Запишется следующим

При поступлении на общий вход схемы в момент времени t\ импульса отрицательной полярности малой длительности состояние запертого транзистора 7*2 не изменится, однако транзистор Т\ выйдет из состояния насыщения (рабочая точка транзистора переходит из области насыщения на границу с активной областью) и восстановятся его усилительные свойства. При этом коллекторный ток /К уменьшается, а напряжение на коллекторе повышается. Положительное приращение коллекторного напряжения через резистор R передается на базу транзистора 7*2. Когда это приращение напряжения компенсирует напряжение смещения на базе транзистора 7*2, последний выходит из запертого состояния и его усилительные свойства восстанавливаются. С этого момента, когда выполняются условия самовозбуждения (5.4) и (5.5), начинается процесс опрокидывания триггера.

Некоторого умощнения можно достичь в мостовых и полумостовых генераторах ( IX.3). В этих схемах коллекторное напряжение запертого транзистора не превышает напряжения UBX в отличие от схемы IX.1, а, в которой оно равно 2t/BX. Это позволяет повысить вдвое напряжение питания мостовой и полумостовой схем и получить удвоенную мощность на выходе.

Из (3.15) и (3.16) следует, что входная и выходная цепи транзистора п-р-п-тпа, запертого отрицательным напряжением на базе, могут быть представлены в виде генератора тока /„„ ( 3.31). Поскольку значение /ко мало, то для упрощенных расчетов входную и выходную цепи запертого транзистора можно представить в виде разомкнутых ключей ( 3.32, а, б).

ствии положительной полуволны входного сигнала и насыщается при действии отрицательной полуволны. Однако условия запирания и насыщения транзистора в схеме будут обеспечены только при определенных соотношениях между параметрами входящих в схему элементов. Выявление этих условий обеспечения статических состояний ключа и является первой из задач анализа ключевого каскада. Схема каскада при действии положительной полуволны входного сигнала показана на рис, 3.83. Если транзистор заперт, то его ток (как входной, так и выходной) мал и равен /К0. Этот ток в схеме протекает от положительной клеммы генератора 6/вх через сопротивление /?б, коллекторный переход запертого транзистора, сопротивление RK к отрицательной клемме источника питания Е. Далее он замыкается через источники Е ц ?/Вх- Условие запирания транзистора в схеме с общим эмиттером имеет вид U6a > 0. Для получения минимально возможного выходного тока / К0 требуется создать положительное напряжение на базе транзистора. Уравнение для базовой цепи, соответствующее второму закону Кирхгофа, имеет вид

Будем считать, что входной сигнал имеет форму прямоугольных импульсов с нулевым начальным уровнем, отрицательную полярность и амплитуду EI. При отсутствии входного импульса транзистор должен быть заперт, во время действия импульса насыщен. Как и при анализе предыдущей схемы, рассмотрение начнем с анализа статических состояний ключевого каскада, определения условий отсечки и насыщения транзистора. При отсутствии входного импульса, когда напряжение на входных зажимах равно нулю и зажимы в силу малости выходного сопротивления источника импульсов можно считать короткозамкнутыми, транзистор Т должен быть заперт. Базовая цепь транзистора для этого случая показана на 3.87, а. Для определения напряжения на базе запертого транзистора используем теорему об эквивалентном генераторе (см. пример 1.2). Для этого источник напряжения +?см и делитель /?б/?с. т- е- элементы, выделенные на 3.87, а пунктирным контуром как часть А схемы, заменим по отношению к участку база — эмиттер транзистора эквивалентным источником напряжения с э. д. с.

Вычислим амплитуду напряжения на одном из коллекторов, например на коллекторе Tz, При высоком уровне входного сигнала «вх(0 = ?о + At/ '(см. 3.95, б) транзистор Тг заперт. Пренебрегая током /ко, можно считать, что UK2 — +?. При низком уровне входного сигнала, т. е. при ивх(/) = ?0 — At/, транзистор Tz включен и работает в активном режиме. Ток эмиттера Tz IeZ = /о- Ток коллектора Tz пропорционален его эмиттерному току: /К2 = а2/э2 = = а2/0. Так как значение коэффициента передачи по току биполярных транзисторов а близко к единице, то можно считать, что /К2 = = /о- Напряжение на коллекторе Tz относительно корпуса устройства U к = Е — /К2 Яка — Е — /0$к2- Амплитуда выходных импульсов на коллекторе Tz равна разности уровней выходного напряжения для включенного и запертого транзистора: Um = /0#K2. Для сохранения активного режима транзисторов Um < Е — Е0 — At/.

