Уменьшение концентрации

Tt заперт, поскольку разность напряжений на датчике Я? и резисторе Rs меньше напряжения отпирания транзистора. При перегрузке транзистор Tt откроется, его коллектор перехватит часть входного тока составного транзистора, в результате чего транзистор Т'ч начнет закрываться. При этом напряжение на выходе стабилизатора будет снижаться, что вызовет сначала уменьшение коллекторного тока транзистора Т3 усилителя, который стремится поддерживать выходное напряжение Рис- 3-17- Делитель выходного стабильным, а затем — его запира- напряжения некорректирован-ние. Снижение напряжения в точ- ный (а) и корректированный (б) ке А повлечет за собой уменьшение

При наличии резистора R3 увеличение эмиттерного тока /э=/б+^к из-за повышения температуры приводит к возрастанию падения напряжения на резисторе R3. Это вызывает снижение потенциала базы по отношению к потенциалу эмиттера [см. формулу (5.15)], а следовательно, уменьшение токов /8 и /к. Ясно, что уменьшение коллекторного тока за счет действия резистора Ra не может полностью скомпенсировать рост его за счет повышения температуры, но влияние температуры на ток /к при этом во много раз снижается.

на коллекторе Т\, которое передается на базу транзистора TZ, вызывая его форсированное отпирание. Ток /К2 увеличивается, а напряжение на коллекторе транзистора Г2 снижается. Это приращение отрицательного потенциала передается на базу транзистора Т\, запирая его в еще большей степени. Происходит дальнейшее уменьшение коллекторного тока /Kt и т. д. Заканчивается процесс опрокидывания запиранием транзистора Т\ ((/к = (Увых! « ?к), отпиранием транзистора TZ (UK = ?/„ых2 = UK3 «ас) и прекращением действия положительной обратной связи. Триггер переходит во второе состояние устойчивого равновесия.

При формировании среза импульса уменьшение коллекторного тока вызывает появление ЭДС е\, еч в обмотках WK и Шб. Их полярность обратна той, которая имела место при формировании фронта импульса. Благодаря действию положительной обратной связи в схеме возникает обратный лавинообразный процесс, во время которого токи коллектора и базы резко уменьшаются и транзистор запирается.

По окончании процесса рассасывания происходит быстрое уменьшение коллекторного тока выходного транзистора и начинает повышаться выходное напряжение. Время перехода /0>1 пропорционально постоянной времени R2CK и почти не зависит от других параметров. Напомним, что емкость Сн значительно слабее (в Р2 раз) влияет на время перехода tl'°, так как при этом она быстро разряжается большим коллекторным током открывшегося выходного транзистора.

После завершения процесса рассасывания транзистор ключевого каскада переходит в активный режим. Начинается формирование среза выходного импульса напряжения. На этом этапе происходит два процесса: уменьшение коллекторного тока до его отсечки и заряд коллекторной емкости С„ через RK от источника питания Е. Так как после выхода из режима насыщения транзистор перешел в активный режим, то постоянная времени изменилась от 6 н до 6а. Коллекторный ток уменьшается от значения /кн, стремясь к уровню /Каж2 с постоянной времени 0Э. Процесс уменьшения коллекторного тока от /„и До /ко. близкого к нулю, происходит быстро, особенно при большом запирающем токе базы. Длительность этого процесса составляет лишь малую долю от длительности среза выходного импульса; существенно большую длительность имеет процесс заряда емкости Ск. После отсечки коллекторного тока эта емкость продолжает заряжаться от источника Е через /?„• Так как транзистор при этом заперт и практически не шунтирует цепь заряда, то постоянная времени этой цепи 6 = RKCK или о учетом емкости нагрузки Сн, также имеющей конечное значение, вк = RK(CK + Сн). Длительность среза импульса напряжения на коллекторе транзистора te = 36 к = 3Rtt (СК + СН). В отличие от входного выходное напряжение ключевого каскада имеет конечные длительности фронта и среза, соответствующие значениям /ввл и /выкл; моменты его переключения не совпадают с моментами переключения входного напряжения (время задержки выключения каскада равно /р), выходное напряжение однополярно, т. е. принимает только отрицательные значения от —Uкн до —(Е — /ко/? к) или приближенно от 0 до —Е.

Уменьшение коллекторного тока резистора Тг влечет за собой понижение уровня отрицательного напряжения на его коллекторе. Из-за этого отрицательное напряжение на входе каскада У! возрастает, вызывая увеличение базового тока транзистора Т1 и его дальнейшее отпирание. Можно считать, что увеличение тока базы транзистора T^ определяется соотношением

которого оба транзистора работают в активном режиме. На этапе регенерации в схеме действует глубокая положительная обратная связь: увеличение коллекторного тока 7\ приводит к положительному приращению напряжения на его коллекторе; скачок коллекторного напряжения, передаваясь через конденсатор d на базу Т2, вызывает его запирание и уменьшение коллекторного тока; напряжение на коллекторе снижается, получая отрицательное приращение. Передаваясь через цепь RcCz на базу 7\, это приращение напряжения приводит к дальнейшему отпиранию транзистора Тг и увеличению его коллекторного тока. Процесс переключения идет лавинно и завершается насыщением 7\ ч запиранием Т2 ( 6.62,

Аналогично работает схема на транзисторе ( 10.18). В исходном состоянии транзистор открыт и насыщен, поэтому напряжение на конденсаторе С практически равно нулю. При подаче на вход положительного прямоугольного импульса уменьшение коллекторного тока будет происходить с задержкой, которая определяется временем рассасывания избыточного заряда в базе. Это несколько искажает начальный участок экспоненциально изменяющегося напряжения на конденсаторе мс. После окончания импульса транзистор открывается и конденсатор быстро разряжается через него. В конце разряда конденсатора, когда напряжение на нем становится близким к нулю, транзистор вновь входит в режим насыщения.

