Увеличением обратногоВажным энергетическим показателем работы асинхронных двигателей является коэффициент мощности cos срн, определяющий потребление двигателем реактивной энергии. У асинхронных двигателей соз<рн зависит от номинальной мощности, частоты вращения, конструкции ротора и пр. С увеличением номинальной МОЕДНОСТИ двигателя его номинальный коэффициент мощности растет. Это возрастание, заметное при малых номинальных мощностях, по мере роста мощности становится менее интенсивным, а при больших мощностях практически прекращается. Увеличение синхронной частоты вращения двигателей, приводящее к лучшему использованию материалов, также связано с увеличением номинального коэффициента мощности.
Важным энергетическим показателем работы асинхронных двигателей является коэффициент мощности созфном, определяющий потребление двигателем реактивной энергии. У асинхронных двигателей созфном зависит от номинальной мощности, частоты вращения, конструкции ротора и т. д. С увеличением номинальной мощности двигателя его номинальный коэффициент мощности растет. Это возрастание, заметное при малых номинальных мощностях, по мере роста мощности становится менее интенсивным, а при больших мощностях практически прекращается. Увеличение синхронной частоты вращения двигателей, приводящее к лучшему использованию материалов, также связано с увеличением номинального коэффициента мощности.
потребление двигателем реактивной энергии. У асинхронных двигателей coscp зависит от номинальной мощности, частоты вращения, конструкции ротора и т. д. С увеличением номинальной мощности двигателя его номинальный коэффициент мощности растет, особенно при малых номинальных мощностях. По мере роста мощности возрастание становится менее интенсивным, а при больших мощностях практически прекращается. Увеличение синхронной частоты вращения двигателей, приводящее к лучшему использованию материалов, также связано с увеличением номинального коэффициента мощности.
Опорные штыревые изоляторы. С увеличением номинального напряжения и высоты изолятора растут изгибающие моменты, и прочность изоляторов стержневого типа оказывается недостаточной. Не обеспечивают они необходимую прочность и в установках с относительно низкими напряжениями, но с большими токами к. з.
Изоляционное тело служит одновременно и креплением токо-ведущего стержня. Оно воспринимает все механические усилия, которые действуют на стержень. С увеличением номинального напряжения и размеров изоляционного тела резко возрастают механические нагрузки от собственной массы изолятора. Наиболее опасными для вводов являются механические нагрузки, изгибающие его изоляционное тело. Поэтому для крупных изоляторов, имеющих большую массу, ограничивают угол отклонения от вертикали в рабочем положении.
Влияние условной площади контактирования. С увеличением площади рабочей поверхности контакт-детали растет число точек соприкосновения, а от этого увеличивается значение показателя степени п в уравнении (4-3). Однако беспредельное увеличение условной площади контактирования нецелесообразно, так как п быстро достигает значения, близкого к единице, а больше единицы п не бывает. Переходное сопротивление контакта мало зависит от размера условной площади контактирования. Все же с увеличением номинального тока надо увеличивать и внешнюю поверхность контакт-деталей, так как с ростом тока растут потери и для их рассеяния требуется большая поверхность.
Наиболее простая схема у однопредельного амперметра (миллиамперметра): она состоит из обмотки неподвижной катушки и подводящих проводов. Такие амперметры изготовляют на токи до 200—250 а, причем с увеличением номинального значения тока число витков уменьшается так, что намагничивающая сила для приборов одного типа остается постоянной (200—300 а). Так, например,амперметр с пределом шкалы 5 а имеет 50 витков на катушке, а амперметр с пределом 250 а — всего один виток. При измерениях на переменном токе для расширения пределов измерения пользуются измерительными трансформаторами тока (см. гл. 14).
Влияние условной площади контактирования. С увеличением площади рабочей поверхности контакта-детали растет число точек соприкосновения, а от этого увеличивается значение показателя степени п в уравнении (4-3). Однако беспредельное увеличение условной площади контактирования нецелесообразно, так как п быстро достигает значения, близкого к единице, а больше единицы п не бывает. Переходное сопротивление контакта мало зависит от размера условной площади контактирования. Все же с увеличением номинального тока надо увеличивать и внешнюю поверхность контакта, так как с увеличением тока растут потери и для их рассеяния требуется большая поверхность.
Перевод электрических сетей на более высокое номинальное напряжение применяется в основном для повышения пропускной способности электрических сетей или их участков в тех случаях, когда нагрузка сетей достигла предельных для действующего номинального напряжения значений. При этом, как правило, уже не оправдываются реконструктивные технические мероприятия, так как они ведут к незначительному увеличению пропускной способности сетей по сравнению с увеличением номинального напряжения. Снижение потерь электроэнергии является сопутствующим.