Ключевые каскады на полевых транзисторах. Простейший ключевой каскад на полевом транзисторе с р-каналом и управляющим /7-п-переходом показан на 3.97. Будем считать, что каскад управляется от источника с очень малым выходным сопротивлением, т. е. от генератора напряжения un(t). При ывх > е0 полевой транзистор заперт. С учетом эквивалентной схемы выходной цепи запертого транзистора (см. 3.46, а) можно считать, что «вых = —Е. При ывх < < е0 (в частности, при ывх = 0, как показано на 3.98) транзистор включен. Положение рабочей точки на стоковой характеристике

Эквивалентная схема выходной цепи каскада, составленная с учетом эквивалентной динамической схемы запертого транзистора (см. 3.47, а), показана на 3.101.

Типовые элементы логических устройств служат основой для создания цифровых вычислительных машин и автоматов дискретного действия. В логических устройствах сигнал на входе и выходе каскада является двоичным, бинарным. Он может принимать только два значения — логического нуля «О» и логической единицы «1» (см. § 1.2). Значения «О» и «1» являются символическими (условными) и не соответствуют числовым значениям напряжения, выражаемым в вольтах. Например, при использовании выходного напряжения ключевого каскада уровнем логического «О» может служить напряжение на коллекторе насыщенного транзистора f/KH, уровнем логической «1» — напряжение на коллекторе запертого транзистора Е (или наоборот, в зависимости от того, какими символами предварительно условились обозначать уровни f/цн и Е). Входные сигналы логических каскадов обозначают буквами Xi, Х2, ..., Хп, где п — число входов логического каскада. Напряжение на каждом входе является бинарным; выходной сигнал логических каскадов обозначают буквой Y. В общем случае логический каскад может иметь несколько выходов; если выходов, например, два, то будем обозначать их буквами Р и Q.

Ток / „о запертого транзистора Т протекает от источника -\-Е через резистор К3, коллекторный переход и резистор /?2 к источнику — ?0. Напряжение на коллекторе транзистора имеет значение UK = = -\-Е — I коКз ж + Е< что соответствует уровню логической «1» на выходе каскада.

, мерно на 0,4 В, и составляет всего 0,5 В. Это напряжение меньше, чем сумма напряжений отсечки ео02 и е0^. Транзисторы Т2 и Г4 вследствие этого находятся в выключенном состоянии. Входное сопротивление выключенного транзистора Г2, составляющее коллекторную нагрузку многоэмиттерного транзистора TI, очень велико. Входным током запертого транзистора Tz служит малый ток /К02. Этот ток и является коллекторным током транзистора 7\. Таким образом,

торыми соединен контакт FJ. Например, на 3.4 показаны следующие типы связей для последовательных I и параллельных II схем: «простейшая — простейшая», «простейшая — расхождение» ( 3.4,а, 6), «простейшая — схождение» ( 3.4,в). Тогда оператор сопряжения для последовательных схем запишется следующим образом:

Тогда уравнение (1-3) запишется следующим образом:

Следовательно, сложное высказывание можно рассматривать как функцию от составляющих его простых высказываний. Такая функция запишется следующим образом:

Если торможение производится без нагрузки, то уравнение движения запишется следующим образом:

тель работает от высокоомного источника сигнала на высоко-омную нагрузку, влиянием конденсаторов Cpi и Ср2 можно пренебречь и условие малости величины ОС запишется следующим образом:

Можно показать, что в слИае п зарядов энергия взаимодействия запишется следующим образам

Следовательно, полная система уравнений электромагнитного поля для сред с постоянными параметрами ea = eeo=const; ц,а = д,ц,о = const; Y — const запишется следующим образом:

Пусть электромагнитные волны, возбуждаемые в волноводе, изменяются во времени по синусоидальному закону с частотой (o = 2itf. Тогда при установившемся процессе векторы поля Е и Н могут быть записаны в комплексной форме. Будем считать волновод бесконечно длинным и однородным. В этом случае волны будут распространяться без отражения. Так как волновод идеальный, то амплитуды проекций векторов поля не должны изменяться в направлении распространения (в нашем случае вдоль оси г). Это условие будет выполнено, если коэффициент распространения Г=а+/3 будет мнимым числом. Мгновенное значение любой из проекций векторов поля запишется следующим образом:

При использовании преобразования Лапласа данная теорем запишется следующим образом:

а шестнадцатиричное число 7В2, Е в двоичной системе запишется следующим образом:

Можно показать, что в случае п зарядов энергия взаимодействия запишется следующим образом: