Запоминающим устройствам

Памятью ЭВМ называется совокупность устройств, служащих для запоминания, хранения и выдачи информации. Отдельные устройства, входящие в эту совокупность, называют запоминающими устройствами или памятями того или иного типа.

Оперативная намять вместе с СОП и некоторыми другими специализированными памятями процессора образуют внутреннюю память ЭВМ ( 4.1). Электромеханические ЗУ образуют внешнюю память ЭВМ, а сами они поэтому называются внешними запоминающими устройствами (ВЗУ).

или изготовления, или эксплуатации путем настройки, предваряющей использование ПЗУ в вычислительном процессе. В, последнем случае ПЗУ называется постоянным запоминающим устройством с изменяемым в процессе эксплуатации содержимым или программируемыми постоянными запоминающими устройствами (ППЗУ).

3) на уровне внешних ЗУ — через общие поля внешних ЗУ, создаваемых с помощью разделенных устройств управления (с встроенными в них двухканальными переключателями) запоминающими устройствами на дисках и лентах (применяются в ММК и МПК).

Под запоминающими устройствами (ЗУ) понимают устройства, выполняющие функции приема, хранения и выдачи закодированной информации в системах и машинах, предназначенных для ее обработки и передачи.

8. Несколько моделей одной архитектуры, отличающихся производительностью, но программно совместимых «снизу вверх» с совместимыми для всех моделей периферийными и внешними запоминающими устройствами, объединены в одно семейство (ряд).

Связь с внешними запоминающими устройствами и периферийными устройствами осуществляется во всех моделях через системный интерфейс с ОПТ с максимальной пропускной способностью 1,5 Мбайт/с. Кроме того, для устройств, могущих работать в режиме прямого доступа в память (НМД на сменных дисках, НМЛ), могут устанавливаться дополнительные шины «массовой передачи» (Massbus). Эти шины обладают пропускной способностью 2 Мбайт/с, а блок с контроллером на 3 масс-шины имеет суммарную пропускную способность 5 Мбайт/с.

Как организуется обмен векторио-конвейерной ВС с внешними запоминающими устройствами и периферией? Очевидно, что для обеспечения полного использования оборудования векторно-конвейерного центра ВС нужно большое число периферийных устройств и внешней памяти и интенсивный обмен данными между ОЗУ и ВЗУ. ОЗУ центра системы выполняется на самых быстродействующих элементах памяти и имеет вдобавок глубокое расслоение, что обеспечивает большую скорость потока данных в ОЗУ и из ОЗУ. Такой поток данных никакое ВЗУ обеспечить не может. Это заставляет, как правило, вводить между ОЗУ и ВЗУ промежуточные ЗУ типа «массовая память».

при методической обработке использованного материала проводилось сопоставление этих микропроцессоров с целью облегчить читателю процесс освоения новых БИС. При этом предполагалось, что читателю известны основы микропроцессорной техники (общая структура МП, принципы построения законченных вычислительных устройств на основе МП, методы организации обмена данными с внешними и запоминающими устройствами, элементы программирования МП с использованием языка ассемблера), которые достаточно хорошо освещены в литературе применительно к МП предыдущих поколений.

Классификация. Постоянные запоминающие устройства (ПЗУ) являются запоминающими устройствами с преимущественным считыванием информации; в отличие от ОЗУ время записи в них намного превышает время считывания.

МиниЭВМ используются для управления группой оборудования или микровычислительными системами. Быстродействие миниЭВМ укладывается в диапазон от сотен тысяч до десятков миллионов простых операций в секунду. МикроЭВМ применяют в основном для встраивания в технологическое, измерительное или другое оборудование или самостоятельно с собственным источником питания, запоминающими устройствами и набором интегральных микросхем. Быстродействие микроЭВМ составляет десятки — миллионы простых операций в секунду при разрядности от 4 до 32.

Запоминающим устройствам на оптических дисках стараются придать такие размеры, чтобы их можно было устанавливать в ПК вместо ЗУ на магнитных дисках.

