Увеличением концентрации

С увеличением количества ярусов расположения токопроводов в ОРУ уменьшаются его габариты, но растет высота порталов, поддерживающих ошиновку, снижается надежность и ухудшаются условия эксплуатации.

После этого происходит лавинообразное увеличение количества носителей заряда за счет лавинного умножения носителей заряда в p-n-переходе П2 движущимися электронами и дырками. С увеличением количества носителей заряда ток в переходе быстро нарастает, так как электроны из слоя л2 и дырки из слоя pi устремляются в слои р2 и «! и насыщают их неосновными носителями заряда. Напряжение на резисторе -R возрастает, напряжение на тиристоре падает. После пробоя напряжение на тиристоре снижается до значения порядка 0,5—1 В. При дальнейшем увеличении э. д. с. источника Еа и- -^ппА или уменьшения сопротивления резистора R ток в приборе нарастает в соответствии с вертикальным участком вольт-амперной характеристики. Такой пробой не вызывает разрушения перехода Я2. При уменьшении тока восстанавливается высокое сопротивление перехода (нисходящая ветвь на 1.32.) Время восстановления сопротивления этого перехода после снятия питающего напряжения обычно составляет 10—30 мкс.

Отметим, что Г-образные RC-цепи иногда выполняют с количеством звеньев больше трех (чаще всего четырехзвенные). Увеличением количества звеньев в автогенераторе 7.7, а можно повысить частоту генерации; еще большего увеличения частоты генерации можно добиться при смене мест резисторов и конденсаторов в ЯС-цепи того же генератора.

Элементы программной структуры информационно-вычислительной сети согласно предложению Международной организации по стандартизации (МОС), согласованному с МККТТ (Международным консультативным комитетом по телеграфии и телефонии), расположены на семи уровнях. Иерархическая семиуровневая модель сети является наиболее экономичной, поскольку с увеличением количества уровней возникает необходимость в разработке дополнительных правил согласованного взаимодействия объектов, расположенных на соседних уровнях сети. Семиуровневая модель сети обеспечивает наиболее простую связь между смежными уровнями при выполнении процедуры передачи информационных блоков, определяет выполнение каждым уровнем строго ограниченного количества функций и позволяет произвести замену или модернизацию каждого уровня в отдельности без изменения остальных уровней.

Развитие человеческого общества в условиях научно-технического прогресса и улучшение материальных условий жизни людей непосредственно связаны с увеличением количества потребляемой энергии и освоением ее новых видов. Если на заре развития человечества единственным источником энергии была мускульная сила людей, то после того, как человек научился использовать огонь, он стал привлекать для своих нужд природные источники энергии, т. е. пользоваться энергетическими ресурсами.

9. Возможны ли перегрузки в цепях с увеличением количества последовательно включенных потребителей?

параметрах пара т?эТЭц всегда выше, чем т?э для конденсационной установки, и возрастает с увеличением количества теплоты, отдаваемой тепловому потребителю. Однако если сравнить установки, различающиеся по техническому совершенству процесса производства электроэнергии, то окажется, что далеко не всегда более совершенной установке соответствует большее значение т?. ТЭц.

Из (8.56) видно, что удельная выработка электроэнергии на тепловом потреблении непосредственно зависит от абсолютного значения электрического КПД т?эабс- Чем выше начальные параметры, более развита регенеративная система и более совершенна схема турбогенераторной установки, тем больше значения т?э абс и при том же количестве теплоты, отдаваемой потребителю, вырабатывается больше электроэнергии. Для конденсационной установки т}э абс имеет более высокие значения, чем для установок с отборами пара к потребителю теплоты (при прочих равных условиях) . С увеличением количества теплоты, отдаваемой потребителю, rj абс уменьшается. Все это показывает, что т?э абс не характеризует тепловую экономичность ТЭЦ.

В связи с увеличением количества работающих радиосредств возникает противоречие между усложнением радиотехнических схем и ограничениями, которые определяются параметрами конструкции и особенностями объекта установки [6]. Важной задачей является обеспечение электромагнитной совместимости радиосредств, одновременно работающих в непосредственной близости и широком диапазоне частот.

Как изменяется точность вычислений с увеличением количества триггеров в регистрах и сумматорах? Увеличивается 232

Пассажирские лифты в зависимости от пассажи ро-потока, высоты подъема и количества лифтов, обслуживающих пассажиров, разделяются на одиночные и с групповым управлением. К одиночным относятся; а) лифты, работающие по единичным приказам и вызовам без попутных остановок прь спуске и подъеме пассажиров; б) лифты с собиранием пассажиров при спуске, но с запрещением вызовов при подъеме; в) то же, но с регистрацией вызовов на спуске с последующим их исполнением. К лифтам с групповым управлением относятся: а) лифты с одной вызывной кнопкой на посадочных площадках независимо от количества установленных лифтов (чаще используется парное управление) и с собиранием пассажиров при спуске; б) то же, но с полным собиранием пассажиров на промежуточных этажах на подъем и спуск (обычно устанавливаются в административных, учебных и других зданиях). Кроме того, в связи с увеличением количества пассажирских лифтов стала использоваться диспетчеризация лифтов ряда домов и целых районов, когда с одного диспетчерского пульта осуществляется контроль состояния схем и производится управление несколькими лифтами.

