Уменьшения удельного

В качестве искусственных заземлителей рекомендуется применять вертикальные стальные трубы либо горизонтально проложенные стальные полосы. Стальные трубы диаметром 38— 50 мм, длиной 2—3 м и толщиной стенок не менее 3,5 мм забивают в землю на глубину от поверхности земли до верхнего конца трубы 0,5—0,8 м. Для уменьшения взаимного экранирования труб их следует располагать на расстоянии друг от друга не менее одной длины трубы. Вместо труб допускается использовать круглую сталь диаметром не менее 25 мм или угловую сталь 20X20x3 мм.

В качестве искусственных заземлителей рекомендуется применять вертикальные стальные трубы либо горизонтально проложенные стальные полосы. Стальные трубы диаметром 38—50 мм, длиной 2—3 м и толщиной стенок не менее 3,5 мм забивают в землю на глубину от поверхности земли до верхнего конца трубы 0,5—0,8 м. Для уменьшения взаимного экранирования труб их следует располагать на расстоянии друг от друга не менее одной длины трубы. Вместо труб допускается использовать круглую сталь диаметром не менее 25 мм или угловую сталь 20X20X3 мм.

узлов, в частности, запоминающих устройств в целях уменьшения взаимного влияния адресных и разрядных цепей накопителей рекомендуется размещать их во взаимно перпендикулярном положении и по возможности разносить. Для повышения быстродействия ЭВМ в разрядных цепях ОЗУ предусматриваются наикратчайшие связи, а усилители воспроизведения и предварительные усилители в ПЗУ компонуют в непосредственной близости к накопителям.

Обогрев химических реакторов. При обогреве химических реакторов (Т = 100—400 С) важна малая тепловая инерция индукционного способа и возможность равномерного нагрева больших поверхностей. Особенно эффективен индукционный обогрев при температурах свыше 200—250 °С. Емкости реакторов достигают десятков кубометров, давления— 10 МПа (автоклавы). Мощность системы обогрева достигает 300 кВт, частота 50 Гц. Удельные мощности обычно не превышают 10 Вт/см2. Дальнейшего увеличения мощности без сильного насыщения стали можно достичь, покрывая стенку реактора тонким слоем меди. При этом получается двухслойная среда (см. гл. 3) и напряженность магнитного поля на границе слоев падает. Одновременно возрастает коэффициент мощности устройства. Активное сопротивление и КПД незначительно снижаются. Индукторы часто секционируются для создания автономных температурных зон, регулируемых по сигналам от термопар ( 13-9). Для уменьшения взаимного влияния секции разделяются магнитными фланцами 4. Секционирование позволяет также равномерно загрузить фазы сети. Обмотки 3 делают многослойными из прямоугольного провода с теплостойкой изоляцией. Тепловая изоляция 2 может прокладываться как между корпусом реактора / и обмотками 3, так и снаружи для обеспечения допустимой температуры электроизоляции.

Известно применение метода перекрестных связей для уменьшения взаимного влияния компонент в че-тырехкомпонентных аэродинамических весах с упругими элементами и тензодатчиками. При этом удается примерно на порядок уменьшить взаимное влияние компонент.

Здесь суммируются токи с одинаковых источников токов /ь .-., In с бесконечными или достаточно большими внутренними сопротивлениями. Это необходимо для уменьшения взаимного влияния цепей. Старший разряд расположен справа.

Для уменьшения взаимного влияния горизонтально и вертикально отклоняющих пластин между ними устанавливают электростатические экраны. Такие же экраны устанавливают на входе и выходе отклоняющей системы.

Схемы реле на выпрямленных токах. Выполненная в соответствии с 6-11, а симметричная схема с циркулирующими токами приведена на 6-12, а (например, [Л. 31]). В ней производится .сравнение выпрямленного рабочего тока /рабй. определяемого /1В + /пв, с тормозным током /торм(/, пропорциональным Ав —А!В- Реагирующим элементом РЭ может быть направленное, например, магнитоэлектрическое реле или полупроводниковый нуль-индикатор. Промежуточные ТТ 1 и 2 разделяют цепи рабочей и тормозной систем. Резисторами 5, 6 устанавливаются торможение и минимальный ток срабатывания; резистор 7 служит для уменьшения взаимного влияния цепей тормозной и рабочей частей.

Измеренное относительное снижение сопротивления контура из более длинных электродов длиной 4=8 м как в стационарном (Rs/Ru), так и в импульсном (zs/z2) режимах является следствием уменьшения взаимного влияния электродов и следовательно лучшего их использования при увеличенном отношении lB[dB и меньшем их числе. Снижение отношения 28/22=0,8 по сравнению с отношением i?8/^2=0,9 говорит о том, что в импульсном режиме взаимное влияние электродов с /=8 м по сравнению с электродами с 1=2 м сказывается меньше, чем в стационарном режиме.

