Увеличение плотности

В этом случае количество вторичных ячеек практически неограниченно, так как энергия для их перемагничивания поступает от постороннего источника ( 6.10). Транзистор может быть включен по схеме с общей базой, общим коллектором или с общим эмиттером. Учитывая принципиальную общность работы этих схем, рассмотрим более подробно схему с общим эмиттером. Транзистор в обычном состоянии заперт, и ток в цепи выхода отсутствует. Если на первом сердечнике записана единица (+ВГ), при подаче считывающего импульса (значительно меньшего, чем необходимо для полного перемагничивания) открывается транзистор и появляется ток в выходной цепи. Даже незначительное изменение индукции от -\~ВГ в сторону уменьшения приводит к появлению определенной э. д. с. в обмотке обратной связи wua и, следовательно, к появлению, пусть незначительного, отрицательного потенциала на базе транзистора. В результате транзистор несколько открывается и в цепи выхода появляется ток. Ток выхода, протекая по обмотке и>в, создает напряженность поля, направленную согласно с напряженностью считьшания. Это обусловливает дальнейшее изменение потока, увеличение отрицательного потенциала на базе и в конечном итоге увеличение тока выхода. Процесс перемагничивания нарастает лавинообразно и заканчивается полным перемагничивани-ем сердечника от +ВГ до —Вг, после чего изменение потока прекращается, отрицательный потенциал на базе транзистора исчезает, он вновь запирается и ток и выходной цепи становится равным нулю.

Зрительное равновесие композиции -.— это зрительная уравновешенность частей и целого относительно пространственных осей. Рассмотрим несколько вариантов объемного решения пульта управления ( 6.12). Показателем зрительной устойчивости модели является отношение площади основания к консольной части ( 6.12, а). Незначительное увеличение консоли ( 6.12, 6) не вызывает ее неустойчивости. На 6.12, в зрительно равновесие пульта находится на пределе. На 6.12, с? предел равновесия уже нарушен, а на 6.12, д только опоры препятствуют опрокидыванию. Вариант на 6.12, е более устойчив, так как задняя стенка имеет обратный наклон. Однако дальнейшее увеличение этого наклона ( 6.12, ж) может привести к зрительному эффекту обратного опрокидывания. Увеличение отрицательного наклона передней стенки также приводит к зрительному эффекту обратного опрокидывания ( 6.12, з). Модели 6.12, и, к являются зрительно устойчивыми, в модели 6.12, к устойчивость достигнута благодаря вынесению части

переходу транзистора приложено прямое напряжение, поэтому при напряжении на коллекторе UK = 0 входная характеристика соответствует прямой ветви вольт-амперной характеристики полупроводникового р-п-перехода. При этом увеличение отрицательного напряжения на кол-

Входные характеристики транзистора для схемы ОБ ( 3.17, а) представляют собой зависимость входного тока эмиттера /э от напряжения U^. Вольт-амперная характеристика при (/,t = 0 является обычной характеристикой р-и-перехода, смещенного в прямом направлении (см. § 3.1). Увеличение отрицательного напряжения на коллекторе приводит к смещению характеристики в область больших токов.

Если входное напряжение увеличивается, соответственно повышается выходное напряжение и напряжение на резисторе R2. Поскольку напряжение на стабилитроне остается при этом практически неизменным, отрицательное напряжение L/c2 уменьшается по абсолютному значению. Анодный ток лампы Л2 увеличивается, вызывая увеличение падения напряжения на анодной нагрузке и, следовательно, увеличение отрицательного напряжения на сетке регулируемой лампы Л1. Сопротивление регулируемой лампы и падение напряжения на нем возрастают, что приводит к соответствующему уменьшению выходного напряжения. При правильно выбранных параметрах схемы выходное напряжение остается практически неизменным.

