Увеличивается проводимость

Опыт холостого хода при номинальном первичном напряжении Ulx = = U является основным при испытании трансформатора. Однако в ряде случаев, например при ограниченных возможностях охлаждения, важно знать, как изменится режим холостого хода трансформатора при изменении первичного напряжения. Зависимости /* = = f(Ulx) и / = F(Ul ) называются характеристиками холостого хода трансформатора ( 9.13). При постепенном, начиная с нуля, повышении первичного напряжения {/ сначала, пока магнитопровод не насыщен, ток /(х увеличивается пропорционально напряжению; затем начнет сказываться насыщение магнитопровода (например при (/(х > 0,8?/1ном) и ток холостого хода /t быстро нарастает.

обрабатываемой трубы. Для райберовки концов труб в привозную рукоятку вставляют райбер 3, снабженный рукояткой для его центрирования при вводе в обрабатываемую трубу. Усилие, с которым райбер обрабатывает трубу, увеличивается пропорционально усилию, прилагаемому к приводной рукоятке. Приспособление выпускают на одном из заводов Минмонтажспецстроя СССР.

При внезапном коротком замыкании основной обмотки 5 генератора 6 сигнал на измерительном элементе 1 также увеличивается пропорционально увеличению тока короткого замыкания, что также приводит к срабатыванию защиты.

Задаваясь величиной К3, следует иметь в виду, что тормозной момент увеличивается пропорционально К\. С другой сто-

Поскольку средства связи (УУКС) имеются в каждом блоке и при соединении в систему нескольких блоков увеличивается пропорционально и мощность связи, создатели системы надеются на линейное увеличение производительности системы от числа блоков.

При задержке сигнала на один такт (т0=1) кепстр задержки с возрастанием т убывает по закону 1, —1/2, +1/3 и т.д. С возрастанием задержки масштаб Ст (т) увеличивается пропорционально величине т0.

Ток утечки /ут обусловлен поверхностными энергетическими уровнями, которые вызывают процесс рекомбинации, а также молекулярными или ионными пленками, шунтирующими р — п-переход (молекулы газов, воды, основного материала). Он увеличивается пропорционально обратному напряжению и может быть количественно оценен эквивалентным сопротивлением утечки /?у, равным гут = (///ут. Для кремниевых диодов имеет место соотношение * ут -> ' о 4~ ftt-

Режим резонанса напряжений можно установить изменением параметров L и С при постоянной частоте источника ш или изменением частоты источника энергии при постоянных параметрах L и С. При увеличении частоты XL = aL увеличивается пропорционально частоте, Хс=1/<аС — уменьшается по закону обратной пропорциональности ( 4.20, а).

При любой величине Мвр стрелка 3 уйдет за пределы шкалы 4, если нет противодействия повороту. Противодействующий момент М„р создают пружины 2 (их обычно две) , один конец 8 которых закреплен на оси, а другой на неподвижной части прибора. Пружины закручиваются при отклонении стрелки в сторону увеличения показаний. М„р увеличивается пропорционально углу отклонения а:М1[р = /гПр а, где knf — коэффициент пропорциональности. Предположим, что вращающий момент пропорционален измеряемому току (току в катушке /«) Мвр = ?вр /к, как у прибора магнитоэлектрической системы (см. § 6.2). Подвижная часть прибора останавливается и стрелка показывает измеряемую величину при равенстве моментов Л{вр = Л1„р, т. е. 6вр /к = *пр «• Отсюда следует, что угол отклонения стрелки зависит (в данном случае пропорционально) от измеряемой

Как было показано выше, ООС по току способствует увеличению выходного сопротивления усилителя. Для параллельной ООС по току /?вых ос увеличивается пропорционально возрастанию Ft.

Опыт холостого хода при номинальном первичном напряжении Ulx = ~ ^IHOM является основным при испытании трансформатора. Однако в ряде случаев, например при ограниченных возможностях охлаждения, важно знать, как изменится режим холостого хода трансформатора при изменении первичного напряжения. Зависимости Р1х = ) и /lx = ^(^ix) называются характеристиками холостого трансформатора ( 9.13). При постепенном, начиная с нуля, повышении первичного напряжения ?/. сначала, пока магнитопровод не. насыщен, ток /1х увеличивается пропорционально напряжению; затем начнет сказываться насыщение магнитопровода (например при t/"lx>0,8t/lHOM) и ток холостого хода /1х быстро нарастает.

у1 Если на р-область подается напряжение U, отрицательное по отношению к л-области, потенциальный барьер $к возрастает на U, а толщина слоя пространственного заряда увеличивается. Проводимость слоя пространственного заряда из-за почти полного отсутствия свободных носителей в нем остается низкой и через р-л-переход проходит незначительный ток. Такие напряжение и ток называют обратными.

Почему с увеличением температуры увеличивается проводимость полупроводникового кристалла?

Почему с увеличением температуры увеличивается проводимость полупроводникового кристалла?

Почему с увеличением температуры увеличивается проводимость полупроводникового кристалл?

К числу фотоприемников относятся фотодиоды, фототранзисторы, фототиристоры и другие приборы. В § 1.1 было упомянуто явление термогенерации, т. е. перехода электрона из валентной зоны в зону проводимости при нагреве. Аналогичный переход может произойти, если на слой полупроводника воздействовать светом. В результате увеличения числа неосновных носителей увеличивается проводимость вещества (появление фотопроводимости). При облучении светом р-п перехода уве-

При проектировании и эксплуатации линий необходимо считаться и с тем, что с течением времени стареет изоляция кабеля и изменяется емкость С0; во время дождя увеличивается проводимость go между проводами воздушной линии; с ростом температуры увеличивается сопротивление /"о; при высоких напряжениях возникает корона, увеличивающая проводимость go, и т. п.

Внутренний фотоэффект. При облучении полупроводника могут появляться дополнительные носители заряда в результате поглощения энергии фотонов; средняя тепловая энергия решетки при этом практически не изменяется. Такие носители, возникающие в результате внешнего нетеплового возбуждения, называются неравновесными. В частности, под влиянием света, возникают неравновесные фотоэлектроны и фотодырки, увеличивается проводимость полупроводника. Во многих случаях проводимость освещенного полупроводника (световая) может во много раз превосходить проводимость в темноте (темповую). Это явление называют внутренним фотоэффектом. При освещении фотоносители могут перебрасываться в зону проводимости с примесных уровней Или из валентной зоны. В последнем случае энергия фотона W$ = hf, требуемая для образования пары электрон-дырка, должна быть равна или больше значения WQ — энергии запрещенной зоны: hf 5= W0, где/ — частота света, h — постоянная Планка. Появившиеся фотоносители находятся в свободном состоянии очень недолго вследствие процесса рекомбинации с носителями противоположного знака. Зависимость концентрации носителей после прекращения облучения, от времени, например, для электронов имеет вид:

При повышении частоты емкостная проводимость соС0 возрастает, увеличивается проводимость цепи У, комплексное значение которой

К числу фотоприемников относятся фотодиоды, фототранзисторы, фототкристоры и другие приборы. В § 1.1 было упомянуто явление термогенерации, т. е. перехода электрона из валентной зоны в зону проводимости при нагреве. Аналогичный переход может произойти, если на слой полупроводника воздействовать светом. В результате увеличения числа неосновных носителей увеличивается проводимость вещества (появление фотопроводимости). При облучении светом р-п перехода уве-

Установлено, что механизм электрической поляризации РЬТЮз отличается от механизма поляризации всех остальных титанатов. В титанате свинца дипольный момент образуется в результате передвижения катиона свинца, а не Ti4+, как в ВаТЮ3. Однако, несмотря на очень высокое значение сегнетоэлектрических свойств, этот материал в чистом виде не применяют. РЬТЮ3 не удается получить в пьезоактивном состоянии в силу его сегнетожесткости, потому что при нормальных температурах градиент напряжения, необходимый для переориентации доменов, больше пробивного поля. При высоких температурах, близких к температуре Кюри, резко увеличивается проводимость РЬТЮ3.