Указанной полярности

Однако зависимость тока и сопротивления обмотки переменного тока от воздушного зазора не всегда оказывается нежелательной. Указанная зависимость широко используется в устройствах автоматики и измерительной техники, примером чему могут служить индуктивные конечные и путевые выключатели, индуктивные датчики для измерения неэлектрических величин.

Указанная зависимость сохраняется лишь до тех пор, пока сердечник не перестает насыщаться, что будет иметь место при достижении частотой величины

Для оптоэлектроники пригодны любые источники света, яркость свечения которых зависит от управляющего напряжения или тока. Указанная зависимость может быть представлена яркостной характеристикой:

Добавим еще, что закон Ньютона (2-9) подтверждается экспериментально, если принять, что коэффициент теплоотдачи зависит от физических характеристик поверхности и среды и от температуры. Указанная зависимость определяется из эксперимента, построенного на основе соотношения (2-9), и имеет вид а = а(р, v, с, w, A, •&), где аргументами являются параметры: плотность, вязкость, теплоемкость, скорость среды, а также шероховатость поверхности и температура.

/Р?>0=?НЭ) где Енэ— ЭДС нормального элемента. Это равенство устанавливается по отсутствию тока в СУ, переключатель которого SA4 во время установки рабочего тока переводится в позицию НЭ. Поскольку ЭДС нормального элемента и значение Ro известны с высокой точностью, то и значение /р = ?нэ//?о известно с высокой точностью. Часть резистора R0 на 6.17 показана регулируемой. Дело в том, что ЭДС ?нэ зависит от окружающей температуры. Указанная зависимость не очень сильная, но она есть и надо позаботиться о том, чтобы колебания окружающей температуры не влияли на точность установки /р. Это условие достигается регулировкой R0. Допустим, что в результате отклонения окружающей температуры от нормального значения ЭДС ?нз увеличилась на 0,02%, тогда, увеличив и R0 на 0,02%, получим неизменное значение тока /р. Установленное значение /р должно оставаться неизменным в течение времени, необходимого для измерения Ux, следовательно, источник этого тока (ЭДС Е) должен отличаться высокой стабильностью напряжения во времени. В точных компенсаторах источником ЭДС Е служат высокостабильные источники напряжения, в компенсаторах средних и низких классов точности — сухие батареи.

Исследование пусковых свойств двигателя. Начальные пусковые момент Мк и ток /SK определяются при номинальном напряжении и заторможенном роторе (л = 0). По данным опыта рассчитываются кратности начального пускового момента kn = MK/Mn и пускового тока ki~ISKj!n. Результирующая механическая характеристика двигателя в асинхронном режиме Mn = f(n) снимается в диапазоне частот вращения икр<л
Исследование пусковых свойств двигателя. Для снятия зависимости начального пускового момента Л!к от углового положения ротора у на диске тормоза должен быть предусмотрен ряд отверстий. Указанная зависимость снимается при заторможенном роторе (л = 0), номинальном напряжении питания (U = Un) и номинальной емкости конденсатора (С = СН). Одновременно определяется пусковой ток /8к. По данным опыта строится зависимость MK = f(y), определяются максимальный и минимальный начальные пусковые моменты и рассчитываются кратность среднего начального момен-

ваются кратности начального пускового момента кового тока kt = lSKjIn. Результирующая механическая характеристика двигателя в асинхронном режиме Mn = f(n) снимается в диапазоне частот вращения Л,Ф<Л<ИБХ. Для увеличения зоны устойчивой работы двигателя в асинхронном режиме (за счет увеличения /гвх) рекомендуется нагрузить вал диском с большим моментом инерции (в работе для этого можно использовать ротор вспомогательного двигателя). Для снятия зависимости /ST = /( в тормозном (генераторном) режиме двигателя необходимо отключить его от сети, сочленить со вспомогательным двигателем постоянного тока и замкнуть фазы статора накоротко через амперметр. Указанная зависимость снимается в диапазоне частот вращения от п — пк до нуля. Используя зависимость /sT = /(X), можно рассчитать механическую характеристику двигателя в тормозном (генераторном) режиме MT = f(n):

Исследование пусковых свойств двигателя. Для снятия зависимости начального пускового момента Мк от углового положения ротора у на диске тормоза должен быть предусмотрен ряд отверстий. Указанная зависимость снимается при заторможенном роторе (я=0), номинальном напряжении питания (С/ = С/Н) и номинальной емкости конденсатора (С = СН). Одновременно определяется пусковой ток /SK. По данным опыта строится зависимость Мк = /(\), определяются максимальный и минимальный начальные пусковые моменты и рассчитываются кратность среднего начального момен-

где W(t) — весовой коэффициент , зависящий от значения сигнала Y(t): W(t) — = f[Y(t)]; пусть указанная зависимость задана с помощью таблицы, содержащейся в ПЗУ; К — константа, которую для конкретности примем равной 0,75; Х0 — константа, характеризующая некоторый пороговый уровень сигнала Х(/); / — такты, характеризующие темп поступления входных сигналов и соответственно темп выработки выходного сигнала; N — длина очереди данных, измеряемая в тактах t.

Указанная зависимость получена в опытах при малых ^-9 кгс/см2 давлениях. Распространять ее на широкий диа-,, ^___ _ _ ______ пазон параметров предста-

Если движок реостата (точка б) поставить в крайнее левое положение, то ток в гальванометре при указанной полярности включения источника э. д. с. Е» будет направлен сверху вниз (сплошная стрел-

Явление Пельтье особенно сильно проявляется в р—«-переходах. Для объяснения физического смысла явления Пельтье рассмотрим полупроводниковый элемент, состоящий из двух р—л-пе-реходов ( 9.2). Тепловая генерация вызывает перемещение электронов и дырок в противоположные стороны под действием электрического поля (показано стрелками). От спая 1 происходит отток электронов и дырок, что приводит к уменьшению температуры спая. Наоборот, спай 2 будет нагреваться, так как к нему с разных сторон подходят электроны и дырки и происходит их рекомбинация с выделением энергии в виде тепла. В результате при прохождении Тока термоэлемент работает как своеобразный тепловой насос, забирая часть тепловой энергии на спае 1 и выделяя эту энергию на спае 2. Рассмотренные эффекты приводят к охлаждению спая / и к нагреву спая 2 при указанной полярности-приложенного напряжения.

ионов и установившиеся потенциальные барьеры обоих переходов поддерживают динамическое равновесие, а токи через переходы равны нулю. При наличии источников смещения ?э и Ек указанной полярности (нормальное включение) создаются условия для инжектирования дырок из эмиттера в базу и перемещения электронов из базы в эмиттер. Поскольку концентрация электронов в базе во много раз меньше концентрации дырок в слое эмиттера, то встречный поток электронов значительно меньше. Поэтому при встречном перемещении дырок и электронов произойдет их частичная рекомбинация, а избыток дырок внедряется в слой базы, образуя ток эмиттера /э.

Указанной полярности соответствует положительное напряжение пассивного элемента, которым представляется индуктивность. Поэтому интересующая нас связь между током и напряжением элемента согласно закону электромагнитной индукции имеет вид

Если к р-п-структуре приложить внешнее напряжение плюсом на п-обяасть и минусом на р-область, то высота потенциального барьера увеличится ( 3 \1', д) и тпк через р-п-перехол. если не учитывать генерацию свободных носителей заряда в нем, будет определяться током неосновных носителей, величина которого не зависит от высоты потенциального барьера. Обозначим его через Is. Ток, протекающий через p-n-переход при указанной полярности внешнего напряжения, называют обратным током. При смене полярности внешнего напряжения высота потенциального барьера для основных носителей заряда уменьшится ( 3.17, г). При внешнем напряжении, равном U, с учетом того, что практически все напряжение падает на обедненном слое, количество основных носителей заряда, которые могут преодолеть потенциальный барьер, увеличится в е('илг) раз. Ток неосновных носителей заряда останется тем же. Полный ток, протекающий через p-n-переход, в этом случае будет

Из рассмотрения схемы или из этого выражения следует, что на идеальном диоде и на резисторе должно падать напряжение 4,3 В. Поскольку согласно указанной полярности выпрямитель смещен в прямом направлении, то падение напряжения на нем отсутствует (?/д=0) Следовательно, напряжение 4,3 В должно падать только на резисторе. По закону Ома ток диода /д=4,3/103= =4,3 мА.

Разомкнем цепь эмиттера, а коллектор оставим под напряжением указанной полярности. Коллекторный переход, как видно из рисунка, находится под обратным напряжением, при этом через него протекает небольшой ток, образованный движением неосновных носителей. Этот начальный ток у германиевых транзисторов составляет десятки, а у кремниевых — единицы микроампер.

которой приложено напряжение Uc, создающее ток /с через сопротивление нагрузки R,,. В полупроводниковой пластине этот ток обеспечивается движением основных носителей заряда. Торец пластины, от которого движутся носители заряда, называется истоком. Торец, к которому движутся носители заряда,— стоком. В две противоположные боковые поверхности основной р-пластины вплавлены пластинки типа п. На границе раздела пластин пир возникают электронно-дырочные переходы. К этим переходам в непроводящем направлении приложено входное напряжение ывх. Значение напряжения «„х можно менять при обязательном сохранении указанной на рисунке полярности. Обычно ивх состоит из двух составляющих: переменного напряжения управляющего сигнала и постоянной составляющей начального смещения, значение которой превышает амплитуду сигнала. Пластины n-типа образуют з а-твор. При указанной полярности напряжения на затворе вокруг этих пластин образуется слой, обедненный носителями заряда и, следовательно, имеющий малую проводимость. Между обедненными слоями сохраняется канал с высокой проводимостью.

Будем считать, что управляющий электрод У отключен (/у = 0), т. е. включение является динисторным. Плюс напряжения и подан на эмиттер 7\, служащий анодом прибора, минус — на эмиттер транзистора Т2, служащий катодом прибора. При плавном увеличении напряжения ток анода сначала нарастает слабо, так как при указанной полярности напряжения питания эмиттерные переходы транзисторов смещены в прямом направлении, а коллекторные — в обратном. Закрытый переход одного транзистора ограничивает базовый ток другого. Однако при большом напряжении ток коллекторного перехода каждого транзистора начинает возрастать, что вызвано как возрастанием утечки тока через закрытые коллекторные переходы, так и лавинным увеличением числа носителей заряда в предпробойном состоянии. Так как при /у = О /К1 = /б2 и /К2 = /бь то рост тока коллекторного перехода одного транзистора приводит к увеличению базового тока другого. Эмиттерные токи <В1- = iSi + /ш и /Э2 = '/62 + iK2 также возрастают. Коэффициент усиления по току В каждого из транзисторов зависит от эмиттерного тока. При малых напряжениях, когда эмиттерные токи соизмеримы с обратным током коллекторного перехода, значение В очень мало и усиления по току не происходит. По мере увеличения токов /81 к /82 каждый транзистор приобретает усилительные свойства: рост коллекторного тока транзистора 7\ приводит к увеличению базового тока транзистора Т2. Так как /К2 = 52/б2. то возрастание тока /02 в результате усиления транзистором Т2 обусловливает увеличение тока /Н2. Ток/К2протекает через открытый эмиттер-ный переход транзистора 7\ к плюсу источника и задает базовый ток /61, который тоже увеличивается. Так как /Ki = 5i/6i> то ток коллектора /„1 в результате усиления транзисторами возрастает в ВгВг раз. Процесс увеличения тока развивается лавинно и завершается насыщением транзисторов 7\ и Г2.

Основные процессы в биполярном транзисторе рассмотрим на примере транзистора типа р-п-р по одной из возможных схем включения — с общей базой ( 3.15). При отсутствии внешних напряжений (U3 = UX = G) поля p-n-переходов создаются лишь объемными зарядами ионов и установившиеся потенциальные барьеры обоих переходов поддерживают динамическое равновесие, а токи через переходы равны нулю. При наличии источников смещения ?э и ?„ указанной полярности (нормальное включение) создаются условия для инжектирования дырок из эмиттера в базу и перемещения электронов из базы в эмиттер. Базу выполняют таким образом, что концентрация электронов в ней оказывается во много раз меньше концентрации дырок в эмиттере. В связи с этим ток в цепи эмиттерного перехода будет создаваться главным образом дырками и встречный поток электронов будет значительно меньше. При встречном перемещении дырок и электронов про-

МДП-транзисторы применяют двух типов: со встроенным и индуцированным каналами. Уменьшение тока на выходе МДП-транзистора со встроенным каналом обеспечивается подачей на управляющий электрод—затвор—напряжения U3 с полярностью, соответствующей знаку носителей заряда в канале: для р-канала U3>0, для п-ка-нала t/3<0. Напряжение затвора U3 указанной полярности вызывает обеднение канала носителями заряда, сопротивление канала увеличивается, и выходной ток уменьшается. Если изменить полярность напряжения на затворе (например, для МДП-транзистора со встроенным р-каналом подать t/з•<()), то произойдет обогащение канала дырками и соответственно увеличение выходного тока.