бочую точку выбирают таким образом, чтобы изменения коллекторного тока до границы насыщения и до начала отсечки были одинаковыми. При этом на выходе получается напряжение, симметричное относительно оси времени. Увеличение отрицательного напряжения на входе приводит к возрастанию тока коллектора и падению напряжения на нагрузке. При определенном значении входного напряжения наступает насыщение, при котором дальнейшее изменение входного напряжения не приводит к изменению коллекторного тока. Осуществляется ограничение входного напряжения снизу.

Общую точку транзисторных схем обычно заземляют, ее потенциал принимают равным нулю (ср = 0), потенциалы других точек схемы определяют относительно нулевого потенциала. Увеличение отрицательного потенциала какой-либо точки схемы по модулю означает уменьшение напряжения между этой точкой и точкой с потенциалом, равным нулю; уменьшение отрицательного потенциала какой-либо точки по модулю означает увеличение напряжения.

Из 3-18, а видно, что линия нагрузки на семействе анодно-сеточных характеристик значительно положе статических характеристик. Поэтому амплитуда переменной составляющей анодного тока /ам (сплошная синусоидальная кривая, на 3-18,6), становится меньше, чем в случае Ra — 0 (пунктирная кривая). " При уменьшении отрицательного напряжения на сетке лампы возрастает анодный ток и, следовательно, растет напряжение на сопротивлении нагрузки Up. При этом в соответствии с (3-58) падает анодное напряжение С/а, препятствуя росту анодного тока, вызванному изменением Uc. И, наоборот, увеличение отрицательного напряжения на сетке сопровождается уменьшением /а и UR и возрастанием ?/а, что препятствует уменьшению анодного тока.

Увеличение отрицательного напряжения UC1 сопровождается снижением катодного тока и тока /а как части тока /к. Характер

Дальнейшее увеличение отрицательного напряжения С/БЭ сопровождается ростом тока через эмиттерный переход, а значит увеличением положительного тока /Б и. тока Р/Б, собираембго коллектором. Вследствие этого кривые при больших токах /Б соответствуют возрастающим значениям тока /к- Однако равные приращения тока /Б (/Б" — IB = IB -- /Б •••) вызывают различные по мере роста /Б приращения А/к коллекторного тока. Это объясняется, зависимостью коэффициента р от тока /Б, причины которой мы обсудим ниже, при рассмотрении характеристики

Как и в схеме ОБ, значительное увеличение отрицательного напряжения на коллекторе приводит к пробою транзистора в в схеме с общим эмиттером. Однако напряжение Z/кэо проб» при котором развивается пробой, в этой схеме (/в = 0) меньше напряжения t/кБОпроб Для схемы ОБ. В самом деле, в результате лавинного размножения носителей в коллекторном переходе коэффициент а возрастает примерно в М раз, где М — коэффициент лавинного размножения (10-59).

Печатные платы — это элементы конструкции, которые состоят из плоских проводников в виде участков металлизированного покрытия, размещенных на диэлектрическом основании и обеспечивающих соединение элементов электрической цепи. Они получили широкое распространение в производстве модулей, ячеек и блоков РЭА благодаря следующим преимуществам по сравнению с традиционным монтажом проводниками и кабелями: 1) увеличение плотности монтажных соединений и возможность микроминиатюризации изделий; 2) получение печатных проводников,

Магнитооптические диски выгодно отличаются от магнитных на два порядка большей плотностью записи (за счет увеличения плотности размещения дорожек) и позволяют многократно перезаписывать информацию. В настоящее время экспериментально достигнута плотность записи 25 Мбит/см2. Это соответствует диаметру записываемого бита информации примерно 1 мкм при таком же расстоянии между соседними битами и дорожками. Пространственное размытие лазерного луча ограничивает дальнейшее увеличение плотности записи однако предполагается довести ее до 100 Мбит/см2, что обеспечит емкость магнитооптического диска диаметром 305 мм более 20 Гбит. Необходимая для записи на магнитооптический диск мощность лазера не превышает 15 мВт.

