Уменьшением температуры

Анализ выражения (1.22) показывает, что с уменьшением сопротивления г мощность Рпотр возрастает и при г =•- г(1 дости-гает максимального значения. Дальнейшее уменьшение г приводит к уменьшению РПотр- При г = 0 Рпотр = 0, Максимальное значение мощности Рпотр соответствует согласованному режиму работы приемника. Нетрудно установить, что при согласованном режиме U = 0,5?, РПотр = 0,5РВыр> Л := 0.5-

В полосе пропускания -(до /в на 7.в) избыточное усиление можно устранить в одном или нескольких каскадах уменьшением сопротивления нагрузки или введением местной ОС. Варианты цепей, включенных в усилитель с этой цепью, наказаны на 7.9. Цепь из резистора Rm и конденсатора Сш уменьшает сопротивление нагрузки. Вносимое ею затухание '[4] авн=20 lg(l+Rn/Rm), Яш=#н(100.05°вн—l)-i, Сш= (3... 10)/2я/нЯш, где Rs — сопротивление нагрузки транзистора Ki-ь /н — нижняя граничная частота рабочего диапазона. Местная ОС вносит затухание, численно равное глубине ОС:

Согласно уравнению (30.1) напряжение, приложенное к телу человека, уменьшается с уменьшением сопротивления заземления #3 и с увеличением сопротивления изоляции провода относительно земли г2.

По этой же причине с уменьшением сопротивления нагрузки Ra ток нагрузки / увеличивается до некоторой величины /шах, а затем уменьшается и ток короткого замыкания /к
Погрешность измерения вызвана уменьшением сопротивления ветви, к которой подключен вольтметр. При постоянном напряжении

фотоэффектом. Внутренний фотоэффект сопровождается уменьшением сопротивления полупроводника. Изменение сопротивления полупроводника под действием квантов света называют фоторезистивным эффектом.

. Следовательно, мощность конденсаторов определяется напряжением сети и ее реактивным сопротивлением; при этом с уменьшением сопротивления сети возрастает потребная удельная мощность конденсаторов.

Регулировочная характеристика рассматриваемого генератора в пределах рабочих токов нагрузки имеет такой же вид, как и у генератора независимого возбуждения. Для поддержания неизменного напряжения на зажимах генератора с возрастанием тока нагрузки необходимо увеличивать ток возбуждения, что достигается уменьшением сопротивления /?„ цепи возбуждения машины.

Из результатов решения задачи видно, что уменьшение напряжения между зажимами источника не связано простой зависимостью с. уменьшением сопротивления внешней цепи. Действительно, в данной задаче сопротивление внешней цепи уменьшалось в два

Анализ выражения (1.22) показывает, что с уменьшением сопротивления г мощность Рпотр возрастает и при г = г0 достигает максимального значения. Дальнейшее уменьшение г приводит к уменьшению РПотр- При г = 0 РПотр = 0. Максимальное значение мощности Рпотр соответствует согласованному режиму работы приемника. Нетрудно установить, что при согласованном режиме U = 0,5?, РПэтр = 0,5Рвыр, г = 0,5.

напряжения на теле человека от Ua и иш в любых условиях не превосходили безопасных для человека величин. Достигнуть этого можно уменьшением сопротивления заземлителя, выравниванием распределения потенциала заземлителя по поверхности земли вблизи заземленных объектов, а также увеличением сопротивления растеканию тока со ступней человека в земле путем подсыпки гравия или использованием изолирующих площадок и бот.

Наиболее важны ИЛР, возникающие при вакуумном осаждении металлических пленок. На 3.5 представлено изменение линейных размеров ИЛР пленок Kapton после нанесения слоев Сг — Си — Сг толщиной 1 мкм в зависимости от температуры осаждения (учитывался дополнительный нагрев подложки во время осаждения). С уменьшением температуры осаждения снижается не только ИЛР, но и ее разб С учетом приведенных данных для заданных габаритов модуля полиимидной пленки, а также размеров контактных площадок и переходных отверстий можно опреде-

Осаждение арсенида галлия на подложки из GaAs с ориентацией (100), (110), (111) происходит в интервале температур 450 — 700 °С. Подвижность носителей заряда в слое увеличивается с уменьшением температуры осаждения. Процесс синтеза арсенида галлия в системе (CH3)3Ga — AsH3 — Н2 протекает по реакции

Возрастает с уменьшением температуры и увеличением фа

Объемный модуль упругости ?ж возрастает с увеличением два-ления р и с уменьшением температуры Т жидкости. Значение ?ж = = 12004-2000 МПа, т. е. в среднем согласно формуле (7.43) жидкость сжимается на доли процента при увеличении давления на 10 МПа.

В диапазоне малых температур с уменьшением температуры уменьшаются тепловые скорости хаотического движения носителей заряда, что приводит к увеличению времени пребывания носителя вблизи иона примеси, т. е. увеличивается длительность воздействия электрического поля иона примеси на носитель заряда. Поэтому в диапазоне малых температур с уменьшением температуры подвижность носителей также уменьшается ( 1.10).

Диапазон рабочих температур для кремниевых выпрямительных диодов ограничен значениями —60... + 125°С. Нижний предел рабочих температур обусловлен различием температурных коэффициентов линейного расширения различных элементов конструкции диода: при низких температурах возникают механические напряжения, которые могут привести к растрескиванию полупроводникового кристалла. При необходимости этот предел рабочих температур может быть существенно уменьшен, т. е. сдвинут в область более низких температур. Принципиальное ограничение при этом может быть связано с энергией ионизации примесей в различных областях диодной структуры. Но энергия ионизации примесей в кремнии, которые обеспечивают электропроводность р- и n-типов, мала. Поэтому уже при температуре в несколько десятков кельвин все акцепторы и доноры оказываются ионизированными. С уменьшением температуры необходимо учитывать также увеличение прямого напряжения на диоде, которое происходит из-за увеличения высоты потенциального барьера на р-/г-переходе.

Коэффициент рекомбинации изучен мало. Известно, что его величина максимальна при атмосферном давлении и увеличивается с уменьшением температуры газа:

При очень низких температурах, обычно выходящих за рабочий диапазон полупровод-пиковых приборов, проводимость понижается с уменьшением температуры (на 1.14 эта область температур не показана), что обусловлено снижением подвижности из-за влияния примесного рассеяния и уменьшением концентрации носителей вследствие неполной ионизации примесей.

Из рисунка видно, что относительная концентрация электрически активных атомов снижается с увеличением концентрации атомов примеси и уменьшением температуры. Так, при температуре диффузионного процесса 1100° С и концентрации атомов примеси около 4-Ю19 см~3 электрически активна только половина всех введенных атомов. При концентрации легирующей примеси 1021 см~3 концентрация атомов, проявляющих донорные свойства, не превышает 20%. Наоборот, с уменьшением уровня легирования относительная концентрация электрически активных атомов увеличивается, приближаясь к 100% при концентрации атомов примеси ниже 1019 см~3. Таким образом, если предположить существование зависимости результирующего распределения концентрации диффундирующих атомов примеси от состояния, в котором они находятся в процессе диффузии, то следует ожидать изменения характера примесного

Величина ТК/?г отрицательна и ее абсолютное значение возрастает с уменьшением температуры.

На магнитные свойства значительно влияют плотность тока и температура электролита. С увеличением плотности тока и уменьшением температуры коэрцитивная сила, остаточная индукции и коэффициент прямоуголыюсти электроосажденных сплавов никеля с железом возрастают Г121.