Уменьшения погрешностейИсточником примесей, отрицательно влияющих на полупроводники, могут служить непрореагировавшие отверди-тель и компоненты, из которых синтезируются эпоксидные смолы (например, эпихлоргидрин). Влияние антигидридных многофункциональных отвердителей, например, четырех-функциональных кьслот, значительно меньше, чем амин-ных из-за уменьшения подвижности ионов благодаря высокой степени структурирования полимера.
где b — ширина канала. Здесь длина затвора L3 играет роль эффективной длины канала. Благодаря более высокой подвижности электронов \in обеспечиваются большие, чем в кремниевых МДП-транзисторах, значения крутизны при тех же размерах. В отличие от кремния для арсенида галлия характерна меньшая критическая напряженность поля (около 3-Ю3 В/см), при которой дрейфовая скорость достигает насыщения. Поэтому в арсенид-галлиевых МЕП-транзисторах эффект сильного поля (см. гл. 4) проявляется при большей длине канала и меньшем напряжении на стоке, чем в кремниевых МДП-транзисторах. В этом случае вследствие уменьшения подвижности с ростом напряженности поля реальное значение крутизны получается ниже, чем следует из (5.2).
Действительно, при нагревании металлов наблюдается рост удельного сопротивления и сопротивления всего провода. При нагревании электролитов и угля, кроме уменьшения подвижности Ь, увеличивается концентрация электронов п. В результате, несмотря на уменьшение Ь, удельное сопротивление этих проводников при нагревании не растет, а уменьшается.
электронами с энергией около 1 МэВ проводимость уменьшается. Это связано с уменьшением концентрации носителей заряда в связи с компенсацией. Когда концентрация образованных облучением акцепторных дефектов равна концентрации основных носителей заряда (электронов), наблюдается минимум проводимости. Дальнейшее облучение обусловливает возрастание концентрации дырок и увеличение проводимости ( 9.30). Необходимо отметить, что возникновение дополнительных акцепторных примесей в кристалле приводит к уменьшению подвижности носителей. Однако относительное уменьшение проводимости из-за уменьшения подвижности значительно меньше увеличения проводимости из-за изменения концентрации дырок. После облучения германия р-типа электронами высокой энергии его проводимость возрастает.
Сопротивление базы диода увеличивается в поперечном магнитном поле в результате уменьшения подвижности основных и неосновных носителей заряда, как и в обычном магниторезисторе. Увеличение сопротивления базы диода с толстой базой может быть связано также с уменьшением времени жизни неосновных носителей, если из-за искривления траектории движения неосновные носители будут достигать поверхности базовой области, где велика скорость их рекомбинации.
pax из-за уменьшения подвижности носителей заряда в канале при больших напряжениях на затворе стокозатворная ВАХ аппроксимируется линейной зависимостью (а не квадратичной, как в маломощных транзисторах) [(см. (4.27)]:
отражающий снижение тока из-за уменьшения подвижности. Здесь 9 = 0,03-=-0,05 В"1 является параметром модели. Наконец, сопротивления областей истока и стока при моделировании учитывают, включая резисторы в выводы истока и стока подобно тому, как это делалось при моделировании биполярных транзисторов.
кабеля с контактными деталями, т. е. механическую заделку без повреждения контактов, пайку, обеспечивающую требуемый прогрев без повреждения изоляционной колодки, и возможность очистки промежутков между контактами от флюса и других загрязнений. Наиболее уязвимыми местами являются соединительные узлы, образующиеся между контактами и проводами. Подвижность кабеля, а следовательно, и его жил в местах резких переходов жесткости (гибкий проводник, его относительно жесткая луженая часть и жесткий контакт) вызывает большие механические напряжения в переходных местах, приводящие к излому жил. Для уменьшения подвижности жил кабеля в месте их пайки с контактами прибегают к специальной обработке концов кабеля, а именно обмотке лентами, крепежными деталями и т. п. Для обеспечения неподвижности жил кабеля в местах соединения с контактами обработанный конец кабеля жестко фиксируется с базовыми (корпусными) деталями соединителя накидной гайкой.
фа из-за уменьшения подвижности электронов, т. е. появлением: участка АВ с отрицательной дифференциальной подвижностью. После перехода в верхний минимум подавляющего большинства-электронов дальнейшее увеличение %> будет сопровождаться пропорциональным ростом дрейфовой скорости: уд = и2 '? (участок ВС). Появление у арсенида галлия участка с отрицательной дифференциальной подвижностью позволяет конструировать на основе эффекта Ганна генераторы СВЧ колебаний; сам полупроводниковый прибор, основанный на этом эффекте, называют диодом Ганна.
употреблением В1С13 приходится предварительно очищать от примеси В1СЮ. Соединения BiBr3, BiJ3 менее гигроскопичны, однако употребляются реже, потому что до недавнего времени считалось, что сечение рассеяния электронов на хлоре меньше сечения рассеяния на броме и йоде, поэтому рекомендовалось в качестве легирующей примеси вводить хлор, чтобы не уменьшать подвижность электронов. По всей вероятности, это не совсем так. Сейчас успешно легируют и бромом, и йодом при выращивании кристаллов методом Чохральско-го, не наблюдая при этом уменьшения подвижности. В некоторых случаях используют введение инородных атомов посредством легирования HgaCb, CdCl3. Такое легирование, разумеется, несколько ухудшает свойства термоэлектрических материалов, однако технологические преимущества иногда перевешивают это обстоятельство. При легировании можно использовать и более стойкие соединения, например BinSei2Clio, которое устойчиво на воздухе и допускает длительное хранение. Данное соединение не содержит чужеродных примесей и удобно в применении. Единственным недостатком является то, что его приходится синтезировать самим производителям, а синтез довольно сложен.
В общем случае инерционность фотодиодов определяется тремя процессами: временем диффузии или дрейфа неравновесных носителей через базу (тд), временем их пролета через область объемного заряда р — п-пере-хода (п) и постоянной времени цепи RC (тдС). Значение тд определяется из (4.7). Время т,- равно т;= —d/vmax, где umax — максимальная скорость движения носителей заряда; d — ширина области объемного заряда. При больших полях Umax не зависит от напряженности электрического поля из-за уменьшения подвижности в сильных полях. В германии и кремнии vmaxx ж5-106 см/с, значение d зависит от обратного напряжения и концентрации основных носителей в базе и обычно меньше 5 мкм. Следовательно, t,»10-10 с.
Сердечники ферродинамических приборов выполняют из пластин магнитно-мягких электротехнических сталей и пермаллоев. Пластины изолируют друг от друга для уменьшения погрешностей от вихревых токов. Подвижные катушки выполняют без каркасов из металла. В большинстве случаев применяют магнитоиндукционные успокоители. Магнитопровод из магнитно-мягких материалов надежно защищает механизм от влияния внешних магнитных полей.
Для уменьшения погрешностей тока и напряжения трансформаторов тока и напряжения соответственно применяют витковую коррекцию. Для этого уменьшают числа вторичных витков у трансформатора тока и первичных витков у трансформатора напряжения. При наличии витковой коррекции Д погрешность тока и погрешность напряжения определяется по следующим формулам:
Погрешности 6i и 82 можно свести к величине порядка 0,5% в случае применения в качестве R2, R4 и R7 резисторов типа ПТМН (см. табл. 4.3). Для уменьшения погрешностей бз и и* можно использовать полистирольные металлопленочные конденсаторы типов МПГО и МПГП, сопротивление изоляции которых составляет 104МОм-мкФ, а температурный коэффициент емкости (ТКЕ) меньше 200 • 10~6' на 1°С. Наконец, для снижения погрешности й$ желательно выбрать уровень Ucp как можно выше. Однако значение UCp должно быть меньше допустимого дифференциального входного напряжения операционного усилителя.
Для выполнения этих требований при создании микромашины в ряде случаев приходится отступать от принципов оптимального проектирования, принятых для машин средней и большой мощности. Так, например, для уменьшения погрешностей в информационных электрических микромашинах выбирают относительно небольшие электромагнитные нагрузки и увеличивают воздушный зазор между статором и ротором. В исполнительных двигателях и других микромашинах, выполняющих силовые функции, для увеличения развиваемого машиной момента электромагнитные нагрузки выбирают максимально возможными по условиям отвода тепла от машины. Все это приводит к ухудшению энергетических показателей — КПД и коэффициента мощности, которые весьма важны для электрических машин средней и большой мощности, однако в микромашинах из-за малой мощности энергетические показатели не имеют большого значения.
Для уменьшения погрешностей Аи»/о и 6U сопротивления обмоток трансформатора гг и 22 делают по возможности малыми, а магнитопро-
Разделение погрешности на аддитивную и мультипликативную составляющие удобно при выборе методов коррекции (уменьшения) погрешностей в тех случ;» х, когда допустимо предположение о линейном характере выполняемых при измерениях преобразований.
В практике измерений для целей улучшения точностных характеристик ИП чаще всего используется запас по чувствительности, быстродействию и энергообмену с объектом измерения. Однако наличие этого запаса не решает автоматически задачу уменьшения погрешностей. Необходимо практически реализо-r-ать эту возможность по отношению к конкретным составляющим погрешности.
Весьма широко для уменьшения погрешностей ИП применяются способы ст 1билизации, компенсации и коррекции погрешности. Ниже рассмотрены основное характеристики указанных способов,
В заключение отметим недостатки этого способа уменьшения погрешностей:
6.1. Классификация методов уменьшения погрешностей ..... 118
Следует отметить, что в случае, когда ТКС отдельных резисторов различны или резисторы находятся в неодинаковых температурных условиях, могут возникать значительные температурные погрешности. С целью уменьшения погрешностей необходимо подбирать резисторы с одинаковыми ТКС и обеспечивать такие условия, при которых температуры обоих резисторов были бы одинаковыми. Наилучшим образом эти условия удовлетворяются в печатных резистивных делителях, погрешность которых может быть сведена до 0,0005%.
Похожие определения:
Уменьшения радиопомех
Уменьшения выходного
Уменьшением количества
Уменьшением температуры
Уменьшение количества
Уменьшение погрешности
Учитывается необходимость
|