Уменьшится напряжение

Из (4.12) видно, что температурную погрешность вольтметра можно уменьшить, увеличивая стабильное добавочное сопротивление.

Опоры состоят из кернов и подпятников. Керны представляют собой отрезки стальной проволоки, заточенные с одной стороны на конус. Подпятники чаще всего изготовляют из агата, корунда с выточенным в них коническим углублением. Недостаток установки на опорах — трение, наличие которого вызывает погрешность. Эту погрешность можно уменьшить, увеличивая вращающий момент, что требует увеличения потребляемой прибором мощности.

1. Выбираем схему ограничителя с общим источником смещения ( 3.5). По условиям задачи требуется сформировать из синусоидального напряжения импульсы трапецеидальной формы со сравнительно крутыми фронтом и срезом. Наибольшая скорость изменения синусоидального напряжения имеет место при переходе синусоиды через нулевое значение. Поэтому целесообразно выбирать нижний уровень ограничения — порог ограничения по минимуму — возможно более близким к нулю. Его можно уменьшить, увеличивая сопротивление резистора R"l. Если же просто не включать резистор R"/ в схему, то этот уровень будет наименьшим. Можно исключить из схемы также резистор R'2. При этом схема ограничителя упрощается и принимает вид, показанный на 3.15, а.

его можно уменьшить, увеличивая ток диода. Из системы уравнений (5.13) и (5.14) следует, что для предотвращения насыщения необходимо пропускать через диод ток

При заданной длительности импульса /„ амплитуду выброса можно уменьшить, увеличивая индуктивность намагничивания LI и уменьшая сопротивление /?н д. При этом можно увеличить напряжение источника питания Бк и тем самым повысить эффективность использования транзистора. Однако указанные меры, обеспечивающие уменьшение амплитуды выброса, непременно приводят к увеличению времени затухания выброса. Ток намагничивания спадает с постоянной времени THA = ?-1/ЯНд> поэтому с увеличением индуктивности L4 или уменьшением сопротивления Rvn возрастает продолжительность времени восстановления напряжения.

Нижний предел измерения частоты с заданной степенью точности можно уменьшить, увеличивая Та, однако это не всегда удобно. "Верхний предел измерения частоты ограничивается быстродействием счетчика, которое в настоящее время достигает нескольких гигагерц.

Междуэлектродные емкости состоят из емкостей между самими электродами и емкостей между их вводами. При конструировании ламп стремятся максимально увеличить расстояние между вводами, чтобы уменьшить емкость между ними. Междуэлектродные емкости можно уменьшить, увеличивая расстояния между электродами или уменьшая их размеры. Увеличение расстояния между электродами увеличивает угол пролета электронов, что ухудшает параметры ламп. Поэтому междуэлектродные емкости уменьшают, только применяя миниатюрные электроды. Предел уменьшения их размеров определяется значениями выходной .мощности и эмиссионной способностью катода.

Из выражений (9.52) и (9.53) видно, что вклад в коэффициент шума от теплового шума в холостом контуре зависит от •отрицательной проводимости G. Для фиксированного значения G коэффициент шума можно уменьшить, увеличивая отношение (02/юь Как мы видели, для фиксированного значения Q2 добротности холостого контура это также увеличивает произведение коэффициента усиления на ширину полосы усилителя. Для уменьшения коэффициента шума можно также использовать охлаждение: если усилитель охлаждают до температуры во, а источник сигнала находится при комнатной температуре 6, то член в квадратных скобках в выражении (9.53) уменьшается на величину 0о/0.

микроскопом, снабженным окулярной шкалой. Чувствительность струнных электрометров может доходить -до нескольких сотен и даже тысяч делений на вольт. Ее можно уменьшить, увеличивая натяжение нити и расстояние между ножами, а также уменьшая

Величину изображения катода можно .уменьшить, увеличивая знаменатель выражения (3.1). Повышение" потенциала в области изображения возможно

5. Для измерения некоторого сопротивления Rx применяют одинарный мост. В каком порядке действует при этом оператор? Изменится ли точность измерения, если уменьшится напряжение источника питания (сухого элемента)?

телыюго потенциала. Поскольку напряжение на конденсаторе Cei мгновенно измениться не может, то это приращение прикладывается к базе транзистора Т^, подзапирая его. Коллекторный ток /К2 при этом уменьшится, напряжение на коллекторе транзистора Ту станет более отрицательным и, передаваясь через конденсатор С6-2 на базу транзистора Т\, еще более отпирает его, увеличивая ток /К. Этот процесс протекает лавинообразно и заканчивается тем, что транзистор Т\ входит в режим насыщения, а транзистор Тч — в режим отсечки. Схема переходит в о/но из своих временных устойчивых состояний (квазиустойчивое состояние). При этом открытое состояние транзистора Т\ обеспечивается смещением от источника Ек через резистор /?в, а запертое состояние транзистора Г2 — положительным напряжением на конденсаторе С(,\ (Uс.,,, — ^62 > 0), который через открытый транзистор Т\ включен в промежутке база — эмиттер транзистора 7Y На временных графиках ( 6.24,6) описанные процессы соответствуют моменту времени / = 0. Теперь конденсатор С62 быстро заряжается по цепи + ?к — эмиттер — база Т\ — С62 — RK2 — Е*. до напряжения ?к. Конденсатор Cai, заряженный в предыдущий период, перезаряжается через резистор /?в2 и открытый транзистор Т\ током источника питания ?к, и напряжение на нем стремится уменьшиться до — ?к ( 6.24, б). В момент времени t\ напряжение UCe, = Uuv меняет знак, что вызывает отпирание транзистора Тч и появление тока /К2. Увеличение тока /К2 приводит к процессу, аналогичному описанному при увеличении тока /К. В результате транзистор 7*2 войдет в режим насыщения, а транзистор Т\ — в режим отсечки (второе временно устойчивое состояние). В промежуток времени t\ — ti происходит зарядка конденсатора Cei и перезарядка

чиваться, вызывая дрейф нуля. Однако с уменьшением анодных токов уменьшится напряжение сеточного смещения ^ci = (Ли + /as) (#i + #2). которое будет компенсировать уменьшение анодного тока /al. Уменьшение же напряжения ?УС2 = (/al + /а2) Ri вызовет увеличение анодного тока /а2. В результате дрейф нуля уменьшится по сравнению с обычной схемой усиления постоянного тока. Нагрузку компенсирующей лампы Л2 следует выбирать так, чтобы приращение напряжения А(/С1 при увеличении анодного тока Д/а2 было равно по величине и противоположно по знаку изменению потенциала катода лампы

С ростом температуры в схеме на VIII. 18, в уменьшится напряжение на диоде ДК (ТКН отрицательный), что приведет к увеличению напряжения на R^ и компенсации возрастания величины t/3Ti. С ростом температуры в схеме на VIII. 18, г вместе с увеличением напряжения f/эт, возрастает и напряжение на диоде ДК (включение обратное), вследствие чего наступит термокомпенсация. В схемах, приведенных на VIII.18, виг, действие температуры на выходное напряжение ослаблено в 20—30 раз.

Рассмотрим процесс стабилизации тока через дугу /д. Пусть / д, а вместе с ним и aw-, в МУ оба возросли, при этом упадет ток /р в МУ, уменьшится напряжение на входе моста СМ-2 и его выпрямленный ток /у. Дроссель насыщения работает в режиме, когда его проходная характеристика имеет вид кривой /, показанной на VII.5, а, поэтому уменьшение /у вызовет падение рабочего тока /р через обмотки о>_ ДН, уменьшение напряжения на вторичной обмотке Тр и падение тока через дугу /д до достижения им номинального значения.

Напряжение U, увеличится, напряжение UK уменьшится

Напряжение U, уменьшится, напряжение Up увеличится

Напряжение U,, уменьшится, напряжение UL увеличится

Как изменится напряжение на участках /?С-цепи, если воздушный конденсатор поместить в Напряжение U „ увеличится, напряжение и с уменьшится 17

Напряжение U R уменьшится, напряжение U '^ увеличится 60

В 2 разас' то плошаДь поперечного сечения 5 увеличивается в 4 раза (площадь прямо пропорциональна квадрату диаметра проводника). Таким образом, при увеличении длины и диаметра проводника в 2 раза сопротивление уменьшится тоже в 2 раза. 10. Неверно. Третье уравнение составлено для внешнего контура, который не имеет ни одного нового элемента по сравнению с двумя другими контурами, для которых составлены первое и второе уравнения. 11. Неверно. Ток, изображенный на этом графике, изменяется по значению. 12. Неверно. См. консультацию № 97. 13. Подумайте и выберите правильный ответ. 14. Неверно. Электрон, движущийся по орбите, создаст ток. 15. Правильно. Сопротивление RAB уменьшится; следовательно, уменьшится У?06ш=^] +RAB. При этом увеличатся ток l — U/Roam и напряжение U\=IR\, но уменьшится напряжение илв = 11 — U\. 16. Вы ошибаетесь. Необходимо часы перевести в секунды. 17. Неверно. См. консультацию №Х136. 18. Правильно. Поэтому, несмотря на то что число столкновений электрических зарядов растет с увеличением температуры, сопротивление уменьшается. 19. Правильно. С ростом сопротивления #3 эквивалентное сопротивление R3K = Rt + R^+Ra увеличивается. В результате уменьшаются ток и падения напряжения U\ =IR\\ ?4 = //?2. 20. Неверно. См. консультацию № 161. 21. Правильно (см. ).