Усилительные высокочастотные

И наконец, завершается гл. 2 разделом, посвященным схемам с отрицательной обратной связью (ООС). Здесь представлены примеры задач, в которых оценивается влияние различных типов ООС на усилительные параметры и показатели качества усилителей.

Задача 2.12. Найти усилительные параметры каскада, показанного на 2.8, если он нагружен на аналогичный каскад.

Задача 2.14. В схеме с общей базой ( 2.9) элементы характеризуются следующим образом. Параметры транзистора: /г21Б = 0,99; А12Б=10 , Л22Б=1 мкСм; /г11Б = ЗООм. Резисторы: Лэ = 200Ом; /?к=1кОм; Лн=10кОм; ЛГ = 100Ом. Найти усилительные параметры схемы /?вх, Kv, KI, Лвых.

Задача 2.15. Для схемы, описанной в задаче 2.14, найти усилительные параметры для случая, когда нагрузкой схемы служит аналогичный каскад.

Задача 2.16. На 2.10 представлен каскодный усилитель. Транзисторы TI и Т2 идентичны и имеют параметры: р = 49; /•э = 10Ом; гБ = 80Ом; гк=1МОм. Другие элементы схемы: Лг = 10 кОм; Лк = 5,1 кОм; RS=10 кОм; R3 = 200 Ом. Определить усилительные параметры схемы: Kv, К, и КР.

Решение. 1. Найдем усилительные параметры схемы с одним транзистором (см. 2.11) при Л„=10Ом:

2. Найдем усилительные параметры эмиттерного повторителя с составным транзистором ( 2.12, а), пользуясь эквивалентной схемой ( 2.12, б):

Задача 2.19. На 2.13 представлен усилительный каскад с общим истоком (ОИ) на полевом транзисторе с р-п переходом. Определить усилительные параметры этой схемы, если крутизна стокозатворной характеристики S= 10 мА/В.

транзисторе с р-п переходом ( 2.14) использован транзистор с крутизной стокозатворной характеристики 12 мА/В. Определить усилительные параметры истоково-го повторителя.

Найти усилительные параметры и верхнюю граничную частоту усилителя.

Задача 2.44. В двухкаскадном усилителе с ОЭ («двойка по напряжению», 2.28) применена последовательная отрицательная обратная связь по напряжению. Транзисторы идентичны: (3 = 40; гэ = 20 Ом; гБ=120Ом; Гк = 20кОм. Определить усилительные параметры схемы.

усилительные высокочастотные (30 МГц
усилительные высокочастотные с ненормированным коэффициентом шума;

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п усилительные высокочастотные маломощные.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п усилительные высокочастотные маломощные.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п усилительные высокочастотные маломощные.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные п-р-п усилительные высокочастотные маломощные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц.

Транзисторы кремниевые диффузионные п-р-п усилительные высокочастотные маломощные.

Транзисторы кремниевые планарные п-р-п усилительные высокочастотные.

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р усилительные высокочастотные маломощные.

Транзисторы германиевые диффузионно-сплавные р-п-р усилительные высокочастотные маломощные.

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные р-п-р усилительные высокочастотные.