Увеличением отрицательного

Для цепи 2-1, б поток рассеяния может быть весьма значительным и будет увеличиваться с увеличением отношения длины цепи к расстоянию между параллельными участками

5. При одном и том же значении угла а и zH.a КПД отвода "Потв плавно изменяется с увеличением отношения FmvJFl},n и резко снижается при уменьшении этого отношения относительно оптимального значения, что можно использовать для получения круто падающей характеристики насоса.

Зависимость КПД индуктора от частоты т]„ = / (/"а) похожа на подобную же зависимость Т1„ — / (D2/A2) для пластины при /;2/D2 = 1, приведенную на 4-9. С увеличением отношения Di/Da кривые сохраняют характер, но КПД понижается.

На 8.3 показана зависимость волнового сопротивления несимметричной микрополосковой линии передачи от ее геометрических размеров. Из рисунка видно, что с увеличением отношения ширины проводника к толщине подложки волновое сопротивление уменьшается. С увеличением диэлектрической проницаемости при постоянном отношении b/h волновое сопротивление также падает.

предохранителя; tu падает с увеличением отношения токов- — .

откуда следует, что погрешность бмдс/ пропорциональна отношению мощности вольтметра и потребителя и уменьшается с увеличением отношения сопротивлений R/R0, а также с увеличением сопротивления вольтметра.

Для цепи 2-1,6 поток рассеяния может быть весЪма значительным и будет увеличиваться с увеличением отношения длины це-

откуда следует, что погрешность бмд[/ пропорциональна отношению мощности вольтметра и потребителя и уменьшается с увеличением отношения сопротивлений R/R0, а также с увеличением сопротивления вольтметра.

При гибке на ребро ( 2-12,6) минимальный радиус для алюминиевых сплавов и мягкой стали принимается /-MHH = 2,5 Ъ. При гибке труб ( 2-12, в) с наружным диаметром до 20 мм минимальный радиус для алюминиевых сплавов и стали принимается гмин»1,5О, а для титановых сплавов — не менее трех диаметров. На минимальный радиус гибки трубы влияет отношение наружного диаметра к толщине стенки D/s. С увеличением отношения O/s минимальный радиус увеличивается.

Отрицательное насыщение ОУ будет сохраняться при 2- При уменьшении ип до значения t/,2 произойдет новое переключение компаратора, процесс опять будет развиваться регенеративно и выходное напряжение мгновенно достигнет значения ?/вых тах. Таким образом, передаточная характеристика компаратора 3.10, а имеет ги-стерезисный характер и переключение компаратора при увеличении и уменьшении «Вх происходит при разных напряжениях Ut\ и U*z. Ширина петли гистерезиса {Uti — ? увеличивается с увеличением отношения

Во-первых, с увеличением отношения R/RBT возрастает КПД, который достигает максимального значения (100 %) теоретически в режиме холостого хода. При этом, однако, никакой полезной работы не производится, так как и мощность потребителя, и мощность источника равны нулю.

На 1.20, а показано схематическое изображение пентода высокой частоты, у которого защитная сетка имеет отдельный вывод, на 1.20, б— условное обозначение пентода, у которого защитная сетка соединена с катодом внутри баллона лампы, на 1.20, в — устройство управляющей сетки в высокочастотном пентоде 6К4П (серия К), называемом иначе пентодом «варимю». Благодаря переменному шагу намотки управляющей сетки лампа имеет переменную крутизну характеристики и, следовательно, переменный коэффициент усиления. При небольших отрицательных напряжениях на сетке вся ее поверхность принимает участие в управлении величиной анодного тока, поэтому крутизна характеристики сравнительно велика. С увеличением отрицательного напряжения смещения густая часть сетки для электронов, эмиттируемых катодом, становится почти непроницаемой, и управление анодным током осуществляется только средней (не очень густой) частью сетки, поэтому крутизна характеристики заметно уменьшается.

между ускоряющим 4 и фокусирующим с? анодами. Силы Fl направлены к продольной оси трубки, поэтому действие их можно рассматривать как результат прохождения электронов через собирательную электростатическую линзу, фокусирующую электронный луч в точке А ( 1.24, г). Вылетая из диафрагмы фокусирующего анода, электроны в снова попадают в электоическое поле, действующее между анодами, но силы FZ направлены в этом случае так, что электроны будут отклоняться от продольной оси трубки. Действие сил Fz можно рассматривать как действие рассеивающей электростатической линзы. Благодаря тому, что скорость электронов в значительно больше скорости электронов б, действие сил F2 будет настолько кратковременным, что траектория электронов изменится лишь незначительно. Они будут продолжать приближаться к продольной оси трубки и пересекут ее в точке В, положение которой зависит от «кривизны» электрических силовых линий вблизи фокусирующего анода, которая определяется соотношением напряжения на ускоряющем 4 и фокусирующем 3 анодах. Следовательно, подбирая потенциометром «фокус» (см. 1.24, а) напряжение на аноде 3, можно сфокусировать электронный луч непосредственно на люминофоре. Во избежание скопления на люминофоре отрицательных зарядов, перенесенных свободными электронами, нужно, чтобы число электронов, приходящих на люминофор, было равно числу уходящих с него электронов. Это достигается за счет того, что вторичные электроны, выбитые с поверхности люминофора электронным лучом, уходят на аквадаг 7, представляющий собой коллоидный раствор графита в жидком стекле, нанесенный на внутреннюю поверхность трубки и соединенный со вторым анодом. Яркость светящейся точки на экране трубки регулируется потенциометром «яркость». С увеличением отрицательного напряжения модулятора относительно катода яркость уменьшается, так как уменьшается число электронов, вылетающих через отверстие модулятора в единицу времени.

