Уменьшением отрицательного

Регулирование частоты вращения изменением напряжения производится с помощью регулятора напряжения РН (2.34,а,б). Как видно из 2.34,б, с уменьшением напряжения частота вращения двигателя уменыяается (при U^ty^^i ^""^г^х )• возможно плавное регулирование частоты вращения вниз от синхронной частоты вращения до 0,5^2.^ • Основной недостаток - выделение большого количества тепла в роторе при увеличении сколькэния.

Генераторы на электростанциях имеют автоматическое регулирование напряжения (АРН), наличие которого отражается на характере изменения тока к. з. (см. 24.2, а). При отсутствии АРН напряжение генератора при токе к. з. уменьшается из-за размагничивающего действия магнитного потока статора. С уменьшением напряжения уменьшается и ток к. з. до д/2 /м ( 24.2, б). При наличии АРН после возникновения к. з. до начала действия АРН ток к. з. уменьшается, но через некоторое время (t~0,2 с) АРН увеличивает ток возбуждения генератора и его напряжение повышается до номинального. В связи с этим ток к. з. увеличивается (см. 24.2, а) и установившийся ток к. з. в этом случае будет больше установившегося тока к. з. при отсутствии АРН генераторов (см. 24.2, б).

Отклонение и колебания напряжения в распределительных сетях карьера в зависимости от их величины, знака и продолжительности оказывают различное влияние на работу приемников электроэнергии. С уменьшением напряжения на зажимах асинхронных двигателей уменьшается пропорционально квадрату напряжения критический момент, возрастает потребляемый ток. С увеличением напряжения возрастает реактивная мощность.

Частоту вращения п двигателей обычно регулируют вверх от номинального значения— уменьшением тока возбуждения и вниз — уменьшением напряжения на якоре. Из условий нагрева и коммутации ток якоря /2 целесообразно поддерживать на уровне номинального значения. . Таким образом, при регулировании частоты вращения вверх мощность на валу Р% (при theorist) будет посто-.янной, равной номинальной, а при регулировании вниз — момент вращения на валу Мч будет постоянным, также равным номинальному моменту. Поддержание Р2=const при регулиро-

В примере предполагается, что сопротивления резисторов не зависят от напряжения. Если резисторами являются лампы накаливания, сопротивление которых снижается с уменьшением напряжения, то приведенный расчет носит ориентировочный характер.

С уменьшением напряжения Uctl „ac уменьшается также ток стока насыщения /с „ас. В рабочем режиме используют пологие участки выходных характеристик. При больших напряжениях на стоке происходит пробой структуры. Поэтому в рабочем режиме превышение максимально допустимого напряжения стока Уснтах недопустимо.

Когда внешнее напряжение Ua станет равным ^прзкртахг. внутренняя положительная связь вызовет лавинообразный процесс инжекции основных носителей заряда из эмиттерных областей в базовые. Резкое увеличение концентрации электронов в базе п\ и дырок в базе р2 приводит к быстрому (соизмеримо с длительностью лавинообразного процесса) снижению напряжения t/2 обратносмещенного перехода Пч, а следовательно, к уменьшению напряжения на тиристоре, так как t/a = U\ + f/2 + Us ( 2.24, а). Это означает, что прямая ветвь вольт-амперной характеристики четырех-слойной структуры имеет участок отрицательного сопротивления (участок ab на 2.24, б), на котором рост тока обусловлен уменьшением напряжения.

3.49. Объяснить, почему с уменьшением напряжения накала увеличивается внутреннее сопротивление диода.

