Уменьшение потенциала

Простейшими методами уменьшения времени срабатывания являются уменьшение постоянной времени цепи за счет последовательного включения с обмоткой резистора ( 10.9, а) и повышение коэффициен-

рядки конденсатора) — уменьшение постоянной времени и ограничение установившегося тока ( 10. 9, в). Для уменьшения времени отпускания (вернее, времени трогания при отпускании) можно использовать метод уменьшения коэффициента запаса путем снижения установившегося тока. Это можно легко получить введением дополнительного сопротивления Rn по схеме 10.9, б без повышения напряжения питания. Уменьшение времени отпускания может быть достигнуто и применением специальной схемы, обеспечивающей подачу в обмотку электромагнита в момент отключения кратковременного импульса, п озволяющего создавать встречный по отношению к основному поток в сердечнике. Этот импульс может подаваться как в основную, так и в специально предусмотренную для этой цели обмотку.

Чтобы уменьшение постоянной составляющей выпрямленного напряжения было не очень большим, значения /?н и R$ выбирают соизмеримыми, т. е.

Из приведенных уравнений видно, что уменьшение постоянной времени приводит к форсированию процесса торможения. Последнее достигается увеличением сопротивления разрядного резистора. Однако следует иметь в виду, что напряжение на выводах разрядного резистора, а значит, и на обмотке возбуждения подчиняется следующему закону:

мы возбуждения (уменьшение постоянной

Следовательно, с уменьшением постоянной времени цепи выходные импульсы укорачиваются. Однако в практических схемах уменьшение длительности дифференцированных импульсов ограничивается тем, что реальный импульс не обладает идеальной прямоугольной формой и его фронт и спад имеют конечное значение. За время нарастания и спада входного импульса дифференцирование отсутствует (гф « (с «: т). Фактически заряд конденсатора, а следовательно, и процесс дифференцирования начинаются, когда напряжение на входе достигает значения и„. За время же действия фронта импульса конденсатор не успевает существенно зарядиться и напряжение на выходе повторяет напряжение на входе. Фронт дифференцированного импульса оказывается равным фронту входного импульса и добавляется к его расчетной длительности. Аналогичная картина наблюдается и во время действия спада входного импульса. Поэтому уменьшение постоянной времени цепи ограничивается длительностью фронта импульса. Дальнейшее ее уменьшение будет приводить лишь к уменьшению амплитуды выходного импульса.

В транзисторах, изготовленных методом двойной односторонней диффузии (см. 2.15), наличие тормозящего поля в начале базы частично или полностью компенсирует положительное влияние ускоряющего поля в остальной части базы. Распределение п(х) показано на 2.16, в сплошной линией. Поэтому эффективные значения функции т(т)) не столь высоки и могут быть даже меньше единицы. В таких транзисторах основной вклад в уменьшение постоянной накопления дает не поле в базе, а малая толщина базы, обеспечиваемая диффузионной технологией.

Для реле, обмотка которых включается на постоянное напряжение, желательно уменьшение постоянной времени цепи Т (см. (7.98)]. Если потребление обмотки при полном напряжении ограничено термической устойчивостью обмотки, то иногда целесообразно включение добавочного активного сопротивления для уменьшения Т. Однако при этом при той же кратности установившегося тока к току 1Н [(fJ/Riu) = const] возрастает общее потребление (реле и добавочного сопротивления) от источника питания. При неизменном общем потреблении добавочное сопротивление, уменьшая Т, одновременно уменьшает U/(Riu). В результате увеличивается время действия, и применение добавочного .сопротивления нецелесообразно.

Уменьшение постоянной времени заряда конденсатора и увеличение входного сопротивления УВХ обеспечивает схема с отрицательной обратной связью ( 1.44).

В результате можно сделать вывод, что уменьшение скорости разъединения двух материалов снижает накопление зарядов и увеличивает время их рассасывания. Однако использование этих методов часто снижает в значительной мере скорость технологического процесса. Той же цели служит уменьшение постоянной времени релаксации.

VT1 и VT2, вызывая уменьшение выходного сигнала на транзисторе VT1 и появление сигнала той же величины на транзисторе VT2. Таким образом, результирующее напряжение на выходе усилителя остается неизменным. Нетрудно видеть, что выходное напряжение; UBax = K(UBX\ ± ?/вк2), где ?/в>:1 и i/Bx2 — напряжение входного сигнала на базе транзистора VT1 и VT2 соответственно; плюс в скобках соответствует дифференциальному сигналу, минус—синфазному. При воздействии дифференциального сигнала возрастание потенциала базы одного транзистора сопровождается одновременным уменьшением потенциала базы другого транзистора, и наоборот. В результате происходит одновременное возрастание потенциала коллек тора одного транзистора (— Д (/„) и уменьшение потенциала дру того (—Д?/к). Так как выходное напряжение дифференциального каскада является разностью потенциалов между коллекторами транзисторов, дифференциальный сигнал на выходе каскада оказывается равным 2 Д t/K, т. е. сигнал на выходе будет наибольшим

Э. д. с. положительна, если направление перемещения ею положительных зарядов от «минуса» к «плюсу» или от катода к аноду совпадает с положительным направлением контура, т. е. если при обходе контура сперва встречается « — », затем « + ». Напряжение положительно, если при обходе контура имеет место уменьшение потенциала.

В заключение рассмотрим конкретную схему усилителя с отрицательной обратной связью, приведенную на 19.8. Здесь напряжение отрицательной обратной связи снимается с резистора /?2 делителя напряжения R\R?. Легко убедиться в том, что обратная связь в данном случае — отрицательная. Действительно, если при изменении ис потенциал базы увеличивается, то потенциал коллектора уменьшается. Это уменьшение потенциала через цепь обратной связи передается на базу транзистора и напряжения сигнала и обратной связи оказываются в про-тивофазе.

проходя вдоль пассивного двухполюсника, обнаружит постепенное уменьшение потенциала, а проходя через источник, независимо от направления тока, обнаружит скачок потенциала,равный э. д. с. Этот скачок будет положительным, если наблюдатель передвигается от отрицательного полюса источника к положительному. При построении потенциальной диаграммы учтены и внутренние сопротивления источников г,-. Эти сопротивления мысленно выносятся за пределы источников. Падения напряжения в этих сопротивлениях изображены на диаграмме с помощью наклонных отрезков

каскадов, т. е. симметрична, поэтому оба транзистора работают в одинаковых условиях. При включении напряжения питания вследствие разброса электрических параметров транзисторов один из них откроется раньше другого. Уменьшение потенциала его коллектора приводит к уменьшению базового тока второго транзистора. Процесс развивается лавинообразно и в конце концов один из транзисторов оказывается насыщенным (открыт), а второй — в режиме отсечки (заперт). Источник смещения +?6 обеспечивает надежное запирание транзисторов. Для этого необходимо выполнение условия

В электронных герцметрах роль ключа /С выполняют ламповые или транзисторные ключи. На 18.4 показана упрощенная схема лампового герцметра типа ИЧ. Когда на сетку лампы Лг подается отрицательное напряжение Ux, запирающее лампу, то конденсатор С заряжается до напряжения Ua = /70, причем зарядный ток <3 протекает через диод Д1 и измерительный механизм И. В течение положительной полуволны t/x лампа Л1 открыта, и потенциал точки а снижается вследствие падения напряжения на сопротивлении /?„. В это время конденсатор С разряжается через лампу Л} и диод Д2 до тех пор, пока потенциалы точек а и б не уравняются. Тогда диод Д3 откроется, со-единитточкиаиб и дальнейшее уменьшение потенциала точки а прекратится. Поэтому конденсатор получает заряд Q = (?/„ — ?/б) С при изменении напряжения между UQ и 1/б, а среднее значение тока через измерительный механизм:

Увеличение потенциала антенны обусловливает появление электрического поля определённого направления, а уменьшение потенциала — образование, отделение «автономных» замкнутых линий электрического поля, движущихся от антенны и связанных с линиями магнитного поля.

т.е. в случае включения в нейтраль сети реактора потенциал нейтрали становится во столько раз больше потенциала UN0 (в отсутствие реактора), во сколько раз индуктивное сопротивление реактора больше его активного. Отношение Xp/Rp может достигать нескольких десятков единиц, а потенциал нейтрали может превышать фазное напряжение, что недопустимо. Уменьшение потенциала нейтрали, как следует из уравнения (7.1), может быть достигнуто уменьшением значения UN0 либо расстройкой резонансного контура.

При рабочих условиях приложение прямого напряжения V уменьшает потенциал на каждом переходе приблизительно на 0,5 V. Такое уменьшение потенциала влияет на эффективность собирания фотогенерируемых носителей в солнечных элементах на основе a-Si: Н.

При рабочих условиях приложение прямого напряжения V уменьшает потенциал на каждом переходе приблизительно на 0,5 V. Такое уменьшение потенциала влияет на эффективность собирания фотогенерируемых носителей в солнечных элементах на основе a-Si: Н.

Знак минус в формуле (175.3) показывает, что увеличение потенциала сетки (положительного) вызывает уменьшение потенциала на аноде. При наличии колебательного сеточного напряжения это обозначает, что колебания анодного напряжения противоположны по фазе колебаниям напряжения на сетке.