Эффективность выбранной системы агрегатирования АСТО зависит от расчлененности агрегатов АСТО или степени его агрегатирования. Мелкое дробление агрегатов вместе с упрощением конструкции АСТО создает хорошие предпосылки для их централизованного производства неспециализированными предприятиями. Однако в этом случае усложняется компоновка и отладка указанного оборудования. Укрупнение узлов с увеличением концентрации операций на одной позиции облегчает компоновку сборочного АСТО, не ухудшает их мобильность, делает их менее гибкими в условиях частой сменяемости объектов производства РЭА. Степень агрегатирования АСТО должна иметь оптимальные значения, удовлетворяющие одновременно условиям эксплуатации и требованиям мобильности, так как расчленение конст-

Концентрации свободных электронов и дырок в собственном полупроводнике равны: n-i = pt. Добавление примесей в собственный полупроводник сопровождается увеличением концентрации одного типа носителей при одновременном уменьшении концентрации другого типа носителей. Этот процесс описывается соотношением пр — nl = р*, т. е. произведение концентрации дырок на концентрацию электронов в данном полупроводнике при данной температуре является постоянной величиной, которая не зависит от величины и типа примеси.

Вторая ступень диссоциации выражена очень слабо, вследствие чего концентрация ионов водорода в растворах кислых солей незначительна. При диссоциации основных солей также практически не обнаруживается заметного количества ионов металла и гидро-ксила в растворах. С увеличением концентрации степень диссоциации уменьшается, в результате этого сильные электролиты в очень концентрированных растворах диссоциированы достаточно слабо.

Объем кубового остатка, связанный с количеством исходной перерабатываемой воды коэффициентом упаривания, зависит от технологического режима. С повышением коэффициента упаривания увеличивается накипеобразование на греющей поверхности. С увеличением концентрации примесей пропорционально увеличивается загрязненность генерируемого пара, что требует более сложной технологии для сепарации влаги и промывки пара, а также дополнительных устройств для ионообменной доочистки дистиллята.

Количество свободных электронов и дырок в любом полупроводниковом материале определяется динамикой двух параллельно идущих процессов: генерации новых пар электрон—дырка под действием тепловых колебаний решетки и их рекомбинации при замещении вакантных уровней электронами. При легировании полупроводника с увеличением концентрации основных носителей заряда возрастает роль рекомбинаций, вследствие чего дополнительно снижается количество неосновных носителей. Динамическое равновесие вос-

Уменьшение сопротивления термисторов, выполненных на основе монокристаллических полупроводников, объясняется увеличением концентрации носителей зарядов за счет ионизации примесных и собственных атомов при увеличении температуры. Для поликристаллических окисных полупровбдни-ков характерны наличие незаполненных электронных оболочек и переменная валентность. Электропроводность их в основном определяется подвижностью носителей зарядов.

жающей среды; они служат датчиками температуры. Терморезисторы, реагирующие на нагрев током, применяют для регулирования процессов в электрических цепях. У наиболее распространенных терморезисторов с отрицательным температурным коэффициентом а? с ростом температуры сопротивление уменьшается. Это обусловлено увеличением концентрации свободных носителей заряда в рабочем теле терморезистора с ростом температуры или увеличением их подвижности. При этом зависимость сопротивления терморезистора от температуры определяется уравнением

При освещении полупроводника концентрация свободных носителей заряда в нем может возрасти за счет носителей, возбужденных поглощенными квантами света. При оптическом возбуждении электронов из валентной зоны в зону проводимости возникает пара свободных носителей - электрон и дырка. Если за счет света происходит переход электрона из валентной зоны на примесные уровни или с примесных уровней в зону проводимости, образуются свободные носители одного знака - дырки или электроны. В соответствии с увеличением концентрации свободных носителей заряда в полупроводнике за счет облучения его светом возрастает и его удельная проводимость :

о наблюдении изменений магнитной проницаемости и направления оси анизотропии в некоторых магнитных полупроводниках под воздействием света. В халькогенидах европия и некоторых других материалах имеют место повышение точки Кюри и изменение намагниченности с увеличением концентрации носителей заряда.

Потенциалы кремния п- и р-типов в смеси HNO3 — HF различны и более отрицательны для полупроводника и-типа. Разность потенциалов для поверхности полупроводников п- и р-типов растет с увеличением концентрации HF.

Видно, что в этом травителе вода выступает в роли окислителя, а гидрооксид калия — в роли растворителя оксида (комплексообразователя). Скорость растворения кремния в щелочном травителе итр не зависит от типа электропроводности материала, но в значительной степени определяется концентрацией щелочи в растворе NKOH, причем зависимость итр = = /(ЛГКОН) проходит через максимум в области концентраций раствора ~ 1-1,5 моль/л при 100 °С. До этого значения скорость травления линейно растет с увеличением концентрации