Преобразование по второй (или более высокой) гармонике гетеродина иногда применяется в бло'ках УКВ для уменьшения проникания напряжения гетеродина в цепь антенны, и в приемниках с совмещенным преобразователем частоты на KB для уменьшения взаимного влияния настроек входного и гетеродинного контуров.

Для уменьшения взаимного влияния полей обеих пар отклоняющих пластин между ними устанавливаются экраны, соединенные со вторым анодом. Такие же экраны целесообразно устанавливать

В жидкокристаллических индикаторах используется внешняя световая энергия, а следовательно, они отличаются очень малым расходом электрической энергии. Жидкокристаллическое состояние вещества характеризуется сочетанием свойств жидкости и кристалла, что возможно в некотором интервале между температурами кристаллизации и превращения вещества в однородную прозрачную жидкость. Для индикаторных приборов используют органические соединения с сильно вытянутыми (нитевидными) молекулами. Таким молекулам свойственна ориентация в одном направлении, которое легко изменяется под влиянием внешних воздействий. Для уменьшения удельного сопротивления в состав жидких кристаллов вводят примеси, при диссоциации которых возникают свободные ионы.

При погружении в воду сопротивление тела человека значительно снижается вследствие увеличения поверхности соприкосновения тела с проводящей средой и уменьшения удельного сопротивления кожи,

Из (8-23) следует, что срок службы бумажно-масляной изоляции может быть увеличен за счет уменьшения удельного газовыделения у, которое сильно зависит от химического состава масла. Для обычных масел у = (2 -г- 8)-10~4 см3/Дж. Сейчас созданы специальные, так называемые газостойкие масла, у которых удельное газовыделение снижено в несколько раз путем добавления ароматических углеводородов. К числу жидких диэлектриков, обладающих высокой газостойкостью, принадлежат также хлорированные дифенилы, используемые для пропитки бумажной изоляции силовых конденсаторов.

В жидкокристаллических индикаторах используется внешняя световая энергия, а значит они отличаются очень малым расходом электрической энергии. Жидкокристаллическое состояние1 вещества характеризуется сочетанием свойств жидкости и кристалла, что возможно в некотором интервале между температурами кристаллизации и превращения вещества в однородную прозрачную жидкость. Для индикаторных приборов используют органические соединения с сильно вытянутыми (нитевидными) молекулами. Таким молекулам свойственна ориентация в одном направлении, которое легко изменяется под влиянием внешних воздействий. Для уменьшения удельного сопротивления в состав жидких кристаллов вводят примеси, при диссоциации которых образуются свободные ионы.

К криогенным температурам относят температуры в пределах 20...О К. Известно, что сопротивление любого металла при понижении температуры падает. Однако в некоторых металлах и сплавах, помимо такого нормального уменьшения удельного сопротивления, наблюдается и совершенно новое явление: при температуре около 20 К и ниже их сопротивление падает до нуля. Такие материалы называются сверхпроводниками. В настоящее время сверхпроводимость удалось обнаружить примерно у двадцати элементов (в частности, свинца, ртути, алюминия, теллура), многих металлических сплавов (сплава свинца с золотом), а также у других соединений, содержащих неметаллы (сульфида, меди, карбида, молибдена и др.). Если в кольцо из сверхпроводящего материала ввести ток, то он будет присутствовать в нем очень долго (в течение многих месяцев и даже лет). Это объясняется тем, что электроны проходят через материал, находящийся в сверхпроводящем состоянии, без потерь энергии.

Здесь (будДт)отк, (ЬудДт)—произведения удельного расхода топлива на его стоимость соответственно отключаемого и догружаемого энергоблоков; ВпДт — пусковой перерасход топлива и его стоимость с учетом затрат на доставку ТЭС; Ab3N3 — экономия от уменьшения удельного расхода топлива на догружаемых блоках, нагрузка которых составляла N3.

Рост производительности труда в энергетике обеспечивается за счет уменьшения удельного количества эксплуатационного и ремонтного персонала, причем численность последнего составляет около 60% общей численности промышленно-производственного персонала, обслуживающего электростанции. Развитие и повышение эффективности производственной базы энергоремонта, переход на бригадный метод организации и оплаты труда на ремонте, а также на заводской способ ремонта транспортабельного оборудования, узлов и деталей, повышение механо'вооруженности рабочего-ремонтника, увеличение выпуска средств 'малой механизации, разработка и внедрение проектов комплексной механизации ремонтных работ-—все это будет способствовать значительному повышению производительности труда ремонтного персонала.

