Уменьшения магнитных

6.86. В полупроводниковом кристалле под действием света образуется равномерно распределенная избыточная концентрация носителей заряда А«. Равновесная концентрация неосновных носителей заряда составляет 2,5 X X Ю20 м~3, а начальная скорость уменьшения концентрации^ равна 2,8- Ю24 с~'. Определить: а) время жизни неосновных носителей заряда; б) значение An через 2 мс после выключения источника света.

Начальная скорость уменьшения концентрации определяется из (2), если положить /=0, т. е.

После прекращения прямого тока неравновесный заряд не-может исчезнуть мгновенно ( 20, б), и в первый момент наблюдается резкое увеличение обратного тока, протекающего через диод. Только после уменьшения концентрации дырок в базе как за счет рекомбинации, так и за счет ухода через р—-«-переход обратный ток восстановится до нормальных значений /обр,-что произойдет через время тв ( 20, в). Это явление связано-со спецификой работы р—л-перехода и представляет собой проявление так называемого эффекта накопления.

Знак минус в выражении (5.4) указывает, что диффузионный перенос вещества происходит в направлении уменьшения концентрации примеси.

Коэффициент диффузии равен числу носителей заряда, диффундирующих за одну секунду через единичную площадку при единичном градиенте концентрации. Знак «минус» в формуле означает, что диффузия происходит в направлении уменьшения концентрации, а так как дырки имеют положительный заряд, то диффузионный ток будет положительным при dp/dx
Скорость уменьшения концентрации неравновесных носителей заряда —

Знак минус перед четвертым слагаемым означает, что диффузия происходит в направлении уменьшения концентрации, а поскольку дырки несут положительный заряд, то диффузионный

Таким образом, для уменьшения паразитной связи через подложку необходимо: совершенствовать технологию получения материала для полуизолирующих подложек с целью более точной компенсации примесей и уменьшения концентрации дефектов, приводящих к образованию отрицательных ионов в области 4 (см. 5.6); уменьшать амплитуду изменения напряжения на электродах элементов микросхемы, например, за счет снижения напряжения питания; использовать элементы, менее чувствительные к влиянию бокового затвора; выбирать достаточно большие расстояния между критическими электродами соседних элементов при проектировании топологии микросхемы.

вают защитным слоем бескислородных соединений, например нитридом кремния. Однако технология таких покрытий пока разработана недостаточно. Поэтому существующие способы уменьшения концентрации 'кислорода в монокристаллическом кремнии сводятся в основном к уменьшению движения расплава относительно стенок кварцевого тигля, определяющего в соответствии с уравнением Нернс-та [см. уравнение (4.5)] массоперенос оксида кремния (II) от стенок тигля в глубь расплава. Для подавления движения расплава вблизи стенок тигля на него с помощью постоянных магнитов накладывают магнитное поле, равное —0,2Т. В таких условиях были получены монокристаллы кремния с концентрацией кислорода около 2-Ю17 атом/см3, сравнимой с концентрацией кислорода, обычно получаемой в монокристаллах, выращиваемых методом бестигельной зонной плавки.

Поэтому основной способ уменьшения загрязнения эпитаксиальных слоев арсенида галлия кремнием — повышение парциального давления хлороводорода в реакторе, сдвигающее реакцию (6.35) в обратном направлении. Зависимость концентрации носителей заряда в эпитаксиаль-ном слое арсенида галлия от парциального давления хлорида мышьяка (III), генерирующего хлороводород по реакции (6.29), приведена на 6.21, Другой возможный способ уменьшения концентрации кремния — введение в реактор паров воды, тормозящих развитие реакции (6.34). Однако увеличение парциального давления паров воды свыше 10~4 МПа приводит к резкому увеличению удельного сопротивления эпитаксиальных слоев арсенида галлия, т.е. к превращению его в полуизолирующий.

После уменьшения концентрации дырок в базе около р-я-перехода до нуля обратный ток начинает уменьшаться со временем, о чем свидетельствует уменьшение, градиента концентрации дырок около p-n-перехода ( 3.33, е). С течением времени все накопленные в базе дырки уходят через р-п-переход или рекомбинируют в базе диода, в результате чего обратный ток уменьшается до стационарного значения тока насыщения ( 3.33, г). В это время заканчивается восстановление обратного сопротивления диода.

Для уменьшения магнитных потерь, возникающих вследствие пульсирующего потока, магнитопровод изготовляют из штампованных пластин листовой электротехнической стали, т. е. шихтованным.

Для уменьшения магнитных потерь

Для уменьшения магнитных потерь

Для уменьшения магнитных потерь в машинз

Якорь коллекторного двигателя переменного тока идентичен якорю машины постоянного тока. Для уменьшения магнитных потерь вся магнитная система двигателя переменного тока, включая полюса и ярмо, набирается из изолированных листов электротехнической стали. Статор в большинстве случаев имеет неявнополюсное исполнение. Щетки коллекторного двигателя закрепляются жестко на геометрической нейтрали. С учетом выражений (XIII.19) и (XIV.2) вращающий момент двигателя

Для уменьшения магнитных потеоь

Для уменьшения магнитных потерь

Для уменьшения магнитных потерь в машине

ческая сталь разных марок толщиной листа 0,5 и 0,35 мм (марки Э41, Э42, Э44 — горячекатаная; Э310, Э320, ЭЗЗО — холоднокатаная сталь, ГОСТ 802—58). Из этой листовой стали штампуются или нарезаются ножницами пластины соответствующей формы, из которых и собирается сердечник трансформатора в виде пакета необходимой толщины. В целях уменьшения магнитных потерь в сердечнике трансформатора на гистерезис и вихревые токи от. пульсации переменного магнитного поля в нем отдельные пластины его изолируются друг от друга путем предварительного покрытия их тонким слоем изоляционного лака.

В целях уменьшения магнитных потерь на вихревые токи в стали статора отдельные листы его изолируют друг от друга специальной бумагой или лаком, как и в якоре машины постоянного тока. Собранный пакет статора с обмоткой закрепляют в металлическом корпусе. В круп» ных синхронных машинах этот корпус выполняют обычно сварным ив стальных листов необходимой толщины, и реже литым, а в малых машинах — из алюминия.

Для уменьшения магнитных потерь в етали магнитную систему универсального коллекторного двигателя выполняют шихтованной из листовой электротехнической стали. На полюсах магнитной системы этого двигателя помещаются две обмотки возбуждения ( 41.1). Одна обмотка с числом витков ш/ и зажимами 0 и со предназначена для работы двигателя от сети переменного тока. Другая обмотка с числом витков w"c включается дополнительно последовательно с пер-