Указанных процессов

На основе указанных преобразований исходных уравнений соединений и ветвей получим узловые уравнения в матричной форме. Подстановка (3.17) в (3.4) с учетом (3.15) дает

Ряды Фурье позволяют представлять периодические сигналы бесконечной суммой синусоид кратных частот, а преобразования Фурье и Л а п ласа —апериодические сигналы бесконечными суммами элементарных составляющих в виде синусоидальных функций непрерывных частот и нарастающих по экспоненте синусоидальных функций. При использовании указанных преобразований получаем общий частотный метод анализа.

нием U П. Поскольку Rx и R0 малы, то удобно контролировать не напряжение питания на зажимах Rx и R0, a ток в этой цепи, поэтому в схему введен амперметр. Сопротивление проводника, объединяющего Rx и R0 с учетом переходных сопротивлений контактов, обозначено R. Уравнения равновесия моста можно найти следующим образом: треугольник сопротивлений R, R3, Rt преобразуется в звезду известными из электротехники методами, при этом схема двойного моста преобразуется в схему одинарного (четырехплечего) моста, уравнение равновесия которого уже известно. После указанных преобразований получим:

В ряде случаев применение указанных преобразований сразу решает задачу расчета сложной цепи. Например, используя преобразование звезды в треугольник применительно к схеме 1-24, а,

Для сокращения записи приведенные относительные величины обозначим строчными буквами без штрихов и звездочки в индексе. После указанных преобразований система уравнений в относительных единицах принимает вид

В ряде случаев применение указанных преобразований сразу решает задачу расчета сложной цепи. Например, используя преобразование звезды в треугольник применительно к схеме 1-21, а, получим схему 1-21,6, представляющую собой комбинацию параллельных и последовательных соединений сопротивлений. Полученная схема легко приводится к простейшей, как это было показано раньше (см. 1-17).

После указанных преобразований схема 5.21а примет вид, изображённый на 5.216. Из неё следует, что

В ряде случаев применение указанных преобразований сразу решает задачу расчета сложной цепи. Например, применяя преобразование звезды в треугольник к схеме 4-23, а, получим схему 4-23, б, представляющую собой комбинацию параллельных и последовательных соединений сопротивлений. Полученная схема легко приводится к простейшей, как это было показано раньше (см. 4-19).

Первый этап данного метода заключается в замене согласно теореме замещения всех индуктивностей источниками тока, задающие токи которых равны соответственно токам индуктивностей и всех емкостей источниками напряжения с задающими напряжениями, равными напряжениям на емкостях. Схема исследуемой цепи (см. 8.6) после указанных преобразований показана на 8.12.

После указанных преобразований схема 5.21а примет вид, изображённый на 5.216. Из неё следует, что

После указанных преобразований и «приведения» исследуемая система может быть представлена для изучения установившегося или квазипереходного режима в ином виде ( 2.2). Теперь систему можно рассматривать как п-по-люсник, содержащий линейную пассивную электрическую схему, у которой в точках / = 1, 2, ..., л за сопротивлениями Zj подключены электродвижущие силы Ej (э. д. с), представляющие электрические машины 1, 2, ..., п.

Задачи расчета указанных процессов могут быть решены и с помощью ЦВМ. Однако необходимость интегрирования нелинейных дифференциальных уравнений численными методами, аппроксимация интегралов приближенными формулами (трапеций, прямоугольников), а также представление нелинейных зависимостей в виде аналитических выражений либо введение этих зависимостей в ЦВМ в табличной форме делают применение ЦВМ в данном случае менее оправданным. При расчете и проектировании электрических аппаратов возможности ЦВМ в полной мере могут быть использованы в случаях, связанных с трудностями вычислительного характера, когда исследование конкретного вопроса ручными методами требует больших затрат времени либо вообще невозможно.

Одновременно с ростом стримера, направленного от катода к аноду, начинается образование встречного лавинного потока положительно заряженных частиц, направленного к катоду. Положительный стример представляет собой канал газоразрядной плазмы. Это объясняется тем, что электронные лавины оставляют . на своем пути большое число вновь образованных положительных ионов, концентрация которых особенно велика там, где лавины получили свое наибольшее развитие, т. е. около анода. Если концентрация положительных ионов здесь достигает определенного значения (близкого к 101 ионов в 1 см3), то, во-первых, обнаруживается интенсивная фотонная ионизация, во-вторых, электроны, освобождаемые частицами газа, поглотившими фотоны, притягиваются положительным пространственным зарядом в головную часть положительного стримера и, в-третьих, вследствие ионизации концентрация положительных ионов на пути стримера увеличивается. Насыщение электронами пространства, заполненного положительными зарядами, превращает эту область в проводящую газоразрядную плазму. Под влиянием ударов положительных ионов на катоде образуется катодное пятно, излучающее электроны. В результате указанных процессов и возникает пробой газа. Обычно пробой газа совершается практически мгновенно: длительность подготовки пробоя газа при длине промежутка 1 см составляет 10"7 - 10~8 с. Чем больше напряжение, приближенное к газовому промежутку, тем быстрее может развиться пробой. Если длительность воздействия напряжения очень мала, то пробивное напряжение повышается. Электрическая прочность

Количественная оценка указанных процессов осуществляется на основе упрощенных моделей. Удобной является модель, в которой напряжения потерь пропорциональны скорости изменения деформаций во времени [5д1. Коэффициенты пропорциональности между напряжениями потерь и скоростью изменения деформаций, по аналогии с соответствующими коэффициентами в гидродинамике, называют коэффициентами вязкости твердых тел.

