сигнала при Л = 10 В, /0 = 1 МГц, а=104с~1, Р= 109 рад-с~2. Построить зависимость эффективной ширины спектра от (3 при заданном а и при изменении р в пределах 0...108 1/с2.

Зависимость эффективной яркости от частоты переменного

Для магнитопроводов в виде круглых стержней зависимость эффективной магнитной проницаемости от отношения их длины к диаметру показана на 4.13.

. 225. Зависимость эффективной магнитной проницаемости цэфф » тангенса угла потерь tg б марганец-цинковых ферритов от частоты (при НА -> 0^

226. Зависимость эффективной магнитной проницаемости (Лэфф и тангенса угла потерь tg б никель-цинковых ферритов от частоты (при Ид -> 0)

227. Зависимость эффективной мая

229, Зависимость эффективной магнитной проницаемости Нэфф и тангенса угла потерь tg в марганец-цинковых ферритов от напряженности переменного магнитного поля при / = 100 кГц (для феррита марки 6000 НМ при / = 20 кГц)

230. Зависимость эффективной магнитной проницаемости дэфф и тангенса угла потерь tg 6 марганец-цинковых ферритов от напряженности переменного ма^ гнитного поля (при / = 100 кГц)

231. Зависимость эффективной ма- 232. Зависимость эффективной магнитной проницаемости Иэфф и тангенса гнитной проницаемости 1эфф и тангенса

Что касается материалов р-типа, то теплопроводность решетки Bi2Te3-Sb2Te3 монотонно снижается при образовании твердого раствора, оставаясь низкой в широком диапазоне концентраций теллу-рида сурьмы ( 6). Ширина запрещенной зоны монотонно растет при увеличении содержания теллурида сурьмы ( 7). Оптимальными оказались твердые растворы в области 70 мол.% теллурида сурьмы. В этой области происходит упорядочение структуры, причем атомы Bi и Sb строго располагаются в слоях квинтетов. Упорядочение такого типа приводит к увеличению подвижности. Лучшим материалом при комнатной температуре, если учесть зависимость эффективной массы от состава, является твердый раствор р~75 мол.% Sb2Te3-25 мол.% В12Тез, имеющий при 300 К Z =--= (3-ЗД)1(Г3К~1[7,8].

4.32. Поперечные сечения открытого диэлектрического (а) и эквивалентного (б) волноводов; зависимость эффективной диэлектрической проницаемости е'ф от k0R (в)

и позволяет найти зависимость эффективности проволочного радиатора от сочетания номинальных значений конструктивных факторов и от их технологического разброса. В первом случае расчет ведется при детерминированных значениях конструктивных факторов, во втором—при изменении этих факторов в пределах

лей заряда расширяется и эффективность излучательной рекомбинации возрастает, приближаясь к своему объемному значению. Таким образом, эффективность излучательной рекомбинации зависит от длины волны возбуждающего света. В основе данного метода измерения диффузионной длины лежит спектральная зависимость эффективности фотолюминесценции.

Таблица 17.4. Зависимость эффективности ТЭЦ от начальны? параметров пара

4.2. В чем сущность согласования сопрягаемых преобразователей? Зависимость эффективности преобразования от степени согласованности сопротивлений для генераторных и параметрических преобразователей.

Особенностью рассматриваемой задачи является также и существенная зависимость эффективности выбранного метода для ее решения от типа ГЭС по способу создания напора (плотинная, деривационная), от вида участия ГЭС в регулировании нагрузки (без регулирования и с регулированием), от типа ГЭУ в целом как промпредприятия (ГЭС, НС, ГАЭС и т. д.) и других факторов. Наиболее значительным показателем режима ГЭС является то, как изменяется напор на ГЭС или на агрегатах во времени.

4.2. В чем сущность согласования сопрягаемых преобразователей? Зависимость эффективности преобразования от степени согласованности сопротивлений для генераторных и параметрических преобразователей.

На 5-5 представлена зависимость эффективности восстановления от вероятности восстановления за допустимое время тд. Из приведенной зависимости видно, что при малых У(тд) эффективность восстановления мала, однако уже при вероятности восстановления У(т.д)»0,8 эффективность восстановления равна 5. Таким образом, только конструктивными мерами, без дополнительных затрат можно значительно повысить надежность длительно эксплуатируемой аппаратуры.

ная без учета краевого эффекта (кривая 1) и с учетом краевого эффекта при двух различных уровнях легирования подложки (кривые 2 и 3). На этом же графике представлена также временная зависимость эффективности переноса заряда т = 1—Q(t)/Qo. Таким образом, можно заключить, что для повышения быстродействия ПЗС необходимо использовать по возможности более высоко-омные подложки и электроды небольших размеров.

5.4. Зависимость эффективности новых маневренных электростанций от режимов их использования при заряде ГАЭС и ВАЭС от КЭС на угле (а) и АЭС (б).

4.2.11. Спектральная зависимость эффективности сбора носителей заряда: / - обычного солнечного элемента на основе a-SiC:H с гомопереходом p-i-n; 2 - солнечных элементов на гетеропереходах a-SiC: Н (на основе CH4)/a-SiC : Н [41; 3 - то же, на гетеропереходах a-SiC:H (на основе C2H4)/a-Si : Н

На 5.4.3, а приведены ВАХ для солнечных элементов на основе a-Si: Н с p-i- «-переходом, содержащих /-слой с различными энергиями активации. Кривые спектральной чувствительности, т.е. зависимость эффективности собирания от длины волны, для этих солнечных элементов приведены на 5.4.3, б. Когда энергия активации /-слоя уменьшается, диффузионный потенциал снижается. Эффективность собирания в длинно-