КЗ, сопровождаемому увеличением тока КЗ и уменьшением напряжения в сети;

Следует отметить, что во входных цепях усилителей должны быть использованы и высококачественные пассивные элементы: резисторы, конденсаторы и трансформаторы — иначе уровень шумов может существенно возрасти. Например, среднее квадратичное значение напряжения шума эффекта мерцания резисторов, на которых падает напряжение 1 В, измеренное в полосе 1—10 Гц, составляет: у углеродных — до 3 мкВ; у углеродно-пленочных — до 3 мкВ; у металлопленочных — до 0,2 мкВ, у проволочных — до 0,1 мкВ. Равным образом и конденсаторы, особенно электролитические на основе алюминиевой фольги, могут создавать в аналогичных условиях избыточные шумы до 1—5 мкВ/мкФ. В настоящее время входные усилители низкочастотной геофизической аппаратуры обычно выполняются на основе низкошумящих усилителей в интегральном исполнении, например — К544УД1А; К284УД1А, К140УД8А и т. д. — если необходимо иметь очень большое входное сопротивление (на входе этих усилителей установлены полевые транзисторы). Если входное сопротивление не должно быть более 105 Ом, то применяются усилители с биполярными транзисторами на входе, например К157УД1А; К548УН1А и т. д., у которых в полосе частот 10—100 Гц при сопротивлении источника сигнала R = 1 кОм уровень собственных шумов не превышает 0,05 мкВ. Если оказывается, что стандартные усилители в интегральном исполнении имеют уровень шумов, больший допустимого, то снизить его в несколько раз можно уменьшением напряжения питания до минимально допустимых значений и параллельным включением нескольких усилителей.

Как видно из соотношения (3.1), емкость С0 можно увеличить путем уменьшения толщины диэлектрика d, однако это сопровождается уменьшением напряжения пробоя диэлектрика. При использовании в качестве диэлектрика SiCb толщина диэлектрического слоя изменяется обычно в пределах 0,05 — 0,1 мкм. Удельная емкость затвор — канал представляет собой одну из величин, определяющих пороговое напряжение. В самом общем случае пороговым напряжением называют напряжение на затворе, при котором ток стока уменьшается до нуля. Это напряжение включает в себя две составляющие и записывается в виде

С уменьшением отрицательного потенциала на зенд вместе с ионами начинают приходить электроны, и число их увеличивается по мере приближения к точке S на участке // характеристики.

В цепи сетки может появиться также ток обратного направления. Обратный ток сетки обычно возникает в лампах с плохим вакуумом. Энергия электронов, ускоряемых в лампе, может оказаться достаточной для ионизации оставшихся в баллоне молекул газа. Образовавшиеся в процессе ионизации 'электроны увеличивают анодный ток, а положительные ионы притягиваются отрицательно заряженной сеткой и вызывают приток электронов к сетке из внешней цепи. Величина этого обратного (ионного) тока обычно растет с уменьшением отрицательного напряжения на сетке, так как при этом возрастает поток первичных электронов. По величине ионного тока можно определить давление оставшегося в баллоне газа.

зависимостей Ia — q>t (UC1) при UC3 = const ( 4-13, б) объясняется иными процессами управления током. В этом случае анодный ток меняется из-за влияния управляющей сетки на объемный заряд у катода. С уменьшением отрицательного напряжения — Ucl все больше электронов проходит плоскость управляющей сетки, растет не только катодный ток, но и токи /а и /С2. С увеличением отрицательного напряжения на третьей сетке уменьшается коэффициент токораспределения kn = /а//с2 и на анод попадает все меньшая часть электронов. Крутизна характеристик уменьшается.

Ход кривых /С2+С4 = /з (#ci) и /С2+с4 = /4 (^сз) наглядно демонстрирует различие принципов управления анодным током по этим двум сеткам. С уменьшением отрицательного напряжения Ucv влияющего на объемный заряд у катода, возрастает не только анодный ток, но и ток /С2 + С4. Уменьшение — UC3 приводит к падению тока /С2 + С4> так как все меньше электронов при этом возвращается на экраны, соединенные со второй сеткой.

Таким образом, активному режиму соответствует не вся область характеристик, лежащая выше кривой при — /в = /кво> а лишь та ее часть, где выполняется условие С/кэ I > I С^БЭ . На семействе выходных характеристик ( 12-10, б) граница между режимом насыщения и активным режимом отчетливо видна, она проходит через тачки излома характеристик. В области режима насыщения ток 1К резко падает с уменьшением отрицательного напряжения t/кэ', в области активного режима кривые /к = = ф4 (?/кэ) более пологие.

