Увеличивает механическую

В первом случае атомы легирующей примеси имеют большее число валентных электронов, чем атомы полупроводника. Такую примесь называют донорной. Вследствие введения донорной примеси после образования химических связей примесного атома с окружающими его атомами полупроводника один валентный электрон оказывается «лишним», т. е. не участвует в химических связях. Поэтому достаточно лишь небольшой энергии ED ( 3, б), чтобы «оторвать» от примесного атома и сделать «свободным» этот валентный электрон, т. е. перевести его в зону проводимости. При этом образуется нескомпенсированный положительный заряд, который отличается от положительно заряженной дырки, способной перемещаться по кристаллу, тем, что остается неподвижным в кристаллической решетке. Легирование полупроводника донорной примесью увеличивает концентрацию электронов в зоне проводимости при неизменной концентрации дырок в валентной зоне. При этом электропроводность осуществляется в основном электронами, находящимися в зоне проводимости. Такие полупроводники называют электронными, или полупроводниками п-типа электропроводности.

Фотогальванические приборы. Если фотоны света падают на п—р-переход, то образующиеся электроны и дырки разделяются полем п—-р-перехода: электроны увлекаются в я-область, дырки захватываются полем р-области. Это увеличивает концентрацию зарядов в обеих областях, и, поскольку заряды избыточных электронов и дырок не уравновешиваются зарядами соответствующих ионов, возникает фото-э. д. с., приложенная в прямом направлении к п—р-переходу и уменьшающая поле в нем. Уменьшение поля приводит к менее эффективному разделению генерируемых зарядов, что ведет к ограничению фото-э. д. с. в пределах от нескольких десятых долей до одного вольта. По конструкции и области применения фотогальванические элементы принято разделять на фотоэлементы с запорным слоем (вентильные фото-

Внесение в полупроводник донорной примеси существенно увеличивает концентрацию свободных электронов, а концентрация дырок остается такой же, какой она была в собственном полупроводнике. В таком примесном полупроводнике электропроводность обусловлена в основном электронами, ее называют электронной, а полупроводники — полупроводниками n-типа. Электроны в полупроводниках n-типа являются основными носителями заряда (их концентрация высока), а дырки — неосновными.

На 16.8,6 показана диаграмма энергетических зон полупроводника с акцепторной примесью. В запрещенной зоне вблизи потолка валентной зоны создается примесный энергетический уровень (акцепторный). При температурах, близких к О К, этот уровень свободен, при повышении температуры он может быть занят электроном валентной зоны, в которой после ухода электрона образуется дырка. Расстояние от потолка валентной зоны до акцепторного уровня называется энергией ионизации (активации) акцепторов AWaa. Внесение в полупроводник акцепторной примеси существенно увеличивает концентрацию дырок, а концентрация электронов остается такой же, какой она была в собственном полупроводнике. В этом примесном полупроводнике электропроводность обусловлена в основном дырками, ее называют дырочной, а полупроводники — полупроводниками р-типа. Дырки для полупроводника р-типа — основные носители заряда, а электроны — неосновные.

Нагревание электролитов и угля кроме уменьшения времени т увеличивает концентрацию носителей зарядов п; в результате удельное сопротивление их при повышении температуры уменьшается.

прочными, в то время как прочность тела зерна не уменьшается, а иногда даже увеличивается [13, 89]. В результате нарушается соотношение прочности границы и тела зерна. Пластичность зерна при деформировании не может быть реализована полностью, поэтому происходит охрупчивание материалов. Авторы этой гипотезы полностью отрицают влияние гелия на ВТРО. Основанием для такого утверждения являются эксперименты по исследованию ВТРО стали типа ОХ16Н15МЗБ, легированной бором, на котором сечение образования гелия составляет 170 Мбарн, т. е. примерно на 2 порядка выше, чем на остальных элементах. Однако согласно экспериментам введение бора в сталь в количестве 0,005—0,008 вес. % существенно повышает ее радиационную стойкость к ВТРО. Элементарные оценки показывают, что введение такой малой концентрации бора в сталь заметно не увеличивает концентрацию гелия в стали ОХ16Н15МЗБ (сечения (п, а)-реакции на никеле даны в табл. 13), тогда как бор положительно влияет на упрочнение границ зерен.

