Установится напряжение

Формулы (2.21) .. .(2.27), во-первых, позво^яит установить зависимость величин, относящихся к вращающемуся ротору, от частоты •j^ и скольления S , а во~вторых, виражаат эти же величины через соответствующие величины неподвижного ротора, изменяющиеся с частотой сети j-^ . Благодаря послзднэму обстоятельству, на асинхронную машину с вращавшимся ротором можно распространить Т-образную схему замещения асинхронной машины с неподвижным ротором в развернутом виде , представленную на 2. 7, а. Она отличается тем, что в ней вращение ротора учитывается параметром Лд/З »

Уровень технологической унификации — характеристика, основанная на сравнении совокупности показателей технологической унификации с соответствующей совокупностью базовых (нормативных) показателей. Уровень должен отражать не столько техническое состояние, сколько полученную эффективность. В пределах одного типа и вида производства можно установить зависимость между изменением показателя, его базовым значением, с одной стороны, и величиной эффекта — с другой. Измерение (оценка) уровня служит необходимой предпосылкой прогнозирования и планирования технологической унификации ТПП РЭА дает систематизированную информацию для выявления ведущих направлений, резервов повышения эффективности производства и разработки конкретных экономически обоснованных организационно-технических мероприятий, направленных на использование резервов и связанных с установлением, достижением и поддержанием необходимого уровня.

По мере совершенствования ИМС, расширения их функциональных возможностей, создания БИС, МСБ и СБИС натурные испытания на надежность становятся недостаточно эффективными, а зачастую и нецелесообразными. Возникают трудности не только экономического, но чисто технического характера, так как затрудняется анализ причин отказов. Для таких изделий микроэлектроники эффективными являются тестовые методы оценки надежности, основанные на испытании тестовых ИМС. При этом результаты испытаний тестовых ИМС распространяются на реальные ИМС, что обходится значительно дешевле. Использование тестовых методов оценки надежности позволяет также установить зависимость количественных показателей надежности ИМС от показателей качества технологического процесса их изготовления. Кроме того, при испытаниях тестовых ИМС удается собрать значительно больший статистический материал, чем при использовании реальных ИМС, и минимизировать общие затраты для оценки надежности БИС (МСБ).

1) Установить зависимость напряжения ?/ для условий установившегося синусоидального

Точно установить зависимость числа электронов, выбиваемых тяжелыми частицами, от их энергии трудно, так как в большинстве

5.5. Электрическая цепь составлена из конденсатора, емкость которого С = 200 мкФ, соединенного последовательно с резистором У? = 50 Ом ( 5.5, а), подключается к источнику постоянного напряжения ?/=100 В. Установить зависимость тока

5.7. В условиях задачи 5.6 определить энергию электрического поля конденсатора We и установить зависимость переходных напряжения на обкладках конденсатора ucm^t) и тока в его цепи ( 5.6) 'пер (0 от времени при переходном режиме разрядки предварительно заряженного до напряжения 11= 100 В конденсатора с емкостью С=100мкФ.

8.60. Пользуясь схемой замещения транзистора с зависимым генератором тока, включенного по схеме с общей базой ( 8.11,а), установить зависимость между собственными параметрами и параметрами системы h.

Известно, что при малых площадях полупроводниковых ИМС их стоимость определяется стоимостью корпуса и сборки. При больших площадях ИМС, а следовательно, при высоких степенях интеграции преобладает стоимость изготовления кристалла. Таким образом, прежде чем приступить к разработке структуры БИС, необходимо оценить степень интеграции и площадь кристалла, обеспечивающие желаемый процент выхода годных изделий. Для этого следует иметь данные по снижению процента выхода годных ИМС, структур и элементов на каждом этапе технологического процесса. Технологи должны установить зависимость процента выхода годных кристаллов на каждой из пластин от их площади, закон распределения дефектов в зависимости от расстояния от центра пластины, а также определить плотность дефектов на пластине и процент выхода годных структур на каждой из операций в процессе изготовления. Критериями оценки могут служить электрические характеристики структур. Набор статистических данных дает возможность разработчикам систем оценить экономически обоснованную степень интеграции.

Процесс распространения плоской волны является простейшим. Более подробное рассмотрение процесса позволяет установить зависимость возрастания

Сравнив два последних выражения, можно установить зависимость между параметрами /?м, Хм и соответственно /?ц, Х^:

Так как при /t =0 ( 1.16, в) активный двухполюсник /1 будет работать относительно ветви amb в режиме холостого хода, то между выводами а и Ь установится напряжение холостого хода U = U к я по второму закону Кирхгофа получим ?, = /,г + Ux - Ux. Но по условию ?, = EJ, поэтому и Е, = U х. Учитывая это, формулу для определения тока / можно записать в такой форме:

Задача .3.21. Как долго в схеме на 3.12 будет изменяться выходное напряжение (см. данные задачи 3.20)? Какое установится напряжение на емкости?

