Уменьшает количество

Отрицательная обратная связь уменьшает коэффициент усиления по напряжению, однако при этом увеличивается его стабильность

Положительная обратная связь часто приводит к самовозбуждению усилителя, т. е. к переходу его в генераторный режим. При этом переменное напряжение на выходе существует даже в отсутствие входного сигнала. Отрицательная обратная связь уменьшает коэффициент усиления, но одновременно повышает устойчивость работы усилителя. Поэтому она широко применяется в усилителях.

этой частоте усилитель считается безынерционным и учитывается только деление сигнала в цепи ОС. При увеличении частоты появляются дополнительные фазовые сдвиги в транзисторных каскадах, несколько падает их усиление. Звено /?б2Со.с со значительно большей постоянной времени на этих частотах практически не вносит переменного фазового сдвига, он и так весьма близок к 90°, но с ростом частоты пропорционально ему звено уменьшает коэффициент передачи. Необходима проверка, какова будет глубина ОС по петле на частоте, на которой суммарный фазовый сдвиг сделается равным 180° (каждый каскад внес дополнительный фазовый сдвиг в 30°) и связь станет положительной. Критическая величина глубины положительной ОС для транзисторного усилителя (/Стахр=1) будет при величине емкости, определяемой из следующего выражения:

Из (10.3) видно, что введение отрицательной обратной связи уменьшает коэффициент усиления, но при этом улучшаются все другие характеристики, что в ряде случаев значительно важнее. Чем больше произведение /ф, тем существеннее улучшаются характеристики устройства, поэтому в них и применяют схемы отрицательной обратной связи с К&^>\. Обычно устройствами с отрицательной обратной связью бывают различные усилители. Казалось бы, при этом усилитель с отрицательной обратной связью не может самовозбудиться, так как знаменатель выражения (10.3) положителен. Однако в реальных схемах всегда имеются реактивные элементы, которые создают дополнительные фазовые сдвиги. Если на какой-нибудь частоте в усилителе или в цепи обратной связи появится дополнительный фазовый сдвиг 180°, то это означает, что на этой частоте отрицательная обратная связь стала положительной, что может привести к самовозбуждению усилителя. Чаще всего такой фазовый сдвиг происходит или на очень низких, или на очень высоких частотах.

тока транзистора VT2 зависит от переменной составляющей эмит-терного тока транзистора VT.I, оказывается, что всегда /Э> /э2- Поэтому при одинаковых параметрах транзисторов VT1 и VT2 и одинаковых сопротивлениях резисторов RK\ и R& в схеме фазоинвертора на дифференциальном каскаде будет наблюдаться асимметрия (t/Bblxi > t/Bblx2). Для ее уменьшения необходимо увеличивать сопротивление резистора R3, что уменьшает коэффициент усиления фазоинвертора. Приходится идти на компромисс. При допустимой асимметрии может быть получен коэффициент усиления напряжения вдвое меньший, чем в обычном ^С-каскаде с таким же сопротивлением RK.

Как правило, маломощные усилители создаются для усиления напряжения. Для получения максимального усиления по напряжению, как следует из (2.10), надо обеспечить #вх»#г и /?вы*
ООС уменьшает коэффициент усиления, так как па входе усилителя действует не напряжение ивх, а меньшее значение ивх—woc. Поскольку в ОУ Ки очень велико, то из (2.23) при Ки-*-х получаем

Реактор в конце линии уменьшает коэффициент передачи (20-20). Преобразуем эту формулу, обозначив

Сравним эффект продольной и поперечной компенсации ( 20-8). Линия с поперечной компенсацией может быть представлена как линия с пониженной емкостью, а следовательно, с уменьшенной волновой длиной и повышенным волновым сопротивлением, что приводит к значительному повышению ее входного сопротивления. Линия с продольной емкостной компенсацией может быть представлена как линия с пониженной индуктивностью, что уменьшает одновременно и волновую длину, и волновое сопротивление. Поэтому продольная компенсация уменьшает коэффициент передачи, но приводит лишь к несущественному возра^ станию входного сопротивления. В то время как при полной компенсации емкостного тока входное сопротивление линии с реакторами равно бесконечности, при полной компенсации индуктивного сопротивления входное сопротивление линии равно ее емкостному сопротивлению 1/шС/. Если за УПК включены реакторы, то часть емкостного тока участка линии компенсируется индуктивным током реакторов и падение напряжения на емкости УПК уменьшается. В пределе при полной компенсации емкостного тока за УПК оно не оказывает никакого влияния на распределение напряжения и входное сопротивление линии.

Коллектор является общей точкой для входной и выходной цепей. При работе усилителя по переменному току коллектор заземлен через небольшое внутреннее сопротивление источника ?к. Напряжение 1/БЭ = == 17ВХ - R~>I3 — Un - (7ВЫХ управляет током транзистора, т. е. в схеме существует последовательная отрицательная ОС по напряжению, которая уменьшает коэффициент усиления, увеличивает входное сопротивление и уменьшает выходное сопротивление. При подаче на вход сигнала положительной (относительно заземленной точки) полярности токи транзистора уменьшаются, уменьшается падение напряжения на резисторе /?3 и, следовательно, 1/вых. Фаза усиливаемого сигнала не изменяется; R^ = dUeJdIfW (7ВХ > (Увых; ток базы мал; входное сопротивление велико и достигает единиц - десятков килоом: Явых = == dUKbJd!,tm.

При последовательной ОС коэффициент усиления тока определяется выражением (2-12). Это связано с тем, что при неизменном входном токе создаются условия, адекватные работе усилителя от источника сигнала с бесконечно большим внутренним сопротивлением, при котором эффект ОС не проявляется. Значит, этот вид ОС не оказывает влияния на коэффициент передачи тока. Что касается других параметров усилителя с отрицательной последовательной ОС по току, то, как следует из (2.17) — (2.19), отрицательная ОС уменьшает коэффициент передачи напряжения в F раз, а входное

Применение магистральных схем позволяет сократить число ячеек на ЦП или на ГПП, так как одна линия питает несколько потребителей. Это уменьшает количество аппаратуры и проводов. Сети требуют меньших затрат на сооружение по сравнению с радиальными. В связи с тенденцией внедрения глубокого ввода напряжений выше 1 000 В непосредственно в район расположения приемников энергии (к двигателям погружных насо-

Обмен по шине осуществляется асинхронно: байтами, 16- или 32-разрядными словами. Для передач адресов и данных используются 32 мультиплексированные (т. е. с использованием одних и тех же линий для передачи в различные временные интервалы разных типов информации, например адресов данных) двунаправленные линии при общем числе линий 47. Из них: 6 линий служат для реализации приоритетного арбитража, 9 линий — для управления. Мультиплексирование линий уменьшает общее число линий в шине, снижает пиковые нагрузки токопотребления, уменьшает количество помех из-за взаимных наводок.

Однако не во всех случаях можно делать отверстия в кожухе аппарата. Часто из-за ряда причин конструктор вынужден применять кожухи с уплотнением. Если зазоры между отдельными элементами конструкции (например, между печатными платами) малы, то скорость воздушного потока при естественной конвекции оказывается также очень малой, что резко уменьшает количество теплоты, отдаваемой тепловыделяющими элементами кожуху. В результате тепловые режимы элементов могут оказаться в недопустимых пределах. В данном случае применяют вентиляторы ( 15.8,в), осуществляющие перемешивание воздуха внутри кожуха, что интенсифицирует процесс теплопередачи. Однако следует иметь в виду, что установка вентиляторов в малогабаритной аппаратуре может значительно увеличить ее размеры. Размещать вентилятор нужно так, чтобы выделяемая им тепловая энергия (а она может быть соизмерима с энергией, выделяемой основными элементами аппаратуры), не ухудшала теплового режима аппарата. На 15.8, г показана схема принудительной вентиляции аппарата, которая обеспечивает наиболее эффективное охлаждение его воздухом: специальный вентилятор прогоняет через аппарат воздух из окружающей среды. Такая схема наиболее целесообразна, если радиоэлектронное устройство будет установлено на объектах, где имеется централизованная система подачи воздуха. В ряде случаев такие централизованные системы подают в аппарат осушенный и обеспыленный воздух.

