Увеличивается отношение

ски недопустим для двигателей мощностью более 0,5—1 кВт. Для ограничения тока при пуске вводится в цепь якоря пусковой резистор. При этом Т3 уменьшается, а Тм увеличивается настолько, что оказывается Та ^ Тм.

Применение проводов с изоляцией повышенной нагре-востойкости имеет смысл в сухих трансформаторах, где за счет повышения температуры обмоток возможно допустить более высокие плотности тока и получить компактную конструкцию трансформатора. Если при этом допускается существенное повышение эксплуатационной температуры обмоток, то потери короткого замыкания трансформатора неизбежно возрастают вследствие как увеличения плотности тока,* так и повышения удельного сопротивления провода обмотки. Так, при температуре 225"С удельное сопротивление медного провода увеличивается настолько, что становится равным удельному сопротивлению алюминия при температуре 75°С.

Реле работает следующим образом. Магнитный поток постоянного магнита замыкается через проводник .?, полюс 6 и электроды геркона. Когда ток в контролируемой цепи увеличивается настолько, что температура проводника 3 достигает точки Кюри, магнитная проницаемость проводника резко снижается. Соответственно уменьшается поток в магнитной цепи, и контакты геркона размыкаются.

Применение проводов с изоляцией, имеющей повышенную нагреиостойкость, имеет смысл в сухих трансформаторах, в которых за счет повышения температуры обмоток возможно допустить более высокие плотности тока и получить компактную конструкцию трансформатора. Если при этом допускается существенное повышение эксплуатационной температуры обмоток, то потери короткого замыкания трансформатора неизбежно возрастают вследствие как увеличения плотности тока, так и повышения удельного сопротивления провода обмотки. Так при температуре 225°С удельное сопротивление медного провода увеличивается настолько, что становится равным удельному сопротивлению алюминия при температуре 75 °С.

В области 3 высоких температур энергия фононов увеличивается настолько, что концентрация собственных носителей становится больше концентрации доноров (ni> >Ng). Здесь справедливо соотношение (1.1). Поэтому зависимость концентрации от 1/Т в полулогарифмическом масштабе изображается прямой линией с углом наклона р ( 1.5), тангенс которого пропорционален ширине запрещенной зоны (см. 1.4).

Транзистор Г4, и резисторы Rn -f- /?14 в схеме 98 служат для защиты от перегрузок при коротком замыкании на выходе стабилизатора. При нормальном режиме работы схемы транзистор Г4 заперт (потенциал его базы более положителен, чем потенциал эмиттера). При увеличении тока нагрузки сверх допустимого предела падение напряжения на резисторе Ru увеличивается настолько, что транзистор Г4 открывается. Потенциал базы транзи-«ropa^JV становится положительным. Транзисторы Т3 и Т1 запираются и ток в цепи нагрузки уменьшается.

При'этом расстояние между электродами увеличивается настолько, что для его дальнейшего пробоя требуется увеличение напряжения в несколько раз. Происходит это потому, что после прекращения процесса пробоя некоторое время оплавление тонкого слоя металла еще продолжается.

с помощью цепи управления увеличивается настолько, что деформация всей системы в первом приближении устраняется, т. е. измеряемая сила уравновешивается силой, созданной электрически. В этом случае уровень питания пропорционален выходной величине и датчика. Датчики 3-го типа имеют преимущества лишь в некоторых особых случаях (например, при малых номинальных значениях силы). В качестве обобщающего вводится понятие «принцип уравновешивающего преобразования силы -(силовой компенсации)».

Анализ показывает, что расширение полосы частот при ВИМ увеличивает помехоустойчивость только до определенного предела. При дальнейшем расширении полосы напряжение помех увеличивается настолько, что возникает относительно большая вероятность появления отдельных выбросов флуктуационного шума, превышающих пороговый уровень (случай относительно сильных помех). Следствием таких выбросов, если они возникают до появления рабочего импульса, является большая ошибка, обусловленная тем, что приемник воспринимает выброс шума как рабочий импульс ( 5.13, а). Кроме резкого увеличения среднеквадратичной ошибки появляется значительная средняя ошибка, так как все ошибки за счет появления выбросов будут иметь один и тот же знак. Максимальная ошибка (100%) получится, если выброс помехи возник в самом начале цикла работы, а рабочий импульс находился в конце интервала. При сильных помехах система становится неработоспособной. Зависимость среднеквадратичной ошибки при ВИМ от коэффициента • широкополосности у при ати== const показана на 5.14. Как видно из рисунка, имеется оптимальное значение у, при котором ошибка будет минимальной. Аналогичные зависимости бск=/ получаются также для ЧИМ и ШИМ.

По мере сближения атомов вероятность перехода электронов; к «чужим» ядрам увеличивается. При г « 2 А наступает заметное: перекрытие электронных облаков этих атомов и частота перехода, достигает величины « 1014 с"1. При дальнейшем сближении степень перекрытия облаков растет и частота обмена атомов электронами увеличивается настолько, что теряет смысл говорить о принадлежности электрона 1 атому А, электрона 2 атому В. Это-соответствует возникновению нового состояния, не свойственного системе, состоящей из двух изолированных атомов, и замечательного тем, что электроны в этом состоянии принадлежат одновременно обоим ядрам, или, как говорят, обобществлены.

