Управляющего транзистора

Управляемый асинхронны!» двигатзль с полым ротором. Он предназначен для 'преобразования элэкгрической величины - подводимого к нему управляющего напряжения - в механическую величину - частоту вращения вала.

вала С 3.14,б). :«еханичэскиэ характэ рис тики двигателя има/от вид, устойчивый яа всзм диапазоне измзнания скольжения от I до О, благодаря тому, что ротор изготавливается со значительным активным сопротивлзниэм; так что пусковой момэнт яа всэх характеристиках равэн максимальному. Толщина полого ротора набольшая, порядка G.2...U.2D ми. поэтому он быстро реагирует на измэнзния управляющего напряжения.

До тех пор пока к сеточному трансформатору не приложено управляющее напряжение, тиратроны не проводят тока. Частота управляющего напряжения равна частоте, которую должен иметь переменный ток в нагрузке. Управ-

от управляющего напряжения на промежутке затвор— исток. Характеристика получена при постоянном напряжении иси=10 В. Получите аппроксимацию этой характеристики многочленом 2-й степени на интервале —1.5 Б^ЫЗИ^—0.5 В, т. е. определите числовое значение коэффициентов а0, fli, а2, входящих в выражение ic= = a0+fli(M3H+l) +а2(«зи+ I)2.

12.5 (Р). Проходная характеристика полевого транзистора, т.е. зависимость тока стока tc (мА) от управляющего напряжения затвор — исток ызи (В) при изи]> ;^!—2 В, аппроксимирована квадратичной параболой: 1с=7.5(Ызи+2)2. Ко входу транзистора приложено напряжение гетеродина ызи = ?/тгсозо>г?. Найдите закон

14.23(Р). В автогенераторе с трансформаторной связью применен электронный прибор, у которого зависимость средней крутизны Si (мА/В) от управляющего напряжения U (В) аппроксимирована многочленом 2-й степени:

гДе U — амплитуда управляющего напряжения (В). Известно, что некоторый стационарный режим характеризуется амплитудой t/CT=1.5 В. Определите, устойчив ли этот режим.

Для оптоэлектроники пригодны любые источники света, яркость свечения которых зависит от управляющего напряжения или тока. Указанная зависимость может быть представлена яркостной характеристикой:

стеклянных баллонов парами ртути. Катод выполняется с подогревом (накалом), на нем располагается капля ртути. Анод выполняется в виде металлических диска, цилиндра или полусферы. Сетка является управляющим электродом (аналог управляющего электрода тиристора). Тиратронные РУ управляются аналогично тиристорам посредством управляющего напряжения, подаваемого на сетку. Игнитрон — это более мощный управляемый ионный прибор с заполнением стеклянной или изолированной металлической колбы парами ртути при давлении (1,5-^ 15) 10~5 Па. Катодом является жидкая ртуть без подогрева. Необходимая концентрация паров ртути в колбе осуществляется за счет дуги между поджигающим электродом, который одновременно является и управляющим, и катодным пятном на поверхности ртути. На поджигающий (управляющий) электрод игнитрона подается высоковольтный импульс напряжения подобно тому, как это выполняется в искровых разрядниках. Момент времени дугового разряда между анодом и катодом тиратронных и игнитронных РУ определяется моментом подачи управляющего напряжения на сетку тиратрона и поджигающий электрод игнитрона.

в) третье число выражает номер узла, к которому подключена положительная полярность управляющего напряжения;

г) четвертое число — номер узла с отрицательной полярностью управляющего напряжения,-

В схеме ( 5.13) затворы и стоки управляющего транзистора VTl с индуцированным «-каналом и нагрузочного VT2 с р-каналом объединены. Подложки обоих транзисторов соединены с истоками, благодаря чему исключается отпирание />-и-переходов, изолирующих каналы транзисторов от их подложек.

кое включение транзисторов используется, когда потенциал эмиттера управляющего транзистора (VI на 5.8) ниже потенциала эмиттера управляемого транзистора (V3). Тогда между ними включается транзистор V2 типа п-р-п. Вторым случаем, когда применяют такое сочетание транзисторов с разными проводимостями переходов, являются устройства, практически не потребляющие энергию в одном все транзисторы в этом состоянии

Меньшую температурную зависимость имеет стабилизатор с дифференциальным усилителем ( VIII. 18, д). В нем вместо одиночного ТУ применены транзисторы ТК и ТУ. Напряжение ?/эт1 создается на стабилитроне Ст± и термокомпенсирующих диодах ДК,, через которые с помощью резистора 7?д пропускается дополнительный ток. Изменяя величину этого тока, можно в небольших пределах менять ТКН диодов а' ( VIII. 6, е) и получить высокую степень стабильности Uytt, большую, чем в стабилитроне Д818, не имеющем такой точной подгонки ТКН. (73Tl передается на резистор R3 и является опорным для управляющего транзистора ТУ.

ные на семейство вольт-ампер- ного сопротивления ных характеристик управляющего транзистора

Нагрузочные прямые для трех сопротивлений нагрузки, наложенные на семейство вольт-амперных характеристик управляющего транзистора, изображены на 3.26.

а) для крутой области характеристики управляющего транзистора

а) для крутой области характеристики управляющего транзистора

а) для крутой области характеристики управляющего транзистора

Расчет управляющего транзистора. Этот расчет также выполняем, исходя из наихудших условий для получения минимального выходного напряжения. Такими условиями являются высокие напряжения 1/п=17В, 1/пор'=5В, (/СМ=ЗОВ, f/BX = 9 В, (УВЫХ = 2,5В; окружающая температура не влияет

Расчет управляющего транзистора. Наихудшие условия работы управляющего транзистора те же, что и выходного инвертора; поэтому для расчета можно воспользоваться исходными данными: UD мах = 116,5В; t/rlop=5B; С„ = 2 пФ; т = 0,5 В; fi = 18,2 10~6 A/B^.

Паразитный торцевой транзистор создает нежелательную связь мгжду входами ИМС. Например, если на один из входов схемы подано «1», а на другой «О», то такой транзистор будет находиться в активной области, причем на его базу будет подан «+»• Ток паразитного п—р—п транзистора складывается с коллекторным током включенного на входе управляющего транзистора. Этот дополнительный ток уменьшает глубину насыщения транзистора и сдвигает рабочую точку ближе к активной области. Поэтому схему с диодами, имеющими общую базу, обязательно легируют золотом, а межэмиттерное расстояние выбирают не меньше 10 мкм.