Зависимостью сопротивления

В усилителях постоянного тока точность усиления существенно ограничивается инфранизкочастотными шумами, называемыми нестабильностью напряжения смещения (дрейфом нулевого уровня), которая обусловлена зависимостью параметров усилительных элементов от температуры, их изменением во времени и от напряжения питания, что вызывает аддитивные составляющие погрешности Д„.

В усилителях постоянного тока точность усиления существенно ограничивается инфранизкочастотными шумами, называемыми нестабильностью напряжения смещения (дрейфом нулевого уровня), которая обусловлена зависимостью параметров усилительных элементов от температуры, их изменением во времени и от напряжения питания, что вызывает аддитивные составляющие погрешности Д0.

Изменение этого тока, обусловленное температурной зависимостью параметров транзистора, определяется соотношением

При подстановке в эту формулу Дт;, А1/нач, А1/Кон> А1/Пор, определяемых разбросом параметров, оценивают отклонение Аги от расчетного значения. Если Ат, АС/Нач, АС/КОн, At/пор определяются температурной зависимостью параметров, то по (10.3) рассчитывается температурный дрейф А(и.

Электрические системы, режимы которых изучаются в настоящем курсе, нелинейны. Нелинейность их в основном определяется двумя причинами: а) зависимостью параметров системы (активных и реактивных сопротивлений, коэффициентов намагничивания, коэффициентов усиления регуляторов и т. д.) от параметров режима; б) нелинейностью связи параметров режима между собой.

Нестабильность УПТ на транзисторах определяется сильной зависимостью параметров полупроводниковых приборов от температуры, что также сказывается на дрейфе нуля. Кроме того, в транзисторных усилителях имеет .место явление ползучести, которое заключается в том, что после включения напряжения происходит резкое изменение тока, а затем ток очень медленно (иногда в течение нескольких часов) приближается к установившемуся значению.

В сверхбыстродействующих электронных устройствах применяются искусственные ЛЗ. Одна из таких ЛЗ приведена на 19.13, а. Такая многозвенная линия обладает дисперсией времени задержки импульсов, связанной с зависимостью параметров отдельных звеньев от частоты импульсов. Емкость С является постоянной, а индуктивность — переменной. Индуктивные катушки выполнены на ферритовых кольцах. Процессы, происходящие в такой нелинейной дискретной ЛЗ при передаче импульса, описываются нелинейными дифференциальными уравнениями, общее исследование которых достаточно сложное. Рассмотренная ЛЗ обеспечивает задержку импульса на время не меньшее, чем длительность фронта входного импульса, и дает возможность

Входное сопротивление (соответствующее /?гвх В § 3.4) имеет сравнительно небольшую величину (порядка нескольких килоом). Имеет место обратное влияние напряжения коллектор — эмиттер на ток базы (входной). Частотные зависимости определяются не только постоянными времени заряда (разряда) внутренних емкостей .электронного прибора (как у ламп), но и зависимостью параметров транзистора от частоты.

1. Зависимостью параметров транзистора, главным образом 5К, от частоты. Зависимость 5к = ф(<») можно выразить уравнением

при электротренировках возникают минимальные механические напряжения в окрестностях локальной области пробоя диэлектрика. Иногда осажденные пленки окислов получаются пористыми, что связано с избирательной зависимостью параметров осаждения отдельных окислов от состояния поверхности подложки. Такая изби-

Нестабильности параметров импульсных устройств можно разделить на две группы. К первой относятся изменения характеристик, вызываемые зависимостью параметров транзисторов от температуры. Вторая группа включает нестабильности, описываемые вероятностными законами.

Из выражений (6.51), (6.52) видно, что зависимость коэффициента усиления резонансного усилителя от частоты совпадает с частотной зависимостью сопротивления резонансного контура, так как параметры Ли и Л21, применяемые в избирательных усилителях, всегда выбирают не зависящими от частоты вблизи резонансной частоты контура /рез = о)рез/2я.

Композиционные резисторы в настоящее время находят все большее применение. Токопроводящим слоем в них является пленка сажи или графита с наполнителем. Эти резисторы просты в изготовлении, имеют высокую надежность и небольшую стоимость, но обладают низкой стабильностью и зависимостью сопротивления от приложенного напряжения. К композиционным резисторам относят резисторы типов: КЛМ (композиционные лакированные мегаомные) и КВМ (композиционные вакуумированные мегаомные), выпускаемые на номиналы до 1011 Ом; КИМ (композиционные изолированные малогабаритные), имеющие номинальную мощность 0,05 и 0,125 Вт; КЗВ (композиционные эмалированные высоковольтные), предназначенные для работы в электрических цепях высокого напряжения.

