Уменьшении амплитуды

Уменьшение удельного сопротивления коллектора снижает пробивное напряжение коллекторного перехода. Чтобы сохранить достаточно высоким напряжение {/Кбодоп. между базой и коллектором вводят слой беспримесного полупроводника с высоким объемным сопротивлением, а коллектор делают с малым объемным сопротивлением. Такой транзистор с промежуточным слоем между базой и коллектором называют эпитаксиальным транзистором ( 3.39, а),так как для получения слоя 2 высокого сопротивления применяется так называемое эпитаксиальное наращивание полупроводника. Наращивание заключается в том, что химическое соединение полупроводникового элемента разлагается у поверхности пластинки п-германия /, являющейся базой транзистора, и образует на ней пленку полупроводника 2. В качестве химического соединения применяют хлориды германия. На эпитаксиальную пленку наносят высоколегированный слой р-германия 3, являющегося коллектором транзистора. Вывод коллектора припаивают к напыленному на р-германий омическому контакту 4. Область кристалла / с ^-электропроводностью образуется вплавлением эмиттера Э. Благодаря увеличенному расстоянию между

Иногда наблюдающееся при деформациях сжатия уменьшение удельного сопротивления объясняется вторичными явлениями — уплотнением металла, разрушением оксидных пленок и т. д. _

Для процессорных преобразований характерно изменение (уменьшение) удельного веса инструментальных погрешностей, определяемых сбоями в функционировании процессора.

Как уже указывалось, в настоящее время резко увеличиваются мощности крупнотоннажных (50, 100, 200 т и более) печей. Объясняется это тем, что в этих печах начинают все чаще плавить обычные углеродистые стали, а также применять новый процесс, при котором рафинирование металла переносится из печи в ковш. Оба эти процесса приводят к увеличению удельной доли времени расплавления и, следовательно, к возможности более полно использовать электропечной трансформатор, при этом увеличение мощности печей дает значительное увеличение их производительности, а следовательно, и КПД, и уменьшение удельного расхода электроэнергии. Однако резкое снижение стойкости футеровки печей при таком увеличении их удельной мощности является препятствием. Для снижения излучения дуг на стены и свод печи надо уменьшить длину дуг, т. е. добиваться увеличения их мощности в первую очередь за счет увеличения тока фаз при ограниченном повышении напряжения. При этом установка попадает в режим работы на максимуме полезной мощности или даже правее его, т.е. при низком (менее 0,7) коэффициенте мощности и уменьшенном электрическом КПД. Однако преимущества, получаемые от сокращения времени расплавления (при этом повышается тепловой КПД печи) и увеличения производительности, с лихвой перекрывают вышеуказанные недостатка такого режима.

ния наблюдается при достижении температуры плавления контактного материала Опл, когда в площадке контактирования образуется расплавленная ванна жидкого металла. С понижением температуры удельное электрическое сопротивление контактов уменьшается. Одновременно при низких температурах значительно изменяются механические свойства материала контактов, увеличиваются его твердость, а следовательно, и сопротивление RK, что может отрицательно повлиять на длительную работу контактов в замкнутом положении. Для некоторых контактных материалов уменьшение удельного электрического сопротивления при понижении температуры превалирует над ростом сопротивления, обусловленного увеличением твердости материала. Так, резуль-

3. В оксидах ванадия V2O4 и Х^Оз при температуре фазовых превращений (68 и —110°С) наблюдается уменьшение удельного сопротивления на несколько порядков. Это явление также может

тельности и уменьшение удельного расхода электроэнергии. Если с увеличением мощности печного трансформатора уменьшить емкость печи, с тем чтобы сохранить неизменной ее производительность, то удельный расход электроэнергии также уменьшится вследствие не только уменьшения среднего члена (3-4), но и снижения тепловых потерь qi и q3 из-за уменьшения размеров печи.

По мере движения потока над пластинами происходит постепенное обогащение смеси 'примесью (так как /С<1) и, следовательно, постепенное уменьшение удельного сопротивления пленок от входа в реактор к его выходу.

влияния тока рекомбинации. Поскольку наиболее интенсивная рекомбинация наблюдается в областях эмиттерного перехода, граничащих с поверхностью, то качество обработки поверхности влияет на коэффициент передачи в микрорежиме. В области средних токов (участок 2) коэффициент передачи достигает максимального значения. Для этой области третье слагаемое в (4.17) становится пренебрежимо малым, а два остальных слабо зависят от тока эмиттера. Область больших токов (участок 3) соответствует высокому уровню инжекции, при котором проявляется несколько физических эффектов, не учтенных в (4.17): уменьшение удельного сопротивления базы, эффект оттеснения тока эмиттера, увеличение физической толщины базы (эффект Кирка) и увеличение эффективного коэффициента диффузии электронов в базе.

Уменьшение удельного сопротивления базы (см. § 2 5) вызванное увеличением концентрации инжектированных в базу электронов приводит к уменьшению коэффициента инжекции эмиттера. Анализ'влияния уменьшения сопротивления базы на коэффициент передачи дает зависимость вида (З — /^1.

По мере движения потока над пластинами происходит постепенное обогащение смеси 'примесью (так как /С<1) и, следовательно, постепенное уменьшение удельного сопротивления пленок от входа в реактор к его выходу.

8.9. Параметры транзистора и колебательного контура в схеме резонансного усилителя указаны в предыдущем примере. Выбрать положение рабочей точки U0, обеспечивающее линейность колебательной характеристики при нелинейном режиме усилителя. Найти амплитуду напряжения на базе, при которой амплитуда напряжения на контуре достигает 8,5 В. Определить коэффициент усиления и КПД усилителя. Как изменится КПД при уменьшении амплитуды напряжения на базе вдвое?

8.9. Линейность колебательной характеристики обеспечивается выбором напряжения смещения U0 равным напряжению нижнего сгиба характеристики транзистора t/0=f/1==0,5 В (угол отсечки 0 = я/2). При этом средняя крутизна не зависит от амплитуды колебаний на базе и равна'5ср = 5/2 = 200 мА/В. Коэффициент усиления K=ScpR = 20. Амплитуда входного напряжения ?=8,5/20 = 0,43 В; КПД = 0,67. При уменьшении амплитуды напряжения на базе вдвое пропорционально уменьшается амплитуда напряжения на коллекторе и вдвое уменьшится КПД усилителя.

пряжение на варикапе. Напряжение источника с (/) = 5 + 0,2cos27:x х 50-1 О6?. Эквивалентное сопротивление контура при резонансе Л = 50кОм. Определить колебательную ' мощность источника и амплитуду напряжения на контуре, если резонансная частота контура вдвое больше частоты воздействующих колебаний. Как изменится амплитуда напряжения на контуре при уменьшении амплитуды источника вдвое?

При уменьшении амплитуды источника вдвое амплитуда Е2 уменьшится в 22 = 4раза.

Косвенные воздействия водохранилищ на окружающую среду изучены не столько полно, как прямые, но некоторые формы их проявления уже очевидны сейчас. Так происходит, например, с изменением климата, проявляющимся в зоне влияния водохранилища в повышении влажности воздуха и образовании довольно частых туманов, уменьшении облачности в дневные часы над акваторией и уменьшении там среднегодовых сумм осадков, изменений направления и скорости ветра, уменьшении амплитуды колебания температуры воздуха в течение суток и года.

Постоянную времени фиксатора уровня тра3р=С# обычно выбирают достаточно большой по сравнению с периодом: входного переменного напряжения, но с учетом того, что при запирании диода напряжение на конденсаторе (т. е. на резисторе R) должно спадать при уменьшении амплитуды входного сигнала с требуемой скоростью.

/01хч дн/°«,г?противление по пеРвой гармонике определяется по формуле (9.14) или (9.15) только в установившемся режиме, т. е. при постоянном угле отсечки 8. При детектировании AM колебаний угол 9 все время изменяется При- возрастании амплитуды AM колебаний угол 9 больше своего установившегося значения, а при уменьшении амплитуды — меньше. Сопротивление по пео-вой гармонике также изменяется.

контуре. Колебания могут Существовать. Но при малейшем уменьшении амплитуды колебаний крутизна по первой гармонике уменьшается и становится недостаточной для компенсации потерь. Происходит скачкообразное уменьшение амплитуды колебаний до нуля.

сдвигается вниз. Крутизна по первой гармонике Si будет соответствовать точке 5'ь т. е. станет меньше Si, и колебания возвратятся к первоначальному режиму. При уменьшении амплитуды U и малой постоянной времени R3C3 значение Si будет соответствовать, например, значению 5"ь т. е. станет больше 1/Яр, и колебания снова возвратятся к стационарному режиму.

Отрицательная обратная связь (по току) частично компенсирует положительную обратную связь, осуществляемую с помощью четырехполюсника Кос ("•>). Действительно, в рассматриваемом примере напряжение, создаваемое на Rt переменной составляющей коллекторного тока, направлено от эмиттера к заземленной шине, а напряжение положительной обратной связи — от базы к этой шине (см. 9.36). Следовательно, результирующая разность потенциалов база—эмиттер является разностью между вторым и первым напряжениями. Коэффициент обратной связи KQC, понимаемый как отношение результирующего напряжения база—эмиттер к напряжению коллектор—эмиттер зависит от величины Rt. При увеличении амплитуды колебания и соответственно тока через терморезистор, его сопротивление Rt возрастает и Ков уменьшается. При уменьшении амплитуды колебания наоборот, Rt падает и Кос возрастает.

Так, для повышения скрытности передачи целесообразно удлинять сигнал при соответствующем уменьшении амплитуды (А^ТС = = const). Это приводит к уменьшению отношения сигнал — помеха на входах любых радиоприемных устройств, что затрудняет извлечение информации из смеси сигнал + шум. Лишь в приемнике с фильтром, согласованным с данным сигналом, восстанавливается наибольшее возможное при заданной энергии отношение сигнал — помеха. Следует, конечно, обеспечить неизменную ширину спектра при удлинении сигнала. Это можно осуществить, введя внутриим-пульсную модуляцию, например частотную [2]. Пример подобного сигнала — импульса с линейной частотной модуляцией (ЛЧМ импульс) был рассмотрен в § 3.7, п.З,