Упрощенные эквивалентные

При помощи законов Ома и Кирхгофа можно рассчитать режим работы любой электрической цепи. Однако порядок системы уравнений может быть большим. Для упрощения вычислений применяют различные расчетные методы: контурных токов, узловых потенциалов, межузлового напряжения, эквивалентного источника и т. д. Все эти методы основаны на законах Ома и Кирхгофа.

В>1,8 Тл часть магнитного потока, проходящая через пазы, снижает действительную магнитную индукцию в зубцах. Это снижение учитывается коэффициентами ka, зависящими от соотношения площадей рассматриваемых поперечных сечений зубца и паза, а для определения Н с целью упрощения вычислений пользуются-кривыми для зубцов по приложениям 14—'16, рассчитанными для разных значений k3*.

блюдение; п — число наблюдений. С целью упрощения вычислений среднее геометрическое обычно находят как потенцированное среднее десятичных логарифмов отдельных наблюдений:

При помощи законов Ома и Кирхгофа можно рассчитать режим работы любой электрической цепи. Однако порядок системы уравнений МОЖЕТ быть большим. Для упрощения вычислений применяют различные расчетные методы: контурных токов, узловых потенциалов, межузлового напряжения, эквивалентного источника и т. д. Все эти методы основаны на законах Ома и Кирхгофа.

При помощи законов Ома и Кирхгофа можно рассчитать режим работы любой электрической цепи. Однако порядок системы уравнений может быть большим. Для упрощения вычислений применяют различные расчетные методы: контурных токов, узловых потенциалов, межузлового напряжения, эквивалентного источника и т. д. Все эти методы основаны на законах Ома и Кирхгофа.

В>1,8 Тл часть магнитного потока, проходящая через пазы, снижает действительную магнитную индукцию в зубцах. Это снижение учитывается коэффициентами k3, зависящими от соотношения площадей рассматриваемых поперечных сечений зубца и паза, а для определения Н с целью упрощения вычислений пользуются кривыми для зубцов по приложениям 14—16, рассчитанными для разных значений &3*.

Для упрощения вычислений формулу (7-5) представляют в таком виде

Длл упрощения вычислений и для большей наглядности функции, подлежащие аппроксимации, будем задавать в аналитической форме. Следует при этом иметь в виду что в действительных условиях часто приходится аппроксимировать функции, получаемые в результате эксперимента и заданные в виде таблиц, графиков, осциллограмм и т. д.

Обычно для упрощения вычислений вводят постоянное сопротивление щеточных контактов

Для упрощения вычислений определителей произведем параллельный перенос системы координат хОу так, чтобы начало координат новой системы совпадало с точкой (х0, у0) ( 6-5).

На основании теоретических и экспериментальных исследований установлено, что основную роль при определении усилий играет упругая характеристика S\. Поэтому для упрощения вычислений может быть принято, что $2 = 0; fi~l; Аг~1- Упругая характеристика Si для ребра прямоугольного сечения определяется зависимостью

Основным элементом полупроводниковых биполярных ИМС является эпитаксиально-планарный транзистор типа п-р-п. Структура интегрального транзистора существенно отличается от структуры дискретного транзистора, что в свою очередь приводит к некоторому различию их физических свойств. На 2.4 приведены топология (а) и структура (б) транзистора ИМС, а на 2.5 — его упрощенные эквивалентные схемы при включениях с общей базой (а) и общим эмиттером (б). Основное отличие интегрального транзистора от дискретного заключается в наличии у интегрального транзистора изолирующего р-/г-перехода, необходимость использования которого вызывает появление паразитного транзистора типа р-п-р и увеличение сопротивления тела коллектора. Параметры интегрального транзистора типа п-р-п в значительной степени определяются параметрами паразитного транзистора.

2.5. Упрощенные эквивалентные схемы транзистора ИМС при включении с общей базой (о) и общим эмиттером (б)

IV. Во многих случаях рассчитывают не исходные сложные, а упрощенные (эквивалентные) схемы замещения. Под схемой замещения понимают такую схему, которая обеспечивает неизменность режимов работы во всех ветвях электрической цепи.

Эквивалентные схемы входной и выходной цепей транзистора даны на 3.29, а, б. Учитывая, что значение гкз велико, а значения /к.наЧ) е0б и ^12а«кэ малы, упрощенные эквивалентные схемы входной и выходной цепей можно привести к виду, показанному на 3.30, а, б.

В случае, когда начальный режим известен и требуется рассчитать лишь приращения токов и напряжений, вызванные изменениями э. д. с. или (и) токов источников питания, целесообразно составлять упрощенные эквивалентные схемы для приращений. Для этого в соответствии с уравнением (20-9). нуж-

На примерах расчетов усилительных каскадов на полевых транзисторах легко убедиться в том, что унисторный граф (см. 4.12, в) подобен эквивалентной схеме полевого транзистора с управляемым р-п переходом (см. рис, 4.11, б). Что касается полевых транзисторов с изолированным затвором, то их упрощенные эквивалентные схемы практически не отличаются от упрощенных эквивалентных схем полевых транзисторов с управляемым р-п переходом, только емкости затвор — сток и затвор — исток меньше соответствующих емкостей р-п переходов Сзс и Ст, а элементы Язи и /?зс, учитывающие сопротивление диэлектрика в области затвора, превышают сопротивление обратносмещенногр р-п перехода более чем на четыре порядка. Следовательно, сигнальный и унисторный графы полевого транзистора с изолированным затвором будут такими же, как у полевых транзисторов с управляемым р-п переходом. Однако полная эквивалентная схема полевого транзистора с изолированным затвором (особенно реализованного в составе интегральной микросхемы) отличается от полной эквивалентной схемы полевого транзистора с уп-равляемым р-п переходом. Подробное описание эквивалентных схем полевых транзисторов приведено в [5, 6].

мы составных транзисторов громоздки для анализа. Поэтому при расчетах усилительных схем на составных транзисторах необходимо пользоваться табулированными данными. В тех случаях, когда не требуется высокая точность расчета, можно использовать упрощенные эквивалентные схемы транзисторов, входящих в составной транзистор.

Токи и напряжения на электродах элемента связаны между собой нелинейной зависимостью, поэтому в его эквивалентной схеме появляются нелинейные элементы. Нелинейные эквивалентные схемы можно использовать для анализа работы импульсных схем в установившемся, т. е. статическом режиме. Но анализ динамического режима, т. е. анализ переходных процессов в импульсном режиме, на основании подобных схем затруднителен. Поэтому в инженерной практике, как правило, используются упрощенные эквивалентные схемы, которые не содержат нелинейных элементов.

2.15. Упрощенные эквивалентные схемы для выходной цепи при формировании фронта (а) и при передаче плоской вершины (б) импульса.

3.32. Упрощенные эквивалентные схемы логического элемента РЕТЛ на стадии отпирания эмиттерного повторителя в течение времени задержки (а) и формирования фронта (б).

еп6 и hlZ3uK3 малы, упрощенные эквивалентные