(правда, столько же времени придется и ждать результатов, пока установится напряжение на выходе).

Рассмотрим сначала работу схемы в режиме многоканального преобразователя код — напряжение. Числа, преобразуемые в выходные напряжения ивых1 -н ивых3, хранятся обычно в двоичном коде в РЧН (см. 6-1). Периодически с частотой /вых от датчика времени в регистр запросов схемы прерывания ( 6-1) поступает запрос на преобразование очередного числа из РЧН в напряжение. Этот запрос требует всего одного обращения к РЧН. От схемы прерываний возбуждается распределитель ячеек РЧН, хранящих преобразуемые числа, а от распределителя РЧН по досч производится запуск формирователей на ТЗ и Т4 ( 6-11). В результате одного шага обоих распределителей производится считывание и регенерация очередного числа в РЧН и включение на время действия импульса /з очередного из выходных ключей /<"ВЫХ1—/СВЫХ8-Импульсы с выходов УВ по дасч на С19—С22 поступают одновременно с импульсом тока /3, вследствие чего напряжение с сетки сопротивлений, пропорциональное числу из РЧН, через УПТ подключится ко входу соответствующего АЗУ. На выходе этого АЗУ установится напряжение мвых, пропорциональное входному напряжению, и будет с достаточной точностью сохраняться таким до очередного возбуждения этого же канала и т. д. Если время хранения выходного напряжения с заданной точностью /хр, а число выходных каналов k, то необходимо выполнять условие й//вых ==?; /хр. Изменение самих чисел в РЧН производится в ходе выполнения основной программы. Моменты замены одного из чисел в РЧН и вывода одного из чисел из РЧН на преобразователь код — напряжение принципиально не совпадают, так как вывод осуществляется через схему прерывания.

Если ко вторичной обмотке, полное сопротивление которой z2, присоединить нагрузку, то во вторичной цепи возникнет ток /2, а на зажимах приемников установится напряжение: '

Моменты GI, «2, из, соответствующие точкам пересечения двух синусоид вторичных напряжений, являются моментами естественного отпирания. Пусть в момент 0j подан положительный управляющий импульс на тиристор VI, при его отпирании пойдет ток г'2(/) =ia(t) =id(t) и на нагрузке установится напряжение Ud = e2A- Если выпрямитель выполнен на диодах, диод VI, подключенный к фазе е2л, откроется в момент 0 автоматически, так как в этот момент потенциал его анода станет выше, чем потенциалы анодов V2 и V3. Потенциал катода проводящего тиристора VI (и всех других вентилей) относительно нулевой точки звезды фк = ?2л. Следовательно, к катодам всех тиристоров приложено наиболее положительное напряжение е2л и тиристоры V2 и V3 на интервале Oj—02 заперты.

После завершения формирования фронта импульса на выходе схемы установится напряжение i/Bbu0. Положительный перепад

Unop = 2,0 В, то логический перепад (разность между входным и пороговым напряжениями) составляет 4 В. Логические уровни соответствуют выходным напряжениям открытого и закрытого транзисторов. Если на оба входа подать напряжение меньше порогового (соответствующее логическому нулю), то транзисторы T! и Т2 окажутся закрытыми, а ток стока — практически равным нулю. При этом ток стока нагрузочного транзистора Тк тоже будет равен нулю. Поэтому на выходе установится напряжение, близкое к напряжению источника питания ?с и соответствующее логической 1.

нетрудно найти каждое из слагаемых правой части выражения (8.55). По истечении достаточно большого времени на выходе системы установится напряжение с частотой ш и комплексной амплитудой, определяемой выражением (8.38). С целью максимального упрощения задачи допустим, что /f(/u>) = К ~ const при 0 < со < оо.

После завершения формирования фронта импульса на выходе схемы установится напряжение ?/ВЬ1хо. Положительный перепад входного сигнала «вх (t) от нулевого уровня до уровня ивк — 1!твк вызывает запирание транзистора. После скачка выходного напряжения А, связанного с перераспределением напряжений на паразитных емкостях схемы, начинается заряд паразитной емкости С0 от источника — Е через /?с. Эквивалентная схема выходной цепи каскада, составленная с учетом эквивалентной динамической схемы запертого транзистора (см. 3.45, а), показана на 3.107.

Через время т = IJv = 0,5- JO"9 с после преломления падающая по второй линии волна достигнет разомкнутого конца и отразится без перемены знака, т. е. U-ю = 250 В. На конце второй<линии, начиная с этого момента времени, установится напряжение и2 = и2п+ иъо — — 500 В. Напряжение отраженной волны (и^ = 250 В) через время т — 0 5- lO"9 с после отражения от разомкнутого конца (от начала коммутации— через Зт) достигнет начала второй линии. Начиная с этого момента потенциалы проводов сравниваются, ток,заряда линии становится равен нулю и переходной процесс в линии прекращается. Ток через сопротивление RUOa протекал от t = т до t = Зт. Поэтому паде-