Все сказанное показывает исключительную перспективность современных методов монтажа ИМС и отдельных радиокомпонентов, направленных на увеличение плотности монтажа и снижение материалоемкости, одним из которых является направление, связанное с созданием МЭА на ГИФУ.

Метод инверсии предусматривает рассмотрение задачи с противоположных позиций по отношению к принятым, например: сравнение парамсмров конструкции начиная не с нижнего значения, а с верхнего; определение не формы блока в зависимости от отведенного для него объема, а наоборот; не уменьшение, а увеличение избыточности адресных формирователей полупроводниковой памяти (при этом быстродействие из-за уменьшения длины линий увеличится); обеспечение температурной стабильности не охлаждением, а нагреванием кварцевой пластины до определенной температуры; не увеличение плотности компоновки ЭРЭ на плате, а уменьшение ее, что позволяет улучшить ремонтопригодность и облегчить те-

Дальнейшее увеличение плотности компоновки (см. табл. В.2) достигается благодаря использованию бескорпусных БИС и установке их на коммутирующие основания из многослойной поли-

размеров элементов (биполярных и МДП-транзисторов) в т раз (т — масштабный коэффициент). Масштабирование элементов в технике БИС и СБИС преследует две цели: увеличение плотности упаковки элементов и улучшение электрических параметров при снижении стоимости функциональной операции в расчете на кристалл. Так, например, если размер топологического элемента уменьшить в т раз, то плотность упаковки снизится в т2 раз, рассеиваемая мощность — в т2 раз, а произведение мощности на время задержки — в т3 раз.

При уменьшении геометрических размеров поверхность охлаждения трансформатора уменьшается медленнее, чем объем и пропорциональное объему количество выделяющегося тепла. Поэтому для сохранения неизменным теплового состояния при уменьшении мощности увеличивают расчетные значения плотности тока в обмотках и индукции в магнитопроводе. Это обеспечивает также уменьшение массы и объема трансформатора. Увеличение плотности тока в обмотках приводит к возрастанию их активного сопротивления Rtt и отношения A/^JJ/SHOM по сравнению с трансформаторами средней и большой мощности.

излучения обусловлено.главным образом радиационными эффектами в диэлектрике затвора и на границе диэлектрик — полупроводник. Повышенная концентрация дефектов в переходном слое обусловлена различием в строении и в физических свойствах полупроводника и диэлектрика. Как видно из 6.13, соприкосновение двух веществ приводит к возникновению дефектов в виде оборванных и напряженных валентных связей в переходном слое. При воздействии радиации на структуру диэлектрик—полупроводник в ней наблюдается увеличение плотности поверхностных состояний и заряда в объеме диэлектрика. Процесс образования заряда в объеме диэлектрика определяется поглощенной до-зой ионизирующего излучения, значением и полярностью приложенного напряжения, концентрацией ловушек. В пленке двуокиси кремния, которая наиболее часто 250

Увеличение плотности витков сетки приводит к увеличению усилительных свойств лампы. Однако эта мера приводит к некоторому существенному недостатку. Какому?

Решение. При той же длине катушки увеличение плотности намотки витков в 1,5 раза означает увеличение во столько же раз суммарного числа витков; следовательно, ку2=1,5 wt. Индуктивность катушки пропорциональна квадрату числа витков

Анализ выражения (4-1) показывает, Ч'ю для увеличения мощности турбогенераторов необходимо увеличивать линейную нагрузку статора и пропорциональную ей линейную нагрузку ротора. Это влечет за собой увеличение плотности тока в проводниках обмоток ротора и статора, что допустимо только при повышении эффективности систем охлаждения генераторов. С этой целью был сделан переход от косвенных (поверхностных) систем охлаждения к непосредственным (внутрипроводнико-вым) смешанным системам охлаждения. Вместо воздуха в качестве охлаждающей среды стали применяться более эффективные среды — водород, дистиллированная вода, трансформаторное масло. Соотношения параметров этих сред при некоторых давлениях указаны в табл. 4-3.