Семейство стоковых характеристик полевого транзистора с р — «-переходами приведено на 58, а. Семейство характеристик снимается для нескольких значений напряжения U3a. При ?/зи = 0 увеличение напряжения ?/Си приводит к росту тока стока /с1. Вначале зависимость /с— /(С/си) будет близка к линейной (участок ОА). Однако с возрастанием тока /с увеличивается падение напряжения на сопротивлении канала, что ведет к росту обратного смещения р — n-перехода. Обратное напряжение на р — «-переходе увеличивается в направлении от истока к стоку. Соответственно ширина р — n-перехода в этом направлении растет, а токопроводящий канал сужается, что замедляет рост тока. В итоге ширина проводящего канала (около стока) сужается и становится почти равной нулю (см. штриховые линии и точку О на 53). Это приведет к отсечке тока в стоковой цепи. При этом на характеристике, начиная с точки А, получается почти горизонтальный участок. На этом участке увеличение напряжения Uca не приводит к росту тока /с. Такой режим называется насыщенным, а напряжение (7си.нас, при котором он наступает, — напряжением насыщения. С увеличением отрицательного напряжения на затворе характеристики тока стока будут располагаться ниже характеристики при С/зи=0. Это объясняется уменьшением сечения канала ввиду роста толщины

При одновременном приложении анодного и сеточного напряжений между анодом и катодом действует электрическое поле, равное сумме напряженностей анодного и сеточного полей. При отрицательном потенциале сетки относительно катода между указанными электродами создается тормозящее для электронов поле и часть электронов возвращается к катоду. С увеличением отрицательного потенциала сетки анодный ток уменьшается. При отрицательном потенциале сетки, называемом напряжением запирания С/зап, анодный ток становится равным нулю.

Статические характеристики БТ. Статические характеристики отражают зависимость между постоянными токами и напряжениями на входе и выходе БТ. Полное представление о свойствах БТ можно получить, воспользовавшись двумя семействами характеристик: входных и выходных. Для схемы с общей базой входные (/э=/({/Бэ)11/кБ=о и выходные (/K=/([/KB)b=coJ характеристики показаны на 16.14, а, б. Как видно из 16.14, а, входные характеристики имеют вид вольт-амперной характеристики диода при прямом включении. С увеличением отрицательного напряжения ?/КБ наблюдается слг.бо выраженное смещение входных характеристик влево. Это объясняется тем, что электрическое поле, создаваемое напряжением (/КБ почти полностью сосредоточено в коллекторном переходе и оказывает незначительное влияние на прохождение зарядов через эмиттерный переход.

В основе работы МНОП транзисторов лежит накопление заряда на границе нитридного и оксидного слоев. Это накопление есть результат неодинаковых токов проводимости в слоях. Процесс накопления описывается выражением dq/dt = ISi0 —Isi N . При большом отрицательном напряжении Um на границе накапливается положительный заряд. Это равносильно введению доноров в диэлектрик и сопровождается увеличением отрицательного порогового напряжения. При большом положительном напряжении ?/зи на границе накапливается отрицательный заряд. Это приводит к уменьшению отрицательного порогового напряжения. При малых напряжениях ?/зи токи в диэлектрических слоях уменьшаются на 10... 15 порядков, поэтому накопленный заряд сохраняется в течение тысяч часов, а следовательно, сохраняется и пороговое напряжение.

Для расчета цепей с тиратроном часто пользуются так называемыми пусковыми характеристиками, которые выражают зависимость минимальных значений сеточного и анодного напряжений, при которых происходит зажигание тиратрона ( 2.12). На них хорошо видно, что с увеличением отрицательного напряжения на сетке повышается анодное напряжение, необходимое для зажигания тиратрона. Для некоторых типов тиратронов зажигание требует подачи на сетку положительного напряжения. Пусковая характеристика может несколько смещаться под влиянием изменения температуры, состояния тиратрона в момент зажигания и значения ограничительного сопротивления в цепи сетки Яс.огр.

истоком и стоком, обогащается дырками. Это приводит к образованию канала с повышенной проводимостью, по которому проходит ток стока. С увеличением отрицательного потенциала затвора сопротивление индуцированного канала уменьшается и ток стока возрастает, что отражено на стоковой вольт-амперной характеристике 3.28,6.

зависимостей Ia — q>t (UC1) при UC3 = const ( 4-13, б) объясняется иными процессами управления током. В этом случае анодный ток меняется из-за влияния управляющей сетки на объемный заряд у катода. С уменьшением отрицательного напряжения — Ucl все больше электронов проходит плоскость управляющей сетки, растет не только катодный ток, но и токи /а и /С2. С увеличением отрицательного напряжения на третьей сетке уменьшается коэффициент токораспределения kn = /а//с2 и на анод попадает все меньшая часть электронов. Крутизна характеристик уменьшается.

тельио отличаются от характеристик идеализированного транзистора. Отличие прежде всего заключается в некотором росте тока /к с увеличением отрицательного напряжения ?/КБ (характеристики непараллельны оси абсцисс). Этот наклон характеристик обусловлен влиянием эффекта модуляции ширины базы.

-Гв -^ 1э и его приращение на единицу напряжения Г/Бэ значительно меньше. Масштаб по оси токов для кривых на 12-10, а крупней масштаба на 12-9, а. Иное влияние оказывает на кривые и напряжение ?/кэ- С увеличением отрицательного напряжения ?/кз при ?/БЭ = const ток /в уменьшается, так как уменьшение ширины базы при этом, естественно, снижает вероятность рекомбинации в базе неосновных носителей.