Выращивание из расплава проводят или при радиационном нагреве тигля ( 38) или при комбинированном радиационном и индукционном нагреве ( 39). В последнем случае радиационный нагрев является предварительным, необходимым для уменьшения удельного сопротивления шихты до значения, обеспечивающего дальнейший разогрев индуктором. В обоих случаях в качестве источника излучения используют ксеноновые дуговые лампы сверхвысокого давления мощностью до 10 кВт.

Для уменьшения удельного сопротивления поликремниевых участков затвора осуществляется их легирование примесью бора или фосфора в зависимости от типа проводимости в канале. Такое легирование проводится одновременно с формированием областей стоков и истоков транзисторов. На 1.8,г показано поочередное нанесение слоев SiO2 из кремнийорганических соединений (п- и p-SiO2) с последующим формированием областей стоков и истоков МДП-транзисторов обеих типов проводимости. Как видно из этого рисунка, в процессе формирования этих областей, в качестве маски используются участки поликремния, выполняющие роль затворов МДП-транзисторов. В результате обеспечивается самосовмещение границ затвора и областей стока и истока.' Отметим, что использование алюминия в качестве затвора и маски для обеспечения самосовмещения оказывается невозможным, так как его температура плавления ниже температуры легирования кремния примесями на стадии разгонки.

тока, Rch — сопротивление канала, Ra — сопротивление участков эпитакси-ального слоя (в \/МДП- и имДП-структурах такие участки практически отсутствуют), Rsub — сопротивление исходной подложки. Для высоковольтных МДП-транзисторов наибольший вклад (~95%) вносит сопротивление эпи-таксиального слоя. Для низковольтных приборов сопротивление канала почти равномерно распределено между Rch и Яер (для иМДП-структур) или между Rch, Ra и Repi (для горизонтальных ОМДП-структур). Представленные данные показывают, что в высоковольтных МДП-структурах необходимо компромиссное решение между желанием повысить пробивное напряжение и снизить прямые потери. Пробивное напряжение повышается с увеличением размеров (главным образом длины) эпитаксиального л"-слоя. В то же время сопротивление Repi возрастает пропорционально напряжению пробоя в степени 2.5...2.7. С расширением гГ-слоя увеличивается также время пролета носителей от истока к стоку, что следует учитывать в транзисторах высокочастотного применения. Данные ограничения не позволяют высоковольтным МДП-структурам иметь преимущества по остаточным напряжениям перед биполярными транзисторами при заданном уровне прямого тока. Омический характер сопротивления открытого канала приводит к положительному температурному коэффициенту прямого падения напряжения. Это свойство способствует более равномерному распределению плотности протекающего через структуру тока и повышает ее теплоустойчивость. Однако в высоковольтных структурах с высоким удельным сопротивлением следует очень осторожно относиться к повышению температуры. При постоянном токе увеличение омического сопротивления с ростом температуры приводит к еще большему рассеиванию мощности, а значит, к новому повышению температуры структуры и т.д. Если процесс становится неконтролируемым, возникает явление теплового пробоя, очень похожее на эффект вторичного пробоя в биполярном транзисторе. Для уменьшения удельного сопротивления канала в высоковольтных структурах увеличивают число параллельных базовых ячеек. Однако это увеличивает размеры кристалла и повышает его стоимость.

Для покрытий толщиной до 0,1 мм проводимость снижается в 8—10 раз. Для толстых покрытий удельное электрическое сопротивление составляет (в мком-см): для меди 4,5, для алюминия 10, для латуни Л62 13,8. Для уменьшения удельного сопротивления токонесущих поверхностей предварительно наносят на форму гальваническим методом тонкий (2—3 мкм) слой серебра или создается защитная среда в зоне распыления. При этом частицы металла не окисляются и удельное сопротивление покрытия возрастает не более чем в 0,5—1,5 раза. Разбрызгивание ведется струей аргона или азота. Этот способ более прост и производителен, чем нанесение подслоя серебра гальваническим путем. Применение защитной среды целесообразно лишь на первом этапе нанесения покрытия — при получении слоя толщиной 3~5 мкм. Последующие слои, не являющиеся токонесущими, можно наносить по общей методике.

За последние годы в мировой электроэнергетике наметилась тенденция уменьшения удельного веса гидроэлектростанций. В будущем ГЭС будут переведены на обеспечение неравномерных нагрузок, передавая основную нагрузку тепловым и особенно атомным электростанциям (см. цветные вклейки).