Уменьшить паразитные

Если плавно уменьшить напряжение питания U (теоретически до нуля), мом'но добиться резонанса напряжений, т. е. равенства U^, = U{ , которому соответствует рабочая точка Р на вольт-амперной характеристике цепи. В действительности из-за наличия потерь энергии в катушке вольт-амперная характеристика цепи ( 8.13) отличается от построенной на 8.12, б. Рабочей точке Р соответствует не напряжение U = 0, г напряжение t/2 > 0. При дальнейшем самом малом уменьшении напряжения питания U ток изменится скачком от /3 до /4 (рабочая точка 0. Теперь при уменьшении напряжения до нуля ток плавно уменьшается до нуля (начало координат).

Входной блок электронного осциллографа - аттенюатор — представляет собой калиброванный делитель напряжения, при помощи которого можно уменьшить напряжение входного сигнала "вх, а также напряжение синхронизирующих импульсов "с и в нужное число раз.

Пусть встретился транзистор с крайней левой входной характеристикой и /12э=32,5. Тогда для сохранения режима входной цепи нужно уменьшить напряжение смещения на ДЕ -g=0,02 В (точка 2 на 3.26). Если встретится транзистор с крайней левой характеристикой и с /i2i3=40, что, по-видимому, весьма вероятно, то смещение на базе необходимо будет еще уменьшить (точка 3)

Напряжение генератора постоянного тока может быть снижено за счет уменьшения частоты вращения первичного двигателя, однако при этом необходимо, чтобы ток в обмотке возбуждения генератора не менялся. Если схему соединения катушек полюсов оставить неизменной, то при понижении напряжения генераторов параллельного возбуждения ток возбуждения в этих катушках уменьшается, ослабив магнитное поле машины. Поэтому, если требуется уменьшить напряжение генератора параллельного возбуждения в т раз, необходимо снизить частоту вращения якоря во столько же раз, а катушки полюсов, соединенные последовательно, переключить на m параллельных групп.

В частности, если требуется уменьшить напряжение вдвое, в обмотке возбуждения необходимо удвоить число параллельных ветвей. Так как число главных полюсов всегда четное, это не связано с затруднениями. Единственное требование при этом — не включать в состав каждой параллельной ветви катушки рядом лежащих полюсов, а образовывать одну параллельную ветвь из катушек нечетных полюсов, а другую — из катушек четных полюсов. При таком переключении обмоток и снижении частоты вращения сила тока в обмотке якоря не изменится, а напряжение уменьшится вдвое; мощность машины при этом также уменьшится вдвое.

Если плавно уменьшить напряжение питания V (теоретически до нуля), можно добиться резонанса напряжений, т. е. равенства UC = UL, которому соответствует рабочая точка Р на вольт-амперной характеристике цепи. В действительности из-за наличия потерь энергии в катушке вольт-амперная характеристика цепи ( 8.13) отличается от построенной на 8,12, б. Рабочей точке Р соответствует не напряжение U = 0, а напряжение L/2 > 0. При дальнейшем самом малом уменьшении напряжения питания U ток изменится скачком от /3 до /4 (рабочая точка Q). Теперь при уменьшении напряжения до нуля ток плавно уменьшается до нуля (начало координат).

Входной блок электронного осциллографа - аттенюатор — представляет собой калиброванный делитель напряжения, при помощи которого можно уменьшить напряжение входного сигнала "вх, а также напряжение синхронизирующих импульсов и в нужное число раз.

Если плавно уменьшить напряжение питания V (теоретически до нуля), мо^'но добиться резонанса напряжений, т. е. равенства Uc = Uf , которому соответствует рабочая течка Р на вольт-амперной характеристике цепи. В действительности из-за наличия потерь энергии в катушке вольт-амперная характеристика цепи ( 8.13) отличается от построенной на 8.12, б. Рабочей точке Р соответствует не напряжение U = 0, а напряжение U2 > 0. При дальнейшем самом малом уменьшении напряжения питания U ток изменится скачком от /3 до /4 (рабочая точка Q). Теперь при уменьшении напряжения до нуля ток плавно уменьшается до нуля (начало координат) .

Входной блок электронного осциллографа - аттенюатор - представляет собой калиброванный делитель напряжения, при помощи которого можно уменьшить напряжение входного сигнала MBX, а также напряжение синхронизирующих импульсов MC и в нужное число раз.

814. Как изменится ток ротора асинхронного двигателя, если при неизменном моменте на валу двигателя уменьшить напряжение на обмотке статора на 5—10%?

жет быть использован дифференциальный усилитель постоянного тока. При прохождении через образец переменного тока условие короткого замыкания можно легко реализовать, используя усилитель с трансформаторным входом. Это особенно важно при проведении измерений на образцах с низким удельным сопротивлением, для которых сопротивление между половинками контактов может оказаться очень малым. При этом емкостное сопротивление при-контактного слоя можно сделать небольшим, тем самым уменьшив влияние контактов, обусловленное как повышенным их сопротивлением, так и инжекцией носителей заряда. Повышение чувствительности измерительной схемы при переменном токе позволяет уменьшить напряжение на образце и проводить измерения в пределах линейного участка ВАХ контактов.

Если прибор должен работать на высоких частотах, то следует обратить особое внимание на уменьшение длины проводов, соединяющих фильтрующие конденсаторы. В противном случае может возникнуть последовательный резонанс между индуктивностью провода и емкостью конденсатора, что сведет на нет его фильтрующее действие. Во многих случаях только за счет рационального размещения не удается уменьшить паразитные обратные связи до приемлемого уровня и тогда приходится устанавливать экраны.

При разработке эскиза топологии ИМС площади изолированных областей делают как можно меньшими. Это позволяет, во-первых, реализовать на пластине большее количество ИМС и, во-вторых, уменьшить паразитные емкости переходов коллектор — подложка, влияющих на их характеристики. Площадь изолированной области определяется геометрическими размерами размещаемых внутри нее элементов, а также расстояниями,

Уровень легирования эпитаксиального я-слоя выбирают исходя из противоречивых требований: для получения высокого пробивного напряжения и малой емкости перехода коллектор — база уровень легирования должен быть низким, а для получения низкого последовательного сопротивления коллекторной области — высоким. В большинстве случаев удельное сопротивление эпитаксиального слоя составляет 0,1—0,5Ом-см, а его толщина изменяется в пределах от 2,5 до 10 мкм. Использование тонких эпи-таксиальных слоев (до 3 мкм) позволяет существенно уменьшить паразитные емкости и тем самым увеличить плотность размещения элементов и повысить максимальную рабочую частоту ИМС.

Помеха общего вида опасна тем, что вызывает дополнительные паразитные токи в соединительных проводах и трансформируется тем самым в помеху нормального вида. Применение экрана Эп и третьего соединительного провода, которым может служить общий экран Эл основных соединительных проводов, дает возможность существенно уменьшить паразитные токи, вызванные помехой общего вида. Симметрирование входных цепей вторичных преобразователей ведет к выравниванию этих токов, а при равенстве 1Л\ «= 2Л2 и к выравниванию

По обеим сторонам затвора создают «прокладки» из диоксида кремния, обеспечивающие в дальнейшем самосовмещение стоковой и исто-ковой областей с затвором. Эти области п+-типа толщиной 0,4 мкм получают селективным эпитаксиальным выращиванием с помощью химического осаждения из металлоорганических соединений. Омические контакты к истоковой и стоковой областям создают нанесением металлического слоя, представляющего собой сплав золото — германий. Малые расстояния исток — затвор и сток — затвор позволяют уменьшить паразитные (неуправляемые) сопротивления этих областей и повысить крутизну транзистора до S/b — 250 мСм/мм. В данноп структуре ослабляются эффекты короткого канала, проявляющиеся в рассмотренных выше структурах с имплантированными областями истока и стока, проникающими в подложку на глубину, большую чем глубина самого канала.

Хорошо известно, что собственное предельное быстродействие МДП транзисторов, определяемое процессом установления тока в канале, очень велико, а относительно низкое быстродействие МДП схем (на 2—3 порядка меньшее предельного) объясняется наличием в них значительных паразитных емкостей перекрытия, стоковых и истоковых р-п переходов и соединительной металлизации. Весьма эффективным технологическим методом уменьшения паразитных емкостей в МДП схемах является применение изолирующих термостойких монокристаллических подложек из сапфира или шпинели, на поверхности которых выращивается тонкий (1 мкм) эпитаксиальный слой монокристаллического кремния (кремний на сапфире КНС). Отдельные МДП транзисторы формируются в вытравленных в этом слое, изолированных друг от друга островках, что позволяет уменьшить паразитные связи между отдельными компонентами.

Для микроэлектроники представляет интерес в основном электроннооптическое направление, которое позволяет решить главную проблему интегральной микроэлектроники — существенно уменьшить паразитные связи между элементами как внутри одной интег-

При разработке конструкции контура всегда -стараются уменьшить паразитные параметры.

При изготовлении микросхем широко применяется метод изоляции путем создания вокруг изолируемого элемента области с противоположным типом проводимости. При подаче на образующийся /?-«-переход напряжения смещения в обратном направлении элемент, находящийся внутри данной области, оказывается электрически изолированным от остальных элементов схемы, так как сопротивление такого перехода очень велико. Следует отметить, что при использовании обратно смещенного p-n-перехода для изоляции элементов возникают паразитные емкости, ограничивающие быстродействие цифровых микросхем. Изоляция элементов полупроводниковой микросхемы с помощью диэлектрического слоя двуокиси кремния дает возможность уменьшить паразитные емкости между коллектором и подложкой и практически полностью устранить активные паразитные связи между элементами микросхемы. Элементы микросхемы размещаются как бы в «карманах» из двуокиси кремния.

Изопланарные структуры отличаются, во-первых, оксидной (а не р-п переходами) изоляцией между соседними транзисторами, во-вторых, оболочковыми областями р-п переходов собственно транзистора. Первое обстоятельство позволяет практически исключить взаимные утечки токов через кварцевое стекло SiOj между коллекторами и сильно уменьшить паразитные емкости коллекторов на подложку, второе помогает уменьшить емкость перехода коллектор — база интегрального транзистора на 60 %.

Кроме ТД, для усиления колебаний свч все шире используются транзисторы и параметрические диоды. Для повышения рабочей частоты транзисторов постоянно изыскиваются способы уменьшения времени пролета носителей заряда между эмиттером и коллектором, уменьшения емкости коллекторного перехода и выходного сопротивления транзистора. При этом, как правило, необходимо уменьшать габариты транзисторного кристалла и одновременно улучшать тепло-отвод. Специальные корпусы для свч транзисторов позволяют значительно уменьшить паразитные реактивности токовводов. Наилучшие результаты достигаются при монтаже транзисторного кристалла непосредственно в полосковую линию: Для уменьшения времени пролета применяют материалы с высокой подвижностью носителей зарядов, например, арсенид галлия. Последнее время появились сообщения о разработке свч полевых транзисторов с барьером Шотки, которые,, по-видимому, позволят расширить рабочую полосу транзисторов до 10 ГГц.