Уменьшения потребляемой

Знаки напряжений и токов. Предположим, что потенциал ф? узла 7 оказался выше потенциала фа узла 6. В этом случае напряжение « = ф7—ф6 положительно, что принято отмечать на принципиальной схеме цепи одним из двух способов: 1) поставив знак «плюс» около узла 7; 2) изобразив стрелку, направленную от «плюса» к «минусу», т. е. в сторону уменьшения потенциала.

совпадает с характеристикой диодного тиристора (непрерывная линия на 6.2). При /у>0 отпирание тиристора происходит при меньших напряжениях включения (штриховая линия на 6.2). Из открытого в закрытое состояние тиристоэ приводится путем ограничения тока анода до /а
Емкость ключа С увеличивает время переключения ключа и, следовательно, влияет на форму выходного импульса с/Вых (см. 12.10, б). При разомкнутом ключе емкость заряжена до своего максимального значения Uc= UttaKC = E. Если ключ замкнуть; емкость начинает разряжаться по экспоненциальному закону с постоянной времени т3 = Сг3. С такой же постоянной времени по мере уменьшения потенциала на обкладках конденсатора увеличивается ток через /?„ и одновременно увеличивается выходное напряжение (/„ых- Возрастание выходного напряжения происходит по экспоненциальному закону

чениях анодного напряжения с/а в качестве параметра. При повышении потенциала анода сеточные характеристики смешаются в сторону уменьшения потенциала сетки.

.тока диода на резисторе R1 оказывается достаточным для уменьшения потенциала базы транзистора до уровня, соответствующего закрытому состоянию транзистора. Для повышения помехоустойчивости схемы между входными диодами и базой транзистора включается диод смещения Дсм. Транзистор отпирается только тогда, когда одновременно запираются все входные диоды Д1, Д2, ДЗ.

уменьшения потенциала анода до значения ниже потенциала потухания разряда в приборе (сравнить с тиристором — § 4.9).

Е — — 37000 В/м. Знак минус указывает на то, что вектор напряженности поля направлен к оси цилиндров, в сторону уменьшения потенциала точек поля.

При токе управления /у = 0 характеристика триодного тиристора совпадает с характеристикой диодного тиристора (непрерывная линия на 6.2). При /у > О отпирание тиристора происходит при меньших напряжениях включения (штриховая линия на 6.2). Из открытого состояния в закрытое тиристор переводится в результате ограничения тока анода до /а < 1УЛ. Этого можно достичь за счет уменьшения потенциала внешнего питающего на-

довательно, влияет на форму выходного импульса 1/вых ( 12.6, б). В разомкнутом состоянии ключ как конденсатор заряжен до максимального значения Uc = Um^ - Е. Если ключ замкнуть, то емкость начинает разряжаться по экспоненциальному закону с постоянной времени х3 = Сг3. С такой же постоянной времени по мере уменьшения потенциала на обкладках конденсатора увеличивается ток через RH и одновременно увеличивается выходное напряжение UBUX. Возрастание выходного напряжения происходит по экспоненциальному закону

Принцип действия защитного заземления заключается в снижении до безопасных значений напряжений прикосновения и шага, обусловленных замыканием на корпус, что достигается за счет уменьшения потенциала заземленного оборудования (при уменьшении сопротивления заземляющего устройства), а также за счет выравнивания потенциалов основания, на котором стоит человек, и заземленного оборудования.

Свойства триода можно вполне определить, задавая кривые зависимости анодного тока га от напряжения сетки ?/с при различных значениях напряжения на аноде Ua в качестве параметра. Такие кривые называют сеточными характеристиками триода; они приведены на 337. Из этих кривых видно, что одно и то же значение га можно получить при разных значениях напряжения f/c. Чем выше потенциал анода f/a, тем ниже должен быть потенциал сетки ?/с для получения одного и того же тока; или, иначе, при повышении потенциала анода сеточные характеристики смещаются в сторону уменьшения потенциала сетки. Величина

Существующие в настоящее время схемотехнические решения направлены на повышение быстродействия, помехоустойчивости, уменьшения потребляемой мощности и улучшения других эксплуатационных характеристик и параметров базовых элементов ИМС.

Развитие ТВ приемных трубок идет по пути совершенствования их электрических и светотехнических характеристик, увеличения яркости и контрастности экранов, снижения апертурных искажений и дефектов электронной оптики, уменьшения потребляемой мощности, увеличения надежности и срока службы и т. д. С этой целью ведутся разработки более эффективных люминофоров, совершенствуется конструкция трубок и технология их производства. Для массовых кинескопов одной из основных задач является максимальное уменьшение габаритов при сохранении (или увеличении)размеров экрана.

