Увеличение длительности

улучшение переходных процессов (увеличение быстродействия, уменьшение ошибки от возмущения).

Увеличение быстродействия системы при пуске и внезапном включении нагрузки также объясняется повышением коэффициента усиления всей системы регулирования частоты электромашинного преобразователя.

Отрицательная обратная связь по току возбуждения обеспечивает увеличение быстродействия системы в переходных режимах, а также стабильность характеристик ТВ при изменении внешних условий (напряжения сети, температуры окружающей среды и т. д.); обратная связь по напряжению сети увеличивает ток возбуждения при уменьшении напряжения.

Увеличение быстродействия возможно при условии сокращения расстояния между отдельными элементами системы, поскольку перемещения носителей зарядов и волновые процессы передачи энергии имеют ограничения по скорости.

Введение диодов в схемы И2Л обеспечивает увеличение быстродействия за счет уменьшения логических перепадов; упрощает структуру логической схемы за счет электрической развязки логических цепей.

Технические параметры двухкаскадных ОУ примерно соответствуют параметрам лучших образцов усилителей первого поколения (микросхемы 153УД1, 140УД2 А, Б и др.). Однако принципиальным достижением является увеличение быстродействия и стабильности работы схем, а также значительное снижение потребляемого тока. Другие ОУ серий 140 и 153 микросхемы 140УД6, 140УД8, 140УД12, 153УД6 в схемотехническом отношении мало отличаются от микросхемы 140УД7, являясь ее модификациями.

В реальных схемах резисторы R1 шунтируются конденсаторами С относительно небольшого сопротивления. Во время быстрых процессов, которыми характеризуется процесс опрокидывания, конденсатор С практически полностью шунтирует резистор R1, и изменение тока коллектора почти целиком идет на приращение тока базы, формируя при этом крутые фронты импульсов. Это значительно ускоряет диффузионные процессы в транзисторе и, следовательно, процесс опрокидывания. Поэтому конденсаторы С часто называют ускоряющими. Следует иметь в виду, что увеличение быстродействия достигается лишь при определенных емкостях. При увеличении емкости ускоряющих конденсаторов выше некоторого оптимального значения быстродействие триггера будет уже не возрастать, а уменьшаться. Это связано с тем, что после опрокидывания схемы ускоряющие конденсаторы должны к приходу следующего запускающего импульса перезарядиться. Оптимальная емкость ускоряющего конденсатора, при которой обеспечивается максимальное быстродействие, равна

* Выбор сечений проводов по условиям коротких замыканий с точки зрения термической устойчивости за время до отключения линии (худший случай—максимальный ток короткого замыкания) или с точки зрения обеспечения чувствительности защиты (худший случай — минимальный ток короткого замыкания) не рассматривается. В обоих случаях, как правило, целесообразно не увеличение сечения провода, а применение более совершенной защиты: увеличение быстродействия для первого случаях и увеличение чувствительности для второго. Эти вопросы могут рассматриваться в дипломном проектировании по специальному заданию руководителя.

цеиствия с линией равных допусков. На 4-4 на линии равных допусков отмечены точки с разным бы- 0 ^ стродействием (/, 2, 3), при- д,1 чем тз1 > тз2 > т33, т. е. увеличение быстродействия приводит к сужению области р аботоспособности. П ре-дельное быстродействие можно оценить по ta мин, которое получается при

На 9-5 графически представлена зависимость R от п при различных соотношениях ^о и t в соответствии с уравнениями (9-9). Прежде всего можно отметить, что для каждого значения п^.пмлкс данный канал работает так же эффективно, как и более быстродействующий канал (с меньшим /0)- Повышение скорости работы схем канала в этом случае бессмысленно, так как канал будет просто недогружен, в то же время увеличение быстродействия может привести к существенному росту затрат оборудования.

Одной из важнейших задач полупроводниковой электроники является увеличение рабочих частот, увеличение быстродействия полупроводниковых приборов, в том числе и интегральных микросхем. Прогресс в этом направлении достигнут значительный: максимальная частота генерации биполярных транзисторов за тридцать с лишним лет, прошедших после появления первых плоскостных транзисторов, возросла на несколько порядков и достигла 10 ГГц. Значение этого параметра биполярных СВЧ-транзисторов уже близко к теоретическому пределу. Перечислим фундаментальные физические ограничения, определяющие теоретический предел быстродействия различных полупроводниковых приборов.

8) допустимый уровень искажения задерживаемого электрического сигнала, например увеличение длительности фронтов задерживаемого импульса, степень изрезанности плоской части импульса и др.;

Таким образом, увеличение длительности фронта ведет к сужению области работоспособности МОЗУ (см, § 4-3, 4-4, 4-5).

Расширение импульсов, т. е, увеличение длительности кратковременного импульса, требуется при регистрации импульсов, для задержки и запоминания импульсных сигналов и т. п. Расширение импульсов можно осуществить при помощи интегрирующих цепей, к числу которых относится емкостный и индуктивный контуры. Интегрирующий эффект можно реализовать также путем насыщения транзистора. 440

отрицательной 2 полярности импульсов 1,2/50 мкс в неоднородных полях (2, 3) электрическая прочность выше, чем при положительной 3. Увеличение длительности воздействующего напряжения до 10~3—10~2 с, что соответствует коммутационным перенапряжениям, приводит к некоторому снижению электрической прочности (на 10—20 %). Это определяется влиянием частичных разрядов, возникающих в неоднородностях, что приводит к смене механизма развития

Из (13-12) следует, что существенное увеличение длительности фронта наблюдается, если постоянная времени схемы Т = С—^~- имеет тот.же порядок

Режим ждущего мультивибратора по постоянному току не изменяется при изменении емкости времязадающего конденсатора Cj. Однако изменение емкости (путем регулировки или переключения) связано с усложнением конструкции устройства. Кроме того, увеличение длительности выходного импульса при увеличении С( приводит к возрастанию и времени восстановления схемы, что не всегда желательно.

Такой последовательный способ чтения и исполнения МК вызывает увеличение длительности тактового периода на время, необходимое для чтения МК из УП, что является дополнительным фактором, снижающим быстродействие процессора.

1. Увеличение длительности строб-импульса («временных ворот»). Однако для достижения приемлемой точности на низких частотах требуется большое время измерения. В электронно-счет-

Увеличение длительности импульса выходного тока (свыше 500 икс) может привести к разрушению прибора из-за расплавления припоя в местах соединения кремниевой пластины с термокомпенсаторами и термокомпенсатора с медным основанием. В этом случае предельная температура структуры 7'пр»500°С; эта величина сильно зависит от конструкции прибора, его теплофизических параметров и параметров режима эксплуатации.

на А/и = /рас- Увеличение длительности выходного импульса можно рассчитать по формуле

Следовательно, расширение выходного импульса, которое имеет место при увеличении напряжения во входной цепи и уменьшении нагрузки, зависит от пределов изменения токов /ei и /к н, амплитуды запирающего перепада Д/бт и параметров транзисторат„ и РА/. Если увеличение длительности импульса превышает допустимую величину Ata доп, которая определяется требованиями к данной схеме, то необходимо принимать меры для уменьшения расширения импульса.