Внесение в полупроводник донорной примеси существенно увеличивает концентрацию свободных электронов, а концентрация дырок остается такой же, какой она была в собственном полупроводнике. В таком примесном полупроводнике электропроводность обусловлена в

На 1.8, б показана диаграмма энергетических зон полупроводника с акцепторной примесью. В запрещенной зоне вблизи потолка валентной зоны создается примесный энергетический уровень (акцепторный). При температурах, близких к О К, этот уровень свободен, при повышении температуры он может быть занят электроном валентной зоны, в которой после ухода электрона образуется дырка. Расстояние от потолка валентной зоны до акцепторного уровня называется энергией ионизации (активации) акцепторов ДИ?й. Внесение в полупроводник акцепторной примеси существенно увеличивает концентрацию дырок, а концентрация электронов остается такой же, какой она была в собственном полупроводнике. В этом примесном полупроводнике электропроводность обусловлена в основном дырками,

Подвижность электронов, как представлено в табл. 6.2.1, может быть увеличена путем обработки в гидрогенизирующей плазме. Из таблицы также следует, что такая обработка увеличивает концентрацию носителей в материале и-типа и уменьшает концентрацию носителей и подвижность в образцах р-типа. Эти результаты можно объяснить следующим образом. Гидрогенизация не только снижает количество оборванных связей, но и изменяет потенциальные барьеры на границах зерен. Так, в случае материала и-типа высота потенциального барьера снижается, следовательно, концентрация и подвижность электронов увеличиваются. Для материала р-типа высота потенциального барьера в результате гидрогенизации, по-видимому, возрастает, следовательно, концентрация и подвижность дырок уменьшаются. Зависимость электропроводности от температуры подтверждает это предположение. Так, холловс-кие измерения показывают, что изменение проводимости при температурах выше 20 °С обусловлено изменением подвижности, а при температурах ниже 20 °С - изменением концентрации носителей. Другими словами, изменение проводимости при высоких температурах является результатом "прыжка" носителей через потенциальные барьеры, а при низких температурах — высвобождения носителей из ионизованных центров. Оценка по наклону кривых показала, что при тем-

Подвижность электронов, как представлено в табл. 6.2.1, может быть увеличена путем обработки в гидрогенизирующей плазме. Из таблицы также следует, что такая обработка увеличивает концентрацию носителей в материале и-типа и уменьшает концентрацию носителей и подвижность в образцах р-типа. Эти результаты можно объяснить следующим образом. Гидрогенизация не только снижает количество оборванных связей, но и изменяет потенциальные барьеры на границах зерен. Так, в случае материала и-типа высота потенциального барьера снижается, следовательно, концентрация и подвижность электронов увеличиваются. Для материала р-типа высота потенциального барьера в результате гидрогенизации, по-видимому, возрастает, следовательно, концентрация и подвижность дырок уменьшаются. Зависимость электропроводности от температуры подтверждает это предположение. Так, холловс-кие измерения показывают, что изменение проводимости при температурах выше 20 °С обусловлено изменением подвижности, а при температурах ниже 20 °С - изменением концентрации носителей. Другими словами, изменение проводимости при высоких температурах является результатом "прыжка" носителей через потенциальные барьеры, а при низких температурах — высвобождения носителей из ионизованных центров. Оценка по наклону кривых показала, что при тем-

Изменяющимся в зависимости от интенсивности света параметром может быть не только амплитуда колебаний напряжения с генератора, но и частота. Простейшим генератором такого типа является генератор на однопереходном транзисторе ( 5.44). При работе в режиме релаксационных колебаний период колебаний определяется временем зарядки конденсатора. В данном случае конденсатор заряжается обратным током эмиттерного р—л-пере-хода, который слабо зависит от напряжения. Освещение увеличивает концентрацию неосновных носителей в базе, обратный ток эмиттера, а соответственно и частоту колебаний.

Для изготовления коллекторов машин постоянного тока применяется твердотянутая медь с присадкой кадмия. Кадмий увеличивает механическую прочность меди и благоприятно сказывается на качестве пленки на поверхности пластин, улучшая коммутацию.

Для изготовления коллекторов машин постоянного тока применяется твердотянутая медь с присадкой кадмия. Кадмий увеличивает механическую прочность меди и благоприятно сказывается на качестве пленки на поверхности пластин, улучшая коммутацию.

Механическая прочность фарфора и стекла сильно зависит от вида нагрузки. Так, на сжатие, прочность фарфора составляет около 45 кПа, а на растяжение — всего лишь 3 кПа. Примерно в таком же соотношении находятся эти прочности и у стекол. Поэтому изоляторы стремятся конструировать так, чтобы фарфор в них работал в основном на сжатие. Стеклянные изоляторы в процессе изготовления подвергают закалке, т. е. нагревают до температуры около 700° С, а затем обдувают хэлодным воздухом. Во время закалки наружные слои стекла приобретают остаточное напряжение сжатия, что увеличивает механическую прочность на разрыв, так как часть разрывающего усилия тратится на преодоление остаточного напряжения сжатия. Изоляторы из закаленного стекла по механической прочности не уступают фарфоровым, поэтому они широко применяются во многих странах,

В современных трансформаторах для обмотки применяется транспонированный провод, в котором отдельные проводники в параллельном пучке периодически изменяют свое положение. Это выравнивает сопротивление элементарных проводников, увеличивает механическую прочность, уменьшает толщину изоляции и размеры магнитопровода.

Изделия из фарфоровой массы получают различными способами: обточкой, прессовкой, отливкой в гипсовые формы, выдавливанием через отверстие нужной конфигурации. После оформления изделия производится сушка полуфабриката для удаления воды, вводимой в массу для придания ей пластичности. Следующая операция — глазурование фарфоровых изоляторов — производится для предохранения от загрязнения и создания поверхности, легко очищаемой в условиях эксплуатации. При обжиге глазурное покрытие плавится и покрывает поверхность изолятора тонким стекловидным слоем. Глазурь увеличивает механическую прочность, «заглаживая» трещины и другие дефекты, уменьшает ток утечки по поверхности изоляторов и повышает их напряжение перекрытия. Обжиг фарфоровых изоляторов в зависимости от размеров длится от 20 до 70 ч по соответствующему режиму. Максимальная температура обжига в зависимости от вида фарфора от 1300 до 1410 °С. Фарфоровые изделия помещаются в печь в специальных коробках — капселях, изготовляемых из огнеупорных глин, чтобы предохранить из-

Для изготовления коллекторов машин постоянного тока применяется твердотянутая медь с присадкой кадмия. Кадмий увеличивает Механическую прочность меди и благоприятно сказывается на качестве пленки на поверхности Пластин, улучшая коммутацию.

рость охлаждения и критическую температуру нагрева. Улучшает механические свойства. Практическое применение имеют сплавы с 20—33 % Ni Ti В количестве 0,3 % увеличивает механическую прочность за счет измельчения зерна. Улучшает шлифуемость. Понижает критическую скорость охлаждения. Содержание 10—25 % Ti придает высокую хрупкость. увеличивает Я^. При большем содержании Нс падает. Допускается не более 0,35 %. Важен для отливок, подвергающихся горячей деформации, так как повышает прочность и пластичность в горячем состоянии

Для производства коллекторов машин постоянного тока применяется твердотянутая медь с присадкой кадмия. Кадмий увеличивает механическую прочность меди и благоприятно сказывается на качестве пленки на поверхности пластин, улучшая коммутацию.

Стальной сердечник увеличивает механическую прочность, алюминий же — токопроводящая часть провода. Полые провода ( 1.2, д) изготовляют из плоских проволок, соединенных друг с другом в паз, что обеспечивает конструктивную прочность провода. У таких проводов больший по сравнению со сплошными диаметр, благодаря чему повышается напряжение появления коронирующего разряда на проводах и значительно снижаются потери энергии на корону. Полые провода применяются на ВЛ редко, они

тройства, возможное при стягивании их винтами, и увеличивает механическую прочность.