15.6. Для повышения коэффициента мощности и уменьшения потребляемой из питающей сети реактивной мощности предусмотрена ее компенсация с применением косинусных конденсаторов. Среднее расчетное значение фактического cos ф„ = = cos (ftp = 0,76 установки. Средняя суммарная активная мощность потребителей электроэнергии предприятия Рср = 2 Ps = = 31 1,14 кВт, линейное напряжение питающей сети U\a — = 380 В. Определить емкость С и тип конденсаторов, необходимых для подключения к питающей сети с целью повышения коэффициента мощности до оптимального значения, заданного энергосистемой: cos ф. = 0,92 (tg фа = 0,43). Составить электрическую схему включения конденсаторов С и разрядных сопротивлений /?р.

Развитие элементной базы электронной техники в настоящее время идет по пути уменьшения потребляемой мощности и стоимости, повышения быстродействия и надежности электронных систем. Функциональная сложность и степень интеграции ИМС все время повышаются. Малые ИМС первой и второй степеней интеграции (10—100 элементов на кристалле) вытесняются средними (2—3-й степени интеграции) и большими (3—4-й степени интеграции) ИМС. БИС рассматриваются как элементная база для построения ЭВМ четвертого поколения, где они будут составлять 90—98 % всего количества элементов, Основой элементной базы для ЭВМ являются микропроцессорные схемы и схемы памяти, которые реализуют функции основных узлов ЭВМ: арифметически-логического управления, ОЗУ, ПЗУ, ППЗУ, интерфейса.

Наряду с этим мощность, потребляемая элементом ЭСЛ, в 3...5 раз выше, чем МЭСЛ, так как дополнительная мощность потребляется эмиттерными повторителями и элемент ЭСЛ используется при большем напряжении питания (/„.„ = —(4...5) В. Для уменьшения потребляемой мощности эмиттерные повторители могут подключаться к источнику питания с меньшим напряжением, например —2 В При заданной мощности элемента ЭСЛ можно перераспределять ее между переключателем тока Рп>т и эмиттерными повторителями Рэ „ изменяя отношение сопротивлений RK/R».a. При этом, как показываю! расчеты и измерения, существуют оптимальные отношения указанных сопротивлений (RK/_R^oar =-- (0,1...0,15) 1/СусГ и мощностей ("п.т'/'э.пЬпт « 2 1/Cj/C.j, при которых обеспечивается наименьшая средняя задержка. Здесь С, — емкость между базой транзистора и общей шиной, С2 — выходная емкость ЛЭ.

Схемы обслуживания создают на основе элементов ТТЛ, ЭСЛ, на л-канальных и комплементарных МДП-транзисторах. В последние годы для повышения быстродействия и уменьшения потребляемой мощности в схемах обслуживания начали использовать сочетание ЛЭ на биполярных и КМДП-транзисторах (Би-КМДП схемы).

Возможность одновременного уменьшения потребляемой мощности и внутреннего сопротивления ограничивается условием (3.139). Зная произведение этих величин по (3.139), можно разбить его на два множителя 5ПОтр и ZBS в соответствии с предъявляемыми требованиями. После этого значение Хс может быть найдено из (3.135) или (3.137) для схемы 3.1, аи из (3.136) или (3.138) для схемы 3.1, б. Сопротивление R определяется по (3.134).

Выражение (3.152) аналогично (3.139) и ограничивает возможности одновременного уменьшения потребляемой мощности и увеличения внутреннего сопротивления. Зная отношение этих величин по (3.152), можно выбрать значения их в соответствии с поставленными требованиями. -После этого значение Ят, -Хс может быть найдено из (3.150) или (3.151).

Для уменьшения потребляемой триггером мощности часто приходится выбирать сопротивления Rc или RK несколько больше оптимальных. В триггерах на униполярных транзисторах при увеличении Re в 1,5 ... 2 раза (по сравнению с его оптимальной величиной Rc опт) быстродействие уменьшается в 1,3 ... 1,5 раза. Триггер на биполярных транзисторах менее чувствителен к изменениям /?„. При увеличении RH в 2 ... 3 раза по сравнению с оптимальной величиной /?„ ОП1 быстродействие триггера уменьшается всего в 1,2 ... 1,4 раза.

ИМС являются общими для транзисторов с каналами п- и р-типов. В стационарном режиме потребляемая мощность изготовленного таким образом ключа не превышает 10—20 нВт. Для уменьшения потребляемой мощности в момент переключения напряжение питания выбирают несколько меньше суммы пороговых напряжений транзисторов с каналами п- и р-типов. Применение поликристаллических кремниевых затворов приводит к уменьшению порогового напряжения этих транзисторов до 0,5—0,9 В.

Для уменьшения потребляемой реактивной мощности необходимо разработать специальные вентильные электроприводы.