Если в результате введения дополнительных меток общее их число в ГСА возрастет до М* и ^ = intlog2Al<
Диоды Шотки типа VD1 уменьшают амплитуду напряжения на эмиттерных р-п переходах при переключении ЛЭ на величину 11Л\ (прямое напряжение на этих диодах), следовательно, уменьшается заряд, накапливаемый в барьерной емкости эмиттерного р-п перехода. Уменьшается и выходная емкость ЛЭ. Кроме того, диоды типа VD1 позволяют создавать ЛЭ с несколькими изолированными выходами при использовании одноколлекторных переключательных транзисторов; тем самым исключаются области пассивной базы, расположенные между коллекторами (см. 7.20), и увеличивается отношение площадей коллекторного и эмиттерного р-п переходов, т. е. возрастает коэффициент передачи p,vn-

Высокое быстродействие элементов ИгЛ получено в структуре, представленной на 7.30, создаваемой с помощью многократных операций самосовмещения. Здесь достигается самосовмещение активной базы /, коллектора 2 л+-типа и коллекторного контакта 3. Горизонтальные размеры указанных областей, а также расстояния между коллекторами минимальны, так как не зависят от точности совмещения масок. Поликремниевый базовый электрод 4 контактирует с боковыми стенками базы и располагается на относительно толстом слое диоксида кремния 7, поэтому уменьшается барьерная емкость эмиттерного р-n перехода, увеличивается отношение суммарной площади коллекторных р-п переходов к площади базы и для переключательного транзистора обеспечиваются высокие коэффициенты передачи р#п и граничная частота.

В цепи, которая обладает активным сопротивлением и емкостью, с увеличением порядкового номера k гармоники полное сопротивление уменьшается, т. е. увеличивается отношение амплитуды гармоники тока к амплитуде гармоники напряжения. Иначе говоря, чем выше порядковый номер гармоники, тем более резко выражена данная гармоника в кривой тока по сравнению с кривой напряжения. В цепи с активным сопротивлением и емкостью кривые тока и напряжения не подобны; кривая тока больше отли-

Расположение отверстий зависит от распределения теплонагружен-ных элементов в объеме. Когда это распределение равномерное, то вентиляционные отверстия должны быть тоже равномерно расположены на боковых и нижней частях кожуха. Форма отверстий может быть различной, но при квадратных отверстиях увеличивается отношение между площадью отверстий и площадью перемычек, что благоприятно сказывается на эффективности охлаждения. Для небольших блоков с общей площадью поверхности до 3000 см2 диаметр вентиляционных отверстий выбирают около 6 мм, а для блоков с площадью поверхности 6000 см2 и более—12 мм. Отверстия располагают в шахматной порядке.

Как и при обратной связи по напряжению, в усилителе с обратной связью по току увеличивается отношение полезного сигнала к помехе:

Встроенная клавиатура позволяет производить непосредственное считывание сигнала на экране осциллографа, причем предусмотрена возможность формирования средних значений исследуемого сигнала, вследствие чего значительно увеличивается отношение сигнал-шум, а следовательно, и качество изображения. Могут измеряться десятки параметров входного сигнала при нажатии соответствующих клавиш. Длительность вычислений не пре-

Использование ключевого режима работы транзисторов позволяет получить высокие значения к. п. д. преобразователя—до 90%. При насыщении транзистора, когда его коллекторный ток велик, напряжение на его коллекторе мало и мощность, рассеиваемая на транзисторе, также мала. Когда транзистор заперт и на его коллекторе действует большое напряжение, коллекторный ток г'к транзистора равен /ко, т. е. близок к нулю. Рассеиваемая на транзисторе мощность также мала. Большие значения мгновенной мощности p = uK(t)iK(t) получаются только во время формирования фронта и среза импульса. Однако при форме импульсов, близкой к прямоугольной, длительность фронта и среза импульса по сравнению с периодом колебаний Т мала и средняя мощность, рассеиваемая на транзисторе, оказывается также небольшой. Важное значение имеет выбор рабочей частоты преобразователя F=l/T. Увеличение рабочей частоты открывает возможность для миниатюризации конструкции преобразователя, так как при этом уменьшаются размеры импульсного трансформатора и значения емкости фильтра выпрямителя, включенного в цепи нагрузочной обмотки. Однако при повышении рабочей частоты увеличивается отношение длительности фронта и среза импульса к периоду колебаний Т. Из-за этого к. п. д. преобразователя начинает уменьшаться, что ограничивает возможность дальнейшего увеличения частоты. В современных преобразователях, в которых используются быстродействующие транзисторы с малым временем переключения, рабочая частота достигает нескольких десятков килогерц.

1) получается при большем скольжении, если увеличивается отношение г<>/хя;

В цепи с активным сопротивлением и емкостью при' увеличении порядкового номера k-й гармоники полное сопротивление уменьшается, т. е. увеличивается отношение амплитуды гармоники тока к амплитуде гармоники напряжения. Иначе говоря, чем выше порядковый номер гармоники, тем более резко выражена данная гармоника в кривой тока по сравнению с кривой напряжения. В цепи с активным сопротивлением и емкостью кривые тока и напряжения не подобны; кривая тока больше отличается по форме от синусоиды, чем кривая напряжения ( 15-13, а к г).

При переходе же к режиму генерации практически все излучение концентрируется в плоскости р — n-перехода, распространяясь перпендикулярно отражающим граням. Кроме того, при / > /пор вследствие роста вероятности вынужденных оптических переходов увеличивается отношение вероятностей излучательной и безызлучательной рекомбинации. Все это приводит к резкому росту мощности излучения Wmil и излому кривой зависимости Wi!3J, от тока / при / = /П0р ( 12.22).