Сравнительно небольшая емкость ОП (64— 16000 Кбайт) компенсируется практически неограниченной емкостью внешних запоминающих устройств на магнитных дисках и лентах (сотни миллионов или миллиарды байт). Однако эти устройства сравнительно медленные, и время обращения за данными для дисков составляет десятки миллисекунд, а для лент может достигать сотен секунд. Поэтому вычислительный процесс должен протекать с возможно меньшим числом обращений к внешним запоминающим устройствам и максимально возможным использованием ОП.

ся коэффициентом квадратности, резко изменяющимся по величине в зависимости от Нт. Поэтому при определении а к величину Нт применительно к запоминающим устройствам, работающим по принципу совпадения токов, берут равной 4/3 Нс [3]. Из 5.1 находим соответствующие значения индукций и вычисляем

Устройства термомагнитной записи информации. В последние годы определенный интерес проявляется к немеханическим магнитооптическим запоминающим устройствам, основанным на термомагнитном принципе записи информации. Известно, что оптическая память по емкости и быстродействию потенциально обладает рядом преимуществ перед такими ЗУ большой емкости, как магнитные ленты и диски. В оптических ЗУ с адресацией световым лучом в настоящее время используют два метода записи и хранения информации.

Простота анализа линейных схем замещения заставляет искать для каждого из устройств линейную схему замещения. Во многих случаях такая схема замещения позволяет составить достаточное представление о работе устройства. В отдельных случаях линейная модель не может дать удовлетворительное представление о работе устройства. Это прежде всего относится к электронным и машинным генераторам, стабилизаторам, запоминающим устройствам, магнитным усилителям, принцип действия которых может быть описан только на основании схем замещения, содержащих нелинейные части.

Запоминающим устройствам на ПЗС-присущи некоторые недостатки. Так, для обеспечения высокого быстродействия при пе-

Магнитные шпинели дают возможность реализовать запоминающие устройства, аналогичные запоминающим устройствам на ферритовых сердечниках. Предполагается, что шпинели будут технологичнее ферритов. Кроме того, из них можно делать также активные приборы, позволяющие параллельно с записью и считыванием информации производить обработку информации непосредственно в запоминающей среде.

В книге рассматриваются вопросы проектирования и расчета элементов, функциональных узлов и комплексов автоматики дискретного действия, использующих магнитные сердечники с прямоугольной петлей гистерезиса. Особое внимание уделяется вопросам проектирования вычислительно-логических устройств, по однородности и экономичности приближающихся к магнитным оперативным запоминающим устройствам, в которых сердечники матриц и магнитные переключатели схем управления используются многофункционально.

Запоминающим устройствам на ПЗС присущи некоторые недостатки. Так, для обеспечения высокого быстродействия при перемещении зарядов приходится обрывать этот процесс до окончательного перетекания зарядов после завершения быстрого этапа. Это приводит к потере некоторой части зарядов при каждой передаче, причем сокращение длительности тактовых импульсов увеличивает

Магнитные шпинели дают возможность реализовать запоминающие устройства, аналогичные запоминающим устройствам на фер-ритовых сердечниках. Предполагается, что шпинели будут технологичнее ферритов. Кроме того, из них можно делать также активные приборы, позволяющие параллельно с записью и считыванием информации производить обработку информации непосредственно в запоминающей среде.

На 3.8 показано условное изображение ПЗУ на схемах. Функциональная схема ПЗУ приведена на 3.9. По принятой в среде специалистов по запоминающим устройствам терминологии входной код называется адресом, 2П вертикальных шин - числовыми линейками, m выходов - разрядами хранимого слова. При поступлении на вход ПЗУ любого двоичного кода всегда выбирается одна из числовых линеек. При этом на выходе тех элементов ИЛИ, связь которых с данной числовой линейкой не разрушена, появляется 1. Это значит, что в данном разряде выбранного" слова (или

Автор при написании этой книги постарался устранить указанные недостати, ограничив объем числом лекций и включив в книгу лекции по силовым полупроводниковым приборам и предельным режимам их работы, современным микросхемам аналоговой и цифровой электроники: аналоговым перемножителям, микросхемам управления импульсными источниками питания и корректорами коэффициента мощности, цифровым запоминающим устройствам и др.