В таких линиях работа каждого станка и транспортных устройств не зависит от положения или состояния соседнего станка. Это позволяет управлять станками автономно и производить автоматическое управление ими только в зависимости от наличия деталей на загрузочной позиции. Автономное управление каждым станком упрощает его обслуживание, повышает надежность и производительность линии в целом и уменьшает количество электрических блокировок между агрегатами .

Очень редко малоугловые границы возникают на плоском или слегка выпуклом в расплав фронте кристаллизации, который имеют монокристаллы, растущие в условиях малых градиентов температуры. Чаще всего они встречаются в нижней, реже.в средней и очень редко в верхней части монокристалла. Это объясняется тем, что подвижность дислокаций максимальна при повышенных температурах. Вначале образуется малоугловая граница небольшого размера. По мере роста монокристалла она увеличивается, изменяя свою форму и положение. Однородное тепловое поле вокруг растущего монокристалла уменьшает количество таких структурных дефектов.

На 9-14 изображена такая гляделка. Диафрагма / с отверстием диаметром 3—4 мм уменьшает количество проникающих к жароупорному стеклу 2 металлических паров. Стекло 2 приводится во вращение механизмом 4. Стекло 3 служит для защиты от рентгеновского излучения. Через отверстие 5 подается аргон (см. 9-12), создающий в корпусе 6, гляделки небольшое повышение давления, препятствующее запылению стекол. В связи с тем, что в настоящее время степень автоматизации работы электронных печей недостаточна, необходимо обеспечить хороший обзор рабочей зоны печи. Поэтому на рабочей камере устраивают три-четыре гляделки.

ГПС является мощным средством совершенствования производства и имеет высокую производительность, низкую себестоимость массового производства и мобильность мелкосерийного производства, обеспечивает работу технологического оборудования в режиме «безлюдной технологии», повышает качество продукции и уменьшает количество рабочих, занятых в производстве.

Многокристальные микросхемы. Многокристалыные микросхемы получают путем монтажа на изоляционной подложке (ситалл, керамика) отдельных бескорпусных полупроводниковых элементов (транзисторов, диодов, резисторов, конденсаторов), а также групп элементов, выполненных в одном кристалле (диодные и резистор-ные матрицы), или отдельных простейших монолитных микросхем. Межсоединения осуществляют с помощью проволочных проводников через тонкопленочные проводники и контакты, напыленные на подложку, или непосредственно между кристаллами. Последний способ уменьшает количество соединений. Общий вид многокристальной микросхемы (без герметизации) представлен на 1.48.

Таким образом, увеличение давления р и расстояния D от катода до подложки уменьшает количество распыленного материала. Для увеличения скорости распыления и скорости осаждения алод с подложкой можно приблизить к катоду: при этом положительный столб уменьшается (вплоть до исчезновения) , а ширина темного катодного пространства остается неизменной. Однако для оптимизации условий распыления целесообразно подобрать величину давления так, чтобы ширина темного катодного пространства была равна расстоянию между катодом и подложкой, т. е. D'=\D. Это обеспечивает максимальную скорость осаждения вещества на подложку.

Многокристальные микросхемы. Многокристалыные микросхемы получают путем монтажа на изоляционной подложке (ситалл, керамика) отдельных бескорпусных полупроводниковых элементов (транзисторов, диодов, резисторов, конденсаторов), а также групп элементов, выполненных в одном кристалле (диодные и резистор-ные матрицы), или отдельных простейших монолитных микросхем. Межсоединения осуществляют с помощью проволочных проводников через тонкопленочные проводники и контакты, напыленные на подложку, или непосредственно между кристаллами. Последний способ уменьшает количество соединений. Общий вид многокристальной микросхемы (без герметизации) представлен на 1.48.

Таким образом, увеличение давления р и расстояния D от катода до подложки уменьшает количество распыленного материала. Для увеличения скорости распыления и скорости осаждения алод с подложкой можно приблизить к катоду: при этом положительный столб уменьшается (вплоть до исчезновения) , а ширина темного катодного пространства остается неизменной. Однако для оптимизации условий распыления целесообразно подобрать величину давления так, чтобы ширина темного катодного пространства была равна расстоянию между катодом и подложкой, т. е. D'=\D. Это обеспечивает максимальную скорость осаждения вещества на подложку.