чающихся резким падением тока /к с уменьшением отрицательного напряжения [/кэ- В точках излома характеристик = I С^БЭ I- При дальнейшем уменьшении напряжения разность потенциалов коллектор — база становится положительной, коллекторный переход оказывается включенным в прямом направлении и поток дырок из базы 'В коллектор компенсируется встречным диффузионным потоком дырок из коллектора. Ток коллектора быстро падает с уменьшением С/кэ I- Характеристикам с меньшим значением тока /в = const соответствуют менее отрицательные значения напряжения U-вэ, поэтому переход в режим насыщения происходит при меньших величинах ?/кэ-

В цепи сетки может появиться также ток обратного направления. Обратный ток сетки обычно возникает в лампах с плохим вакуумом. Энергия электронов, ускоряемых в лампе, может оказаться достаточной для ионизации оставшихся в баллоне молекул газа. Образовавшиеся в процессе ионизации 'электроны увеличивают анодный ток, а положительные ионы притягиваются отрицательно заряженной сеткой и вызывают приток электронов к сетке из внешней цепи. Величина этого обратного (ионного) тока обычно растет с уменьшением отрицательного напряжения на сетке, так как при этом возрастает поток первичных электронов. По величине ионного тока можно определить давление оставшегося в баллоне газа.

зависимостей Ia — q>t (UC1) при UC3 = const ( 4-13, б) объясняется иными процессами управления током. В этом случае анодный ток меняется из-за влияния управляющей сетки на объемный заряд у катода. С уменьшением отрицательного напряжения — Ucl все больше электронов проходит плоскость управляющей сетки, растет не только катодный ток, но и токи /а и /С2. С увеличением отрицательного напряжения на третьей сетке уменьшается коэффициент токораспределения kn = /а//с2 и на анод попадает все меньшая часть электронов. Крутизна характеристик уменьшается.

Ход кривых /С2+С4 = /з (#ci) и /С2+с4 = /4 (^сз) наглядно демонстрирует различие принципов управления анодным током по этим двум сеткам. С уменьшением отрицательного напряжения Ucv влияющего на объемный заряд у катода, возрастает не только анодный ток, но и ток /С2 + С4. Уменьшение — UC3 приводит к падению тока /С2 + С4> так как все меньше электронов при этом возвращается на экраны, соединенные со второй сеткой.

Таким образом, активному режиму соответствует не вся область характеристик, лежащая выше кривой при — /в = /кво> а лишь та ее часть, где выполняется условие С/кэ I > I С^БЭ . На семействе выходных характеристик ( 12-10, б) граница между режимом насыщения и активным режимом отчетливо видна, она проходит через тачки излома характеристик. В области режима насыщения ток 1К резко падает с уменьшением отрицательного напряжения t/кэ', в области активного режима кривые /к = = ф4 (?/кэ) более пологие.

чающихся резким падением тока /к с уменьшением отрицательного напряжения [/кэ- В точках излома характеристик = I С^БЭ I- При дальнейшем уменьшении напряжения разность потенциалов коллектор — база становится положительной, коллекторный переход оказывается включенным в прямом направлении и поток дырок из базы 'В коллектор компенсируется встречным диффузионным потоком дырок из коллектора. Ток коллектора быстро падает с уменьшением С/кэ I- Характеристикам с меньшим значением тока /в = const соответствуют менее отрицательные значения напряжения U-вэ, поэтому переход в режим насыщения происходит при меньших величинах ?/кэ-

Процесс включения осуществляется скачкообразным уменьшением отрицательного напряжения входного генератора до нуля (полевой режим) либо форсированным изменением Е1Ы до некоторого положительного уровня E+iN, обеспечивающего режим входного тока затвора (биполярный режим):