Ввиду того что установившийся и переходный процессы во всякой линейной электрической цепи зависят от частотных свойств цепи, задача синтеза обычно сводится к нахождению цепи по заданной частотной характеристике. Искомым может быть двухполюсник с заданной зависимостью сопротивления (или проводимости) от частоты либо четырехполюсник с заданной передаточной функцией или частотной зависимостью его параметров. По-

Ввиду того что установившийся и переходный процессы во-всякой линейной электрической цепи зависят от частотных свойств цепи, задача синтеза обычно сводится к нахождению .цепи по заданной частотной характеристике. Искомым может быть двухполюсник с заданной зависимостью сопротивления (или проводимости) от частоты либо четырехполюсник с заданной передаточной функцией или частотной зависимостью его параметров. Построение схемы пассивной цепи по заданной частотной функции принято называть реализацией или осуществле,-н и е м функции. \

Изменение температуры вызывает изменение функции преобразования тензорезисторов, что объясняется температурной зависимостью сопротивления преобразователя и различием температурных коэффициентов линейного расширения материала тензорезистора и исследуемой детали. Влияние температуры устраняется обычно путем применения соответствующих методов температурной компенсации.

Сопротивления резисторов зависят от их температуры, следовательно, и от тока через резистор. Однако будем считать, что сопротивления используемых резисторов мало зависят от режима их работы и что этой зависимостью можно прене- а) 6) 8) бречь. Здесь следует оговорить, что сопротивление резистора является его параметром только при постоянном токе или при определенной частоте питания переменным током. Зависимостью сопротивления от частоты питания можно пренебречь только при относительно небольших изменениях частоты. Эта оговорка необходима потому, что один и тот же резистор обладает различными сопротивлениями при постоянном и переменном токе. Сопротивление резистора на переменном токе больше, чем на постоянном, и с увеличением частоты сопротивление резистора возрастает.

Термосопротивлениями или т е р м о -резисторами называются полупроводниковые сопротивления с резко выраженной зависимостью сопротивления от температуры. Они обладают отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, абсолютное значение которого в десятки раз больше, чем у металлов. Уменьшение сопротивления терморезисторов при повышении температуры вызвано увеличением числа свободных носителей заряда.

Изменение температуры вызывает изменение функции преобразования проволочных преобразователей, что объясняется температурной зависимостью сопротивления преобразователя и различием температурных зависимостей линейного расширения материала проволоки и исследуемой детали. Влияние температуры устраняется обычно путем применения соответствующих методов температурной компенсации.

Термометры сопротивления относятся к одним из наиболее точных преобразователей температуры. В частности, платиновые термометры сопротивления позволяют измерять температуру с погрешностью 0,00ГС. Для измерения температуры применяются металлы, обладающие высокостабильным температурным коэффициентом сопротивления (ТКС) и линейной зависимостью сопротивления от температуры. К таким материалам относятся платина и медь.

Применение в качестве делителей напряжения элементов с нелинейной зависимостью сопротивления от напряжения (диодов и транзисторов) не позволяет полностью избавиться от перекрестных искажений при наличии мощных помех. На 2-101 приведена схема делителя с фоторезистором, сопротивление которого не зависит от значения прилагаемого напряжения. При максимальной чувствительности приемника лампочка JIi освещает фоторезистор Ri и падение напряжения на нем минимально. С ростом сигнала транзистор Т^ отпирается и запирает транзистор Гз, в коллекторную цепь которого включена лампочка Лх. Освещенность фоторезистора падает, что приводит к возрастанию его сопротивления и уменьшению напряжения на входе транзистора Ti- Применение такой цепи АРУ целесообразно в стационарных приемниках с питанием от сети, в которых можно не считаться с мощностью, потребляемой лампочкой накаливания.

В настоящее время известно большое число специально созданных полупроводниковых резисторов с сильной температурной зависимостью. Однако полупроводниковые резисторы с более или менее линейной зависимостью сопротивления от температуры имеют только отрицательные значения ТК (термисторы). Резисторы с положительным ТК имеют в диапазоне от 20 до 150 °С большую крутизну, оставаясь в области ниже 20 °С почти

Важнейшим параметром кабеля является омическое сопротивление проводов RlI2, зависящее от длины I и поперечного сечения q. Оно должно быть как можно меньше, поскольку ка нем возникают потери питающего и измерительного напряжения, что приводит к снижению чувствительности всего измерительного устройства. Если это изменение остается в определенных пределах (порядка нескольких процентов), его можно учесть при градуировке всей измерительной цепи. Более неприятна дополнительная погрешность, обусловленная температурной зависимостью сопротивления меди (0,0039 град-1). Этим при точных измерениях определяется чаще всего максимальная величина сопротивления кабеля RJ2. В принципе при увеличении поперечного сечения q провода длина кабеля / может быть увеличена. Если провода кабеля оказываются непосредственно включенными в мостовую схему (четверть- или полумост), то наряду с уменьшением чувствительности появляется также зависящий от температуры разбаланс моста (дрейф нуля). Его можно компенсировать с помощью уже известных схем.



Похожие определения:
Зависимости изменения
Зависимости напряжения
Защищаемого сооружения
Зависимости потокосцепления
Зависимости спектральной
Зависимости вращающего
Заводской инструкции

Яндекс.Метрика