2i Ограниченная номенклатура выпускаемых реакторов по их реактивности, которая повышается с увеличением номинального тока реактора, вследствие чего предельный ток КЗ за реактором яе изменяется в диапазоне номинальных токов 1000—3000 А, оставаясь равным 25 кА. Между тем, как это вытекает из табл. 6.1, максимальные токи КЗ за реактором находятся в диапазоне примерно 10—15 кА (без учета подпитки от электродвигателей). Необходимо дополнить номенклатуру реакторов исполнениями с более низкой минимальной реактивностью.
Основные характеристики изоляторов: габариты, масса, стоимость — существенно влияют на общие технико-экономические показатели установки в целом. Это влияние резко усиливается с увеличением номинального напряжения. В установках сверхвысокого напряжения характеристики изоляторов могут иметь решающее значение, от них может зависеть целесообразность создания всей установки.
и другими обстоятельствами, которые возрастают с увеличением номинального значения напряжения.
несколько возрастает с увеличением обратного напряжения, поэтому наблюдаются некоторые отклонения от идеальной вольт-амперной характеристики. Причина этого отклонения заключается в том, что наряду с тепловым током в обратном направлении протекают токи термогенерации и утечки.
Барьерная емкость резко уменьшается с увеличением обратного напряжения ( 4.6). При приложении к р — п-переходу напряжения в проводящем направлении большое количество носителей заряда диффундирует через пониженный потенциальный барьер и не успевает при этом рекомбинировать. В области р — «-перехода происходит накопление инжектированных неравновесных носителей и образуемого ими заряда, причем процесс накопления зависит от приложенного напряжения. В результате появляется емкость, которая называется диффузионной, так как она обусловлена диффузионными процессами в переходе. Эту емкость, CD, можно представить как отношение заряда AQo к вызвавшему его к уменьшению напряжения Д?Л
При запирающем напряжении величина гдиф резко возрастает и имеет место соотношение гдиф > г, поэтому в области низких частот схему замещения перехода можно преобразовать к виду 4.7, г. При действии обратного напряжения основное влияние на работу перехода в области высоких частот оказывает барьерная емкость, величина которой уменьшается с увеличением обратного напряжения, а диффузионная емкость отсутствует. Емкость CQ оказывает вредное влияние на работу р — n-перехода, так как шунтирует его, пропуская через себя переменный ток при работе на высоких частотах ( 4.7, д).
— с увеличением обратного напряжения происходит уменьшение /выкя. так как при этом ускоряется процесс освобождения базовых областей от носителей заряда.
Смещение статических характеристик указывает на изменение коллекторного (выходного) тока транзистора /к, приращения которого обусловлены главным образом увеличением обратного тока коллекторного перехода /кэо (см. § 2.3) и коэффициента передачи тока транзистора hi\6 (или feu) с ростом температуры.
Основной характеристикой туннельного диода является вольт-амперная характеристика, для снятия которой используется схема включения, приведенная на 22, а. На участке 0—/ ( 22, б) ток через переход увеличивается с ростом прямого напряжения t/np. При дальнейшем увеличении напряжения Unp прямой ток /пр убывает, и на вольт-амперной характеристике появляется участок (1—2) с отрицательным сопротивлением. В точке 2 будет минимум тока, протекающего через диод, /mm. Дальнейшее увеличение прямого напряжения f/p приводит к росту диффузионного прямого тока (участок 2—3), значение которого будет изменяться по закону экспоненты в зависимости от приложенного напряжения. При подаче на туннельный диод обратного напряжения возникнет обратный ток, который быстро возрастает с увеличением обратного напряжения. Обратное сопротивление туннельного диода незначительно.
Напряжение, имеющее рассмотренную полярность, называют обратным и считают отрицательным. Толщина р — «-перехода с увеличением обратного напряжения по абсолютному значению увеличивается.
Так же как и при прямом подключении, избыточная концентрация носителей заряда на границах р-п перехода (Appi Ann), полученная при экстракции, экспоненциально растет с увеличением обратного напряжения. По аналогии с: (3.8) для Арр и А^п можно написать
При подаче обратного напряжения —UK6 появляется дополнительная составляющая тока коллектора /ко, и поскольку с увеличением обратного напряжения толщина базы W уменьшается, инжекционный ток а/э несколько увеличивается за счет увеличения коэффициента а.
С увеличением обратного напряжения ис'
Увеличение обратного напряжения приводит при некотором значении L/обр = 1/обр.пр к пробою p-n-перехода, что сопровождается резким увеличением обратного тока /Обр. В режиме пробоя переход может выйти из строя вследствие изменения структуры кристалла при нагреве. Если ток ограничен общим сопротивлением цепи, пробой носит обратимый характер.
Похожие определения: Устройств автоматического Устройств используются Устройств охлаждения Устройств подключенных Устройств применяются Указатель гальванометра Устройств сопряжения
|