вызывая процессы электрохимической и электролитической коррозии (см. табл. 4.2). Скорость указанных процессов возрастает при повышении температуры, наличии ионных загрязнений и электрического поля. Особенно опасна электролитическая коррозия, в результате которой образуются продукты с электроизолирующими свойствами (например, гидроокись алюминия), что приводит к постепенному разрушению и обрыву металлизации или резистивного слоя в месте контакта, находящегося под положительным электрическим потенциалом. Металл корродирует быстрее в местах повышения локальной плотности тока, например в местах дефектов (трещины, царапины). Если продукты коррозии растворимы в воде, то ионы металла могут переноситься в растворе от анода к катоду, образуя 'дендритные кристаллы-«усы», которые могут приводить к коротким замыканиям между металлизированными , дорожками

рактер протекания дуговых и эрозионных процессов. Сложность заключается в том, что изучаемые процессы протекают в крайне короткие промежутки времени, измеряемые милли- и даже микросекундами, зависят от конкретных условий гашения дуги (способа гашения, вида дугогасящей среды, давления, в дугогасителыюм устройстве, состава и структуры контактного материала и др.), от того, какие из указанных процессов превалируют в каждом рассматриваемом случае. Кроме того, эрозионные процессы на контактах зависят от сложных газодинамических процессов, происходящих в межконтактном промежутке, определяются условиями выброса материала с контактной поверхности, термическими напряжениями, воздействием потоков плазмы в электрической дуге и конструктивными параметрами контактной системы и ду-гогасительного устройства.

Другое не рассмотренное при анализе работы схемы явление возникает при восстановлении напряжений на конденсаторе С». Для повышения коэффициента передачи эмиттерного повторителя и улучшения линейности выходного напряжения резистор Кв должен иметь большое сопротивление. Но при этом зарядный ток конденсатора С0, протекая через резистор Ra, создаст на нем падение напряжения положительной полярности, вызывающее запирание транзистора Га-Зарядка конденсатора С0 происходит не через выходное сопротивление эмиттерного повторителя гвых2, а через резистор Ra с большим сопротивлением. В этом случае 0 = ЗС0#Э. Время восстановления схемы резко увеличивается, а ее быстродействие снижается. Возможность появления указанных процессов является недостатком схемы. Для его устранения в цепь эмиттера Тг )Ьводят дополнительный источник напряжения — Еа ( 8.13)) Напряжение Еэ отпирает эмиттерный

Для того чтобы провести процессы локальной диффузии примеси в заданных местах монокристаллической подложки, или вырастить селективно в этих местах эпи-таксиальные монокристаллические слои, либо провести ионное внедрение легирующих примесей и т. п., необходимо предохранить остальную часть пластины от воздействия указанных процессов. Это достигается созданием специальных защитных масок.

Кроме указанных процессов возможно использование вакуумного напыления, иоияонплазменного (высокочастотного) распыления и реактивного распыления. Однако эти процессы не удовлетворяют первому и пятому из требований, сформулированных ранее, и потому могут быть рекомендованы только для лабораторных исследований единичных образцов.

Другое не рассмотренное при анализе работы схемы явление возникает при восстановлении напряжения на конденсаторе С0. Для повышения коэффициента передачи эмиттерного повторителя и улучшения линейности выходного напряжения резистор /?э должен иметь большое сопротивление. Но при этом зарядный ток конденсатора С0, протекая через резистор /?а, создаст на нем падение напряжения положительной полярности, вызывающее запирание транзистора Т2. Заряд конденсатора С0 происходит не через выходное сопротивление эмиттерного повторителя гвых 2, а через резистор К3 с большим сопротивлением. В этом случае 0 = ЗСу?э. Время восстановления схемы резко увеличивается, а ее быстродействие снижается. Возможность появления указанных процессов является недостатком рассматриваемой схемы. Для его устранения в цепь эмиттера Т2 вводят дополнительный источник напряжения — Е3 ( 6.15). Напряжение Еэ отпирает эмиттерный переход транзистора Т2, в результате чего устраняются задержка выходного напряжения при формировании прямого хода сигнала и увеличение постоянной времени заряда в процессе восстановления.

Кроме указанных процессов возможно использование вакуумного напыления, иоияонплазменного (высокочастотного) распыления и реактивного распыления. Однако эти процессы не удовлетворяют первому и пятому из требований, сформулированных ранее, и потому могут быть рекомендованы только для лабораторных исследований единичных образцов.

Развитие коксового производства идет по пути дальнейшей интенсификации процесса 'коксования и еще более широкого использования недефицитных слабоспекающихся углей. " Наиболее важным в этом направлении является разработка процессов сушки и термической подготовки углей перед их коксованием, а также различных схем непрерывного коксования слабоспекающихся углей. В основу указанных процессов положен принцип подвода к углю тепловой энергии извне путем теплопередачи, что неизбежно связано с возникновением перепада температур как в нагреваемой массе, так и в каждом отдельно взятом угольном зерне. Этот и другие недостатки такого способа нагрева, в том числе большой расход теплоносителя и сложность отделения его от нагреваемого угля, трудность эксплуатации и неудовлетворительные санитарно-техни-