При формировании спада импульса уменьшение коллекторного тока вызывает появление э. д. с. еь ег в обмотках WK и w6. Их полярность обратна той, которая имелась при формировании фронта импульса. Благодаря действию положительной обратной связи в схеме возникает обратный лавинообразный процесс, во время которого токи коллектора и базы резко уменьшаются и транзистор закрывается.

положительная обратная связь: увеличение коллекторного тока 7\ приводит к положительному приращению напряжения на его коллекторе; скачок коллекторного напряжения, передаваясь через конденсатор Ct на базу Г2, вызывает его запирание и уменьшение коллекторного тока; напряжение на коллекторе уменьшается, получая отрицательное приращение. Передаваясь через цепь #с—-С2

Высота потенциального барьера в р — /г-переходе будет определяться положением уровня Ферми в р- и я-областях, т. е. концентрацией примесей в этих областях. Уменьшение концентрации примесей в любой области смещает уровень Ферми к середине запрещенной зоны-и способствует уменьшению потенциального барьера. Зависимость потенциального барьера от концентрации примесей выражается соотношением

В зависимости от типа АЭС суммарное загрязнение теплоносителя может быть различным. Наиболее трудно предотвратить загрязнение вод продуктами коррозии, откладывающимися в реакторном контуре на поверхностях активной зоны. Впоследствии активированные продукты коррозии могут смываться, транспортироваться и вновь откладываться на внутренних поверхностях контура. При этом долгоживущими изотопами коррозионного происхождения создается радиационный фон, затрудняющий ремонт оборудования. Уменьшение концентрации продуктов коррозии достигают правильным выбором конструкционных материалов оборудования и трубопроводов в различных контурах АЭС; оптимальным водно-химическим режимом и глубокой очисткой воды контуров.

заряда в образце. Если пренебречь рекомбинацией носителей заряда на поверхности образца и контакте, то можно считать, что уменьшение концентрации носителей заряда происходит только за счет их рекомбинации в объеме. В этом случае, учитывая сферическую симметрию распределения неравновесных носителей заряда, из уравнения непрерывности для неосновных носителей заряда, например для дырок д\р(г, 0 _ Ар (г, О dt гр

Первое и второе слагаемые (5.49) описывают увеличение концентрации электронов за счет захвата электронов из зоны проводимости и испускания дырок в валентную зону, третье и четвертое учитывают уменьшение концентрации электронов за счет испускания электронов в зону проводимости и захвата дыре к из валентной

Такие дефекты называют радиационными. При внедрении ионов в кристалл и при их взаимодействии с кристаллической решеткой возникают структурные дефекты типа дефектов по Френкелю. В результате вблизи поверхности полупроводника появляются сильно разупорядоченные области. Структурные дефекты влияют на электрофизические свойства полупроводника по следующим основным причинам. Во-первых, они вызывают появление энергетических уровней в запрещенной зоне полупроводника, увеличивая тем самым скорость рекомбинации и снижая концентрацию подвижных носителей заряда. Во-вторых, они уменьшают подвижность носителей заряда. Все это приводит к тому, что электропроводность легированных слоев определяется не только концентрацией введенных ионов, но также концентрацией возникающих структурных дефектов. Концентрация дефектов пропорциональна дозе облучения. Однако при больших дозах наступает насыщение, что можно объяснить слиянием отдельных дефектов и образованием сплошного разупорядоченного слоя, не имеющего кристаллической структуры. Уменьшение концентрации дефектов может быть достигнуто путем последующего отжига полупроводниковых подложек. Проведение отжига при температуре Г=400ч-700°С приводит к увеличению коэффициента использования вводимой примеси, так как тепловое возбуждение кристаллической решетки способствует расположению ионов в ее узлах. Коэффициент использования примеси в результате

Газообразный РН3 поставляют в баллонах в смеси с инертным газом или водородом в концентрациях от 5-10 ~4 до 1 %. Дальнейшее уменьшение концентрации фосфина в диффузионной камере достигается разбавлением газовой смеси инертным газом и кислородом. Большим недостатком РН3 является его высокая токсичность.

Маскирующие покрытия при локальном ионном легировании должны обеспечивать уменьшение концентрации примеси на защищенной поверхности полупроводника по крайней мере на 1—2 порядка по сравнению с концентрацией примеси

Тот же результат можно получить, если рассмотреть уменьшение концентрации неосновных носителей заряда в базе транзистора около p-n-перехода эмиттера при увеличении абсолютного значения напряжения на коллектора и при постоянном токе эмиттера ( 4.13, в) .

в плазме дуги концентрации ионов и электронов одинаковы (#+= = N-=N), то fi?2=«AWt (а —коэффициент рекомбинации). Поэтому уменьшение концентрации ионов из-за рекомбинации равно:

При т=1 будет наблюдаться небольшое уменьшение концентрации примеси в кремнии только за счет увеличения удельного объема окисла (для получения единицы

Рассмотрим переходный процесс переключения диода из прямого направления в обратное. Допустим, что на входе схемы 1.26 напряжение генератора импульсов меняется от значения ?, до отрицательного значения —Е2 в момент времени ^ = ^( 1.27, а), а ток через р-п переход меняется от значения Л до значения —/2«—?2/^ на значение Д/=/1+/2. С момента времени t\ начинается этап рассасывания накопленного заряда дырок в базе. Уменьшение концентрации дырок в базе происходит из-за