Увеличения напряжения

Если х=1, то транзисторы 77, ТЗ и Т6 открыты, а Т4 и Т5 закрыты. Поэтому на выходе у2 будет низкий уровень напряжения (г/2=0), а на выходе у\—высокий (у\ = \). Последняя схема кроме увеличения нагрузочной способности и быстродействия расширяет также и логические возможности элементов.

Для увеличения нагрузочной способности и повышения помехоустойчивости в ТТЛ схемах вместо простого инвертора на одном транзисторе часто используют специальные каскады усиления мощности на двух-трех транзисторах.

с целью увеличения нагрузочной способности или передачи их на исполнительные устройства командного, сигнального или защитного действия. Все эти элементы работают в релейном режиме. Так, например, элемент И-406 обеспечивает управление нагрузкой переменного тока мощностью до 220 В • А при токе 1 А. Он представляет собой оптоэлектронный ключ, в котором активным элементом, обеспечивающим усилительные свойства и гальваническую развязку, является оптронный тиристор. Схема элемента ( 23-11) содержит два оптрона VD1 и VD2, фототиристоры которых соединены встречно-параллельно, обеспечивая протекание через них и нагрузку переменного тока. Светоизлучающие диоды оптопар включены последовательно друг с другом и токоограничивающим резистором R1, что позволяет управлять с помощью сигнала напряжения постоянного тока. Цепь R2 — C ограничивает перенапряжения, возникающие при переключении индуктивной нагрузки. Конструктивно элементы «Логика-И» состоят из одной или двух печатных плат с навесными радиокомпонентами, помещенными в пластмассовый корпус, состоящий из двух деталей, соединенных друг с другом путем защелкивания. К плате прикреплены лепестки, которые выходят за пределы корпуса и служат для подсоединения внешних проводов.

микросхем шинных формирователей подключены к источнику питающего напряжения + 5 В. К выводам ВК микросхем подается формируемый микропроцессором сигнал Подтверждение захвата. Передача адреса с выхода микропроцессора через шинный формирователь происходит при низком уровне сигнала Подтверждение захвата. В режиме захвата микропроцессор выдает сигнал Подтверждение захвата высокого уровня, этим сигналом выходы шинных формирователей переводятся в высокоомное (выключенное) состояние, микропроцессор оказывается отключенным от шины адреса. Элемент 1/4 К155ЛИ1 (один из четырех двухвходовых элементов И в микросхеме) используется для увеличения нагрузочной способности выхода Подтверждение захвата.

Точность центрирования у ртутных опор невелика. Конструктивно ртутные опоры делятся на капельные и кольцевые. На 82, а изображена конструкция капельной ртутной опоры, у которой ртуть 3 помещена в цилиндрическом углублении неподвижной части прибора 1. На ртуть опирается легкая подвижная система 2, имеющая в месте соприкосновения с ртутью углубление в виде поверхности ртутной капли, в вершине которого сделано маленькое отверстие 4 для выхода воздуха, что необходимо для лучшего прилегания ртути к поверхности углубления. Если на подвижную систему действует радиальная R и осевая силы, то за счет поверхностного натяжения ртути смещение подвижной системы в сторону будет ограничено какой-то величиной, пропорциональной радиальной и осевой нагрузкам ( 82,6). Изображенная на 82 конструкция ртутной опоры работает при очень малых радиальных нагрузках. Так, например, в среднем при радиальной нагрузке в 0,0015 н смещение доходит до 1 мм. Для увеличения нагрузочной способности опор как в отношении осевых, так и в отношении радиальных нагрузок используют кольцевые ртутные опоры.

Для увеличения нагрузочной способности применяют двойные кольцевые ртутные опоры. Конструкция такой опоры изображена на 83, в. Кольцевые опоры выдерживают значительные радиальные силы R. Так, например, для двойной кольцевой опоры при /? = 0,01 к радиальное смещение 5=1 мм.

Выходы микросхем ПЗУ обычно инверсные, инверсным часто бывает и вход Е. Наращивание ПЗУ может потребовать введения буферных усилителей для увеличения нагрузочной способности некоторых источников сигналов, учета вносимых этими усилителями дополнительных задержек, но в общем при сравнительно небольших объемах памяти, что типично для многих ЦУ (например, устройств автоматики), наращивание ПЗУ обычно не порождает принципиальных проблем.

Более совершенная схема генератора с индуктивной обратной связью может быть построена на дифференциальном усилителе, как показано на 23.5. Как и в простейшем генераторе с трансформаторной обратной связью, в схеме имеется обмотка обратной связи Lc, которая включена между базами транзисторов VTI и VT2. Транзистор VT3 является генератором тока, который питает дифференциальный каскад. Для уменьшения влияния нагрузки на стабильность генерируемых колебаний и увеличения нагрузочной способности генератора выходное напряжение снимается с эмиттерного повторителя, выполненного на транзисторе VTA.

Для увеличения нагрузочной способности и повышения помехоустойчивости в ТТЛ схемах вместо простого инвертора на одном транзисторе часто используют специальные каскады усиления мощности на двух-трех транзисторах.

для увеличения нагрузочной способности. Схема может обеспечивать по крайней мере ток нагрузки +10 мА при логических уровнях, отличающихся на 0,3 В от границ напряжения питания. Если вам требуется больший выходной ток, вы можете заменить инверторы на схемы 'АС04, запараллеленная пара которых будет давать выходной ток до + 50 мА при таких же значениях логических уровней.

прошедшей через радиаторы вентилей, снизить ее температуру ниже температуры окружающей среды, можно достигнуть увеличения нагрузочной способности вентилей.

постоянной МДС, у которых сопротивление обмотки не зависит от напряжения на ее выводах, у электромагнитных устройств с переменной МДС полное сопротивление обмотки (равное примерно ее индуктивному сопротивлению) с увеличением напряжения изменяется. Пока напряжение относительно невелико и материал магнитопровода не насыщен, сопротивление обмотки остается примерно постоянным; по мере увеличения напряжения и степени насыщения ферромагнитного материала сопротивление значительно уменьшается.

По мере увеличения напряжения на конденсаторе ток в цепи уменьшается в соответствии с постоянной времени т . Чтобы представить себе порядок величины т , приведем два примера. Если конденсатор емкостью С = 10 мкФ заряжается через резистор с сопротивлением г = 1 кОм, то постоянная времени этой цепи т =тС — 103-10-10~8 = 0,01 с. Если тот же конденсатор заряжается через резистор с сопротивлением 10 МОм, то постоянная времени будет равна 100 с.

5.3.4. Напряжение генератора с системой гармонического компаундирования. Найденное выше напряжение генератора после подключения нагрузки не возвратится к своему начальному значению, если только не произойдет увеличение тока возбуждения. Увеличение тока возбуждения в генераторе с системой гармонического компаундирования происходит в результате автоматического увеличения напряжения гармонической обмотки при подключении нагрузки [30].

где ?тах — максимально допустимая э. д. с.; Ки — коэффициент допустимого увеличения напряжения; К3 — коэффициент запаса по напряжению.

По мере разгона привода (увеличения напряжения генератора) возрастает м. д. с. Ри и результирующая м. д. с. СМУ уменьшается до номинальной величины.

Если, например, для элемента АБ принять предельное число промежутков Л/» 102, то постоянная времени тг* 1,4 • 10 "7 с. Аналогичный результат справедлив и для АБ в целом, так как при последовательном соединении ее элементов (с параметрами Г,. Л.,л) общая емкость уменьшается, а внутреннее сопротивление возрастает пропорционально числу элементов. Указанное обстоятельство справедливо также для группы А Б: при параллельном включении АБ (для увеличения тока) суммарная емкость Сс растет, внутреннее со-противление падает, но их произведение остается неизменным; при последовательном соединении АБ (для увеличения напряжения) внутреннее сопротивление возрастает, емкость Сс уменьшается, а значение их произведения сохраняется постоянным.

Электромеханические НЭ. в состав которых входят УМ кратковременного и ударного действия, применяются для питания различной электрофизической аппаратуры: электромагнитов ускорителей, установок типа «Токамак» для управляемого термоядерного синтеза, крупных магнитных систем, плазмотронов и др. [2.1, 2.36]. Наиболее характерным циклом работы УМ является накопление кинетической энергии в маховой массе ротора (заряд ЭМН) и последующий ударный разряд генератора, в котором получают кратковременно токи от сотен килоампер до нескольких мегаампер с типичной длительностью разряда ?р~0,01 ч-0,5 с при относительно низком напряжении. В случае прямого питания нагрузки от УМ напряжение ограничено, как правило, значением порядка Ю В. Для увеличения напряжения предусматривают совместную работу УМ с индуктивным НЭ, который заряжается от униполярного генератора (УГ) и переводится посредством коммутатора в разрядный режим с высоким значением ЭДС e=—Ldi!di, обусловленным соответствующей скоростью di/dt изменения тока.

Стабилизировать работу ЭДН в длительном режиме можно применением регулируемого источника возбуждения с кратностью увеличения напряжения С/в, пропорциональной броску тока в индукторе z'2. Однако такое решение приведет к увеличению массы источника возбуждения. Другой путь связан с уменьшением частоты генерируемых полуволн тока. В период паузы потокосцепление индуктора восстанавливается до исходного значения. В этом случае уменьшается коэффициент использования ЭДН с соответствующим увеличением его относительной массы.

шается, отклоняясь от номинального значения. Часть напряжения ?/„, равная pf/H (p — коэффициент обратной связи, равный коэффициенту деления резистивного делителя RiRzRz), являющаяся сигналом обратной связи, сравнивается с опорным напряжением и0п, снимаемым с параметрического стабилизатора. Поскольку опорное напряжение остается практически постоянным, напряжение U между инвертирующим и неинвентирующим входами ОУ из-за увеличения напряжения pf/H возрастает ([/=рС/н — иоп). При этом уменьшается выходное напряжение инвертирующего ОУ. Это приводит к тому, что потенциал базы транзистора Т\ типа n-p-п также уменьшается, что вызывает увеличение его сопротивления. Вследствие этого падение напряжения на транзисторе Т{ возрастает, а напряжение [/„ приобретает значение, близкое к номинальному с определенной степенью точности. С помощью переменного резистора RZ осуществляется регулирование напряжения р?/„.

При увеличении входного напряжения стабилизатора или уменьшении нагрузочного тока /н напряжение (7Н повышается, отклоняясь от номинального значения. Часть напряжения UH, равная р?/н (Р — коэффициент деления резистивного делителя RiRzRa), являющаяся сигналом обратной связи, сравнивается с опорным напряжением t/on, снимаемым с параметрического стабилизатора. Так как опорное напряжение остается постоянным, то напряжение между базой и эмиттером транзистора Г2 из-за увеличения напряжения pf/H уменьшается. Следовательно, коллекторный ток транзистора Т2 снижается. Это приводит к уменьшению напряжения между базой и коллектором транзистора 7\, что равносильно

Двигатели постоянного тока переключают на большее напряжение увеличением числа последовательно соединенных проводников в пазу пропорционально напряжению, т. е. /Су--=?/нов/?/ст, где /Су — коэффициент увеличения напряжения; ?/нов — новое повышенное напряжение, В; (7СТ — старое напряжение, В.