Уменьшение температуры

Проводимые исследования в области совершенствования матричных панелей и экранов направлены на решение ряда актуальных задач: повышение яркости свечения и контрастности экранов с большим числом строк и столбцов, увеличение числа элементов в экранах и панелях, конструктивную отработку панелей с учетом требований эргономичности. разработку методов управления для получения полутоновых изображений, обеспечение идентичности электрических и светотехнических характеристик всех элементов индикации экранов и панелей, создание экранов и панелей с возможностью воспроизведения цветных изображений, повышение надежности и быстродействия матричных панелей, уменьшение стоимости и потребляемой мощности, совершенствование технологии изготовления.

Отличительной особенностью интегральных схем является изготовление на одной полупроводниковой или диэлектрической подложке как транзисторов, так и пассивных элементов — резисторов и конденсаторов. Преимуществом такой технологии является существенное уменьшение стоимости интегральных схем и повышение их надежности.

Целью разработки САПР является: повышение качества и технико-экономического уровня проектируемых объектов, в том числе при их создании и применении; повышение производительности труда, сокращение сроков, уменьшение стоимости и трудоемкости проектирования.

В .первую очередь можно выделить круг задач, связанных с совер-шенствбванием основных метрологических, эксплуатационных, экономических характеристик ИИС в рамках функций, выполняемых ныне существующими системами. Дальнейшее повышение точности, быстродействия, чувствительности, надежности, уменьшение стоимости, улучшение других характеристик ИИС, видимо, относятся к таким задачам. Современная техника реализации ИИС далека от достижения предельных значений этих характеристик (которые, кстати, строго еще не определены), и можно предполагать, что в ближайшее время будет интенсивно проводиться работа по

4) уменьшение стоимости передачи или хранения сообщений;

Важнейшими задачами, всегда существующими в полупроводниковой электронике, являются повышение надежности и уменьшение стоимости дискретных и интегральных полупроводниковых приборов. Для решения этих задач также необходимо всестороннее изучение физических процессов, происходящих в полупроводниковых приборах, совершенствование существующих .технологий их производства, разработка новых технологических приемов, а также изыскание новых принципов действия и эффектов, с помощью которых можно выполнять необходимые функциональные преобразования.

Распределительное устройство должно быть экономичным. Стоимость сооружения РУ слагается из стоимости строительной части, электрического оборудования, электромонтажных работ и накладных расходов. Для уменьшения стоимости строительной части по возможности уменьшают объем здания и упрощают его конструкцию. Значительное уменьшение стоимости достигается применением зданий РУ из сборных железобетонных конструкций, заменивших кирпичную кладку, применявшуюся раньше.

Уменьшение стоимости РУ достигается также сооружением их по типовым проектам, которые разрабатываются ведущими проектными организациями СССР. Задачей учащихся является выбор той или иной типовой конструкции, которая соответствовала бы схеме электрических соединений и установленному оборудованию.

Величина Э для удобства расчета может вычитаться из капитальных затрат того варианта, при котором скорость движения получится выше. Таким же образом можно оценивать и уменьшение стоимости подвижного состава. Стоимость локомотива на 1 т груза получается различной для различных условий профиля, числа путей и т. п. Уменьшение стоимости локомотива может быть принято во внимание, если реально при работе на тяговом плече высвобождается хотя бы один локомотив. Кроме того, увеличение скорости, очевидно, может вызвать уменьшение времени работы локомотивных и поездных бригад. Необходимо также принять во внимание и уменьшение текущих издержек, в число которых входят расходы:

3. Уменьшение стоимости электроэнергии за счет экономически целесообразного распределения нагрузки между электростанциями.

сохранение кабельных соединений в целом локальными в пределах каждой секции, уменьшение стоимости монтажа машины;

Эти приборы осуществляют непосредственное преобразование электрической энергии в холод. Принцип работы этих холодильников основан на эффекте Пельтье. Термоэлементы, которые используются для охлаждения, представляют собой термоэлектрогенератор, у которого разорвана цепь нагрузки и вместо нее подведено постоянное напряжение. Под действием последнего через термоэлемент протекает ток /, вызывающий увеличение температуры верхнего спая и уменьшение температуры нижнего. Между верхним (горячим) и нижним (холодным) спаями образуется разница температур ДГ. Возникает эффект охлаждения, который можно использовать для создания полупроводникового холодильника. Холодные спаи помещаются внутри холодильника, а горячие — снаружи. Тепло, выделяемое в горячих спаях, отводится в окружающий воздух через радиаторы, поэтому между холодными и горячими спаями поддерживается требуемая разность температур ДГ. Величину ДГ, т. е. уровень температуры внутри холодильника,

По истечении некоторого времени режим устанавливается, т. е. уменьшение температуры за время остывания to становится равным увеличению температуры за время тн.

Для защиты трансформаторов и дросселей от действия влаги применяют пропитку катушки изоляционными лаками и компаундами. В результате пропитки происходит уменьшение температуры нагрева провода, так как пропиточный материал заполняет воздушные промежутки между витками катушки ЧТО улучшает ^ис 8.8. Крепление сердечника из штампованных

Уменьшая скорость протекания диффузионных процессов в травителе, можно существенно усилить его полирующие свойства. Например, полирующие свойства травителя улучшаются при увеличении его вязкости за счет добавки гликолей, глицерина, полиспиртов; уменьшение температуры раствора также приводит к большему выравниванию процесса за счет снижения скоростей диффузии компонентов травителя. Интен-

89. Не только Так как сила тока не меняется, им можно нагревать катоды прямого накала. 90. Участок для определения S выбран неправильно. 91. Неверно. 92. Правильно. 93. Правильно. 94. Правильно. 95. Неверно. Ведь чем дальше анод от катода, тем слабее его влияние на анодный ток. 96. Правильно. 97. Неверно. Еще раз подумайте, каким должно быть постоянное напряжение на сетке, чтобы входной сигнал не искажался. 98. Правильно. 99. Неверно. 100. Неверно. Смотри консультацию № 102. 101. Правильно. 102. Неверно. С точки зрения переменной составляющей оба способа эквивалентны. 103. Правильно. 104. Правильно. 105. Неверно. Как раз наоборот. 106. Неверно. Столько выводов у диода с катодом прямого накала. 107. Правильно. 108. Неверно. Уменьшение температуры приводит к затруднению эмиссии. 109. Неверно. 110. Не только. 111. Правильно. Как раз изменение плотности витков сетки сильно влияет на крутизну характеристики. 112. Неверно. 113. Правильно. 114. Правильно. 115. Правильно. 116. Неверно, так как это при определенных обстоятельствах выгодно.

Градиенты температуры в расплаве существенно зависят от относительной скорости вращения монокристалла—• суммы чисел оборотов его и тигля с расплавом, взятых с соответствущими знаками. Увеличение относительной ско-РОСТИ Вращения монокристалла приводит к перемешиванию расплава, вследствие чего градиенты температуры в нем сглаживаются. Это влечет за собой увеличение размера переохлажденной области в расплаве, уменьшение температуры в нем и в столбике, уменьшение его высоты и уве-

сиальный слой и автолегирования — захвата растущим эпитаксиальным слоем испаряющейся из подложки легирующей примеси. Эти процессы существенно зависят от температуры зпитаксиального осаждения и сильно замедляются при ее понижении. Например, снижение температуры на 100 °С приводит к уменьшению коэффициента диффузии легирующей примеси в полупроводнике примерно на порядок. Поэтому основным направлением совершенствования технологии всех без исключения эпитаксиальных структур является уменьшение температуры процесса осаждения.

Основной вклад в изменение величины поверхностной концентрации примеси N3 вносит изменение температуры источника диффузанта. Заметное влияние оказывает изменение расхода газов (носителя диффузанта и окислителя), что, очевидно, приводит к изменению концентрации диффузанта в потоке. Увеличение расхода газа-носителя приводит к уменьшению концентрации диффузанта в потоке, а увеличение расхода газа-окислителя — к ее увеличению. На величину параметра р преимущественное влияние оказывает изменение температуры диффузии, причем уменьшение температуры приводит к уменьшению величины р.

Наиболее важным фактором, определяющим глубину взаимного проникновения примеси, является температура. Скорость диффузии возрастает примерно на порядок при увеличении температуры на 100°С. Если бы можно было уменьшить температуру процесса на 200°С, сохранив скорость эпитаксиального роста такой же, как и при 1200°С, то глубина диффузии уменьшилась бы в 100 раз и мож'но было бы получить гораздо более резкий р-п переход. К сожалению, уменьшение температуры приводит к снижению скорости осаждения. Следовательно, при заданной толщине пленки диффузия останется почти неизменной.

Уменьшение температуры структуры, а значит, повышение надежности работы прибора возможны либо за счет интенсивного охлаждения (снижения #Ст-ср), либо за счет снижения мощности потерь.

Уменьшение температуры приводит к плавному уменьшению тока до значения /., в точке 4 и далее — к скачкообразному уменьшению тока до /! (точка /